JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제4권4호
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pp.251-257
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2004
Nonvolatile FRAMs with a design rule of 0.18 ${\mu}m$ were developed for the high performance smart card. A 1Mb FRAM was embedded in place of an EEPROM and a 64Kb FRAM was embedded in place of a. SRAM. It was confirmed that the FRAMs performed the roles of the EEPROM and SRAM successfully using the asynchronous write/read operation method and the one time programming (OTP) scheme. The cycle time of the FRAM was 10 MHz, which remarkably improved the write performance of the smart card in comparison with that of the conventional smart card with an EEPROM. Additionally, a simple and smart bit-line reference scheme for the future FRAM device having a 1T1C cell type was proposed.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제1권2호
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pp.125-131
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2001
When the program voltage is applied to a word line, a part of the boosted channel charge in inhibited bit lines is lost due to the coupling between the string select line (SSL) and the adjacent word line. This phenomenon causes the program disturbance in the cells connected to the inhibited bit lines. This program disturbance becomes more serious, as the word line pitch is decreased. To reduce the word line coupling, the rising edge of the word-line voltage waveform was changed from a pulse step into a ramp waveform with a controlled slope. The word-line ramping circuit was composed of a timer, a decoder, a 8 b D/A converter, a comparator, and a high voltage switch pump (HVSP). The ramping voltage was generated by using a stepping waveform. The rising time and the stepping number of the word-line voltage for programming were set to $\mutextrm{m}-$ and 8, respectively,. The ramping circuit was used in a 512Mb NAND flash memory fabricated with a $0.15-\mutextrm{m}$ CMOS technology, reducing the SSL coupling voltage from 1.4V into a value below 0.4V.
A novel psychrotolerant Psychrobacillus strain PB01, isolated from an Antarctic iceberg, was comparatively analyzed with five related strains. The complete genome of strain PB01 consists of a single circular chromosome (4.3 Mb) and a plasmid (19 Kb). As potential low-temperature adaptation strategies, strain PB01 has four genes encoding cold-shock proteins, two genes encoding DEAD-box RNA helicases, and eight genes encoding transporters for glycine betaine, which can serve as a cryoprotectant, on the genome. The pan-genome structure of the six Psychrobacillus strains suggests that strain PB01 might have evolved to adapt to extreme environments by changing its genome content to gain higher capacity for DNA repair, translation, and membrane transport. Notably, strain PB01 possesses a complete TCA cycle consisting of eight enzymes as well as three additional Helicobacter pylori-type enzymes: ferredoxin-dependent 2-oxoglutarate synthase, succinyl-CoA/acetoacetyl-CoA transferase, and malate/quinone oxidoreductase. The co-existence of the genes for TCA cycle enzymes has also been identified in the other five Psychrobacillus strains.
Nayoung Kim;Hyeonjin Kim;Jiyu Lee ;Seog-Young Yoon
한국결정성장학회지
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제33권4호
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pp.132-138
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2023
Doped and undoped-BiVO4 samples with different elements (Li, Mg) and amounts were synthesized with a hydrothermal method. The synthesized samples were characterized using various techniques including X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), UV-Vis diffusion reflectance spectroscopy (UV-Vis DRS), and photoluminescence (PL) spectroscopy. Photocatalytic activity of the samples was evaluated by measuring the degradation of methyl blue (MB) under visible light irradiation. The results indicated that the incorporation of Mg and Li into BiVO4 caused lattice distortion, the presence of surface hydroxyl groups, a narrower band gap, and a reduced recombination ratio of photo-induced electron-hole pairs. Notably, the photocatalytic activity of Mg5%-Li5% co-doped BiVO4 sample exhibited a significant improvement compared to that of undoped BiVO4 sample.
본 연구는 우리나라 과학기술정책 기조 변화에 관한 중장기적 비교 분석을 통해 정책기조의 변화를 파악하고 있다. 과학계량학(scientometrics)적 접근 방법을 이용하여 국가연구개발투자 효율성 관련 정책의 기조변화 및 이슈를 유형화하고, 시기별 과학기술투자 효율화 정책 기조의 방향을 분석한다. 정책기조의 변화 분석은 과학기술혁신5개년계획(1999-2002)부터 MB정부 과학기술기본계획(2008-현재)의 과학기술기본계획 문서를 이용하여, 과학기술투자 효율화 정책기조 변화에 관해서 공통단어분석을 수행하고 있다. 구체적으로 한 단락 안에 연구개발투자 효율성과 관련된 공통출현단어들을 추출하여 단어별로 빈도수, 상대빈도, 시기별 관련성 등을 분석한다. 연구개발투자 효율성과 공통으로 출현하는 공통출현단어의 순위유사성 분석과 중복률 분석을 종합하면, 연구개발투자 효율성 관련 정책기조의 변화는 Regime 1(과학기술혁신 5개년 계획과 참여정부 과학기술기본계획), Regime 2(과학기술기본계획과 참여정부 과학기술기본계획), Regime 3(MB 정부의 과학기술기본계획)로 구분할 수 있었다.
