Journal of Dental Rehabilitation and Applied Science
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v.20
no.1
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pp.51-56
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2004
이번 연구의 목적은 순수 타이타늄의 표면을 양극산화법으로 표면처리하여 표면의 특성변화를 연구하고, 이에 따른 세포부착 특성의 차이를 연구하는 것이다. 원반 모양의 타이타늄을 전해질용액에서 300V - 550V의 전압을 주어 양극산화 하고 표면특성을 관찰한 결과, 전압이 높아짐에 따라 표면의 분화구 크기가 커지는 양상을 보였으며 아울러 표면 거칠기도 증가되었다. 세포 부착 실험결과 전압이 증가함에 따라 세포부착 및 증식세포수는 감소하였다. 300V 이상의 양극산화 전압은 표면의 거칠기는 증가시키지만 세포증식은 오히려 억제되는 것이 관찰되었다.
The nature of the implant surface can directly influence cellular response, ultimately affecting the rate and quality of new bone tissue formation. The aim of this in vitro study was to investigate if human osteoblast-like cells, Saos-2, would respond differently when plated on disks of magnesium titanate and machined titanium. Magnesium titanate disks were prepared using Micro Arc Oxidation(MAO) methods. Control samples were machined commercially pure titanium disks. The cell adhesion, proliferation and differentiation were evaluated by measuring cell number, and alkaline phosphatase(ALPase) activity at 1 day and 6 day after plating on the titanium disks. Measurement of cell number and ALPase activity in Saos-2 cells at 1 day did not demonstrate any difference between machined titanium and magnesium titanate. When compared to machined titanium disks, the number of cells was reduced on the magnesium titanate disks at 6 day, while ALPase activity was more pronounced on the magnesium titanate. Enhanced differentiation of cells grown on magnesium titanate samples was indicated by decreased cell proliferation and increased ALPase activity.
The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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v.8
no.9
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pp.1307-1312
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2013
In this paper, alkaline or acidic solution, in particular the principle of electrolysis to oxidize the metal surface to form a device isolation film is developed. In the past, mainly in the form of pulse voltage is applied to the anode only a unipolar method, but in this paper by using the H-bridge to the amount of the positive (+) voltage and the negative supply voltage, alternating voltage polarity devices were fabricated according to the characteristics of metal specimens with different electrical conditions to form an oxide film on the device was developed. Supply current variable was used for the PWM modulation, (+) and (-) polarity change of the H-bridge bipolar pulse voltage to supply the was that. As a result, a more uniform pores with unipolar film was formed.
Effects of Na2SiO3 concentration added into 0.1 M NaOH + 0.05 M NaF solution on the formation behavior and properties of PEO films on AZ91 Mg alloy were investigated under 1200 Hz of alternating current (AC) by voltage-time curves, in-situ observation of arc generation behavior and measurements of film thickness, surface roughness and micro vickers hardness. In the absence of Na2SiO3 in the 0.1 M NaOH + 0.05 M NaF solution, about 4 ㎛ thick PEO film was formed within 1 min and then PEO film did not grow but white spots were formed by local burning. Addition of Na2SiO3 up to 0.2 M caused more increased formation voltage and growth of PEO film with uniform generation of arcs. Addition of Na2SiO3 from 0.2 M to 0.4 M showed nearly the same voltage-time behavior and uniform arc generation. Addition of Na2SiO3 more than 0.5 M resulted in a decrease of formation voltage and non-uniform arc generation due to local burning. PEO film growth rate increased with increasing added Na2SiO3 concentration but maximum PEO film thickness was limited by local burning if added Na2SiO3 concentration is higher than 0.5 M. Surface roughness of PEO film increased with increasing added Na2SiO3 concentration and appeared to be proportional to the PEO film thickness. PEO film hardness increased with increasing added Na2SiO3 concentration and reached a steady-state value of about 930 HV at more than 0.5 M of added Na2SiO3 concentration.
We investigated heat properties of connection terminal in residual current protective devices(RCD) according to contact pressure for low voltage appliance. And we analyzed voltage and current waveform and oxide propagation when the poor-contact happened between terminal and wire. When contact pressure between terminal and connection wire was not applied, the heat was generated and an oxide was formed on the surface of the wire. The temperature of the insulation surrounding terminal was ascended sharply by poor-contact, micro-sparks and continuous arc sound happened in interior terminal. When the poor-contact by vibration occurred inner conductor of terminal and wire, an oxide was propagated on contact surface and the temperature was increased at 869℃. Thus, we found that the risk of electrical disaster is high in terminal and connection wire parts.
Kim, Sang-Hwan;Kim, Nam-Woo;Jeong, Young-Keun;Oh, Sung-Tag;Kim, Young Do;Lee, Seong;Suk, Myung Jin
Journal of Powder Materials
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v.22
no.6
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pp.426-431
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2015
Microstructural examination of the Nb-Si-B alloys at Nb-rich compositions is performed. The Nb-rich corner of the Nb-Si-B system is favorable in that the constituent phases are Nb (ductile and tough phase with high melting temperature) and $T_2$ phase (very hard intermetallic compound with favorable oxidation resistance) which are good combination for high temperature structural materials. The samples containing compositions near Nb-rich corner of the Nb-Si-B ternary system are prepared by spark plasma sintering (SPS) process using $T_2$ and Nb powders. $T_2$ bulk phase is made in arc furnace by melting the Nb slug and the Si-B powder compact. The $T_2$ bulk phase was subsequently ball-milled to powders. SPS is performed at $1300^{\circ}C$ and $1400^{\circ}C$, depending on the composition, under 30 MPa for 600s, to produce disc-shaped specimen with 15 mm in diameter and 3 mm high. Hardness tests (Rockwell A-scale and micro Vickers) are carried out to estimate the mechanical property.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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