• 제목/요약/키워드: Micro-strip line inductor

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탄성표면파 듀플렉서용 마이크로 스트립라인 집중소자 해석 및 실험 (Analysis and Experiment of Micro-strip Line Lumped Elements for SAW Duplexers)

  • 이승희;노용래
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제15권1호
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    • pp.85-92
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    • 2002
  • In this study, we analyzed and experimented micro-strip line inductors and capacitors for a SAW duplexer, an important devise for mobile communication. For SAW duplexers, micro-strip line lumped elements must have small impedance values, below several tens of nH or several tens of pF, and a small area pattern. In this study, we performed theoretical analysis of flat line type, meander line type, and spiral line type inductors and interdigital capacitors on a LiTaO$_3$ Piezo-crystal. We proposed a measurement method to evaluate small values of lumped elements accurately with network analyzer. In experiments, we confirmed validity of the theoretical analysis method through fabrication and characterization of micro-strip line lumped elements. The analysis method in this paper can be applied to SAW duplexers well as other microwave devices.

마이크로 스트립라인 집중소자를 이용한 일체형 탄성표면파 듀플렉서 필터의 최적설계 (Optimal Design of a One-chip-type SAW Duplexer Filter Using Micro-strip Line Lumped Elements)

  • 이승희;이영진;노용래
    • 한국음향학회지
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    • 제20권3호
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    • pp.83-90
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    • 2001
  • 기존의 탄성표면파 듀플렉서 필터는 1/4 파장 정합선로를 이용한 격리회로를 이용하기 때문에 패키지 상에 스트립 라인을 구성하는 제작상의 어려움이 있다. 송수신 필터와 격리회로를 따로 제작하여 조립하기 때문에 제작공정 또한 복잡하다. 본 연구에서는 격리회로가 송신용, 수신용 필터와 함께 하나의 단일 칩 위에 위치할 수 있는 새로운 형태의 탄성표면파 듀플렉서 필터를 설계하였다. 이러한 형태의 듀플렉서를 구성하기 위하여, 개별 탄성표면파 사다리형 필터와 집중소자인 인덕터와 캐패시터로 구성되는 격리회로망을 설계하였고, 듀플렉서의 전체 성능을 최적화할 수 있는 적절한 목표함수를 세워, 이를 비선형 다차원 최소화 방법을 통하여 최적화하였다. 그 결과 상용제품보다 더 우수한 성능이 구현됨을 확인하였다.

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CMOS 직사각형 나선 인덕터의 기하학적 변화에 따른 전자기적 특성에 관한 연구 (Investigation on the Electromagnetic Characteristics of CMOS Rectangular Spiral Inductors according to the Geometrical Change)

  • 진경신;김영식
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제41권12호
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    • pp.125-130
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    • 2004
  • 본 논문에서는 EM field 시뮬레이션을 통한 CMOS 공정의 온-칩 직사각형 나선 구조의 인덕터 특성을 보여 주고있다. EM field 시뮬레이션을 위해서 ADS 모멘텀을 사용하였으며, 실제 검증은 하이닉스 0.35㎛ CMOS 공정을 이용하여 인덕터를 제작, 측정하였다. 이 연구에서는 일반 CMOS 공정에서의 전송선로의 넓이, 턴 횟수와 같은 기하학적인 변화에 따른 인덕터의 특성이 조사되었다. 실험과 시뮬레이션 결과는 거의 일치하였으며 5이하의 Q- factor를 가질 때 1nH에서 6nH의 인덕턴스 분포를 가지는 것을 확인할 수 있었다.