건식 식각 공정을 시뮬레이션하기 위하여, 플라즈마 챔버 내의 식각 이온 거동 메카니즘을 몬테카를로 수치해석 방식으로 구현하였고, 식각 이온의 거동에 의한 기판의 식각 형상을 확인하기 위하여 셀 방식의 표면 전진기를 개발하였다. 몬테카를로 수치 계산의 단점인 과다한 계산 시간을 효과적으로 감소시키기 위하여, CRAY T3E 병렬 컴퓨터와 여러대의 워크스테이션을 연결한 MPI 환경에서 몬테카를로 병렬 계산 알고리즘을 개발하였다. 본 연구에서 개발한 몬테카를로 병렬 계산 알고리즘은 95% 이상의 효율성을 보이며, 16개의 프로세서를 사용하였을 때 16의 스피드업(Speedup) 값을 얻었다. 또한 셀 방식의 병렬 연산 표면 전진기를 이용하여 토포그래피 시뮬레이션을 수행한 결과에서, 셀의 개수가 2갭만 개 일 때, 약 600Mb 이상의 메모리가 소요되므로 단일 워크스테이션 환경에서는 불가능한 계산이 본 연구에서 개발한 병렬 계산 알고리즘을 이용하였을 때 32개의 프로세서에서 15분의 계산시간이 소요되었다.
An activity-guided fractionation method was used to isolate anticancer components from Nuruk (Rhizopus oryzae KSD-815:KSD-815). Dried powder of KSD-815 was extracted with 80% methanol and partitioned successively using n-hexane, ethyl acetate, n-butanol, and water. The n-hexane and n-butanol fractions showed a strong antimigratory effect on human cancer cells. Both of these fractions were subjected to separation and purification procedures using silica gel, octadecyl silica gel, and Sephadex LH-20 column chromatographies to afford four purified compounds. These were identified as ergosterol peroxide (1), stigmast-5-en-$3\beta$,$7\beta$-diol (2), ergosta-7,22-dien-$3\beta$,$5\alpha$,$6\beta$,$9\alpha$-tetraol (3), and daucosterol (4), respectively, by spectroscopic methods such as nuclear magnetic resonance spectrometry, mass spectrometry, and infrared spectroscopy, and comparison with those in the literature. Compounds 1-4 were isolated from KSD-815 for the first time. Compounds 1 and 4 inhibited the migration of MDA-MB-231 cells at concentrations lower than $20\;{\mu}M$.
Virtual Brain-endoscopy is an effective method to detect lesion in brain. Brain is the most part of the human and is not easy part to operate so that reconstructing in 3D may be very helpful to doctors. In this paper, it is suggested that to increase the reliability, method of matching 3D object with the 2D CT slice. 3D Brain-endoscopy is reconstructed with 35 slices of 2D CT images. There is a plate in 3D brain-endoscopy so as to drag upward or downward to match the relevant 2D CT image. Relevant CT image guides the user to recognize the exact part he or she is investigating. VRML Script is used to make the change in images and PlaneSensor node is used to transmit the y coordinate value with the CT image. The result is test on the PC which has the following spec. 400MHz Clock-speed, 512MB ram, and FireGL 3000 3D accelerator is set up. The VRML file size is 3.83MB. There was no delay in controlling the 3D world and no collision in changing the CT images. This brain-endoscopy can be also put to practical use on medical education through internet.
Oh, Won-Chun;Kim, Jong-Gyu;Kim, Hyuk;Chen, Ming-Liang;Zhang, Feng-Jun;Meng, Ze-Da;Choi, Jong-Geun;Zhang, Kan
한국세라믹학회지
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제48권1호
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pp.6-13
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2011
In this study, we used activated carbon (AC) and charcoal (CH) as carbon sources with $TiO_2$ powder to prepare spherical carbons containing titania (SCCT) by using phenolic resin (PR) as a bonding agent. The physicochemical characteristics of the SCCT samples were examined by BET, XRD, SEM, EDX, iodine adsorption and compressive strength. The photocatalytic activity was evaluated by measuring the removal efficiency of three kinds of organic dyes: methylene blue (MB), methyl orange (MO) and rhodamine B (Rh.B) under a UV/SCCT system. In addition, evaluation of chemical oxygen demand (COD) of piggery waste was done at regular intervals and gave a good idea about the mineralization of wastewater.
High-pressure deuterium annealing process is proposed and investigated for enhanced electrical and reliability properties of 512Mb DDR2 DRAM without increase in process complexity. High pressure deuterium annealing (HPDA) introduced during post metal anneal (PMA) improves not only DRAM performance but also reliability characteristics of MOSFET. Compared with a control sample annealed in a conventional forming gas, additional annealing in a high pressure deuterium ambient at $400^{\circ}C$ for 30 min decreased G1DL current and junction leakage. The improvements can be explained by deuterium incorporation at $SiO_2$/Si substrate interface near isolation trench edge.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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