• 제목/요약/키워드: Maximum Power Of Photocell

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태앙광 센서에 의한 태앙광 전지의 최대전력추적과 신경회로망 제어알고리즘 적용 (Application of Neural Network Control Algorithm and Maximum Power Tracking of Sun Photocell using Sunlight Sensor)

  • 유석주;이성수;박왈서
    • 조명전기설비학회논문지
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    • 제24권2호
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    • pp.33-38
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    • 2010
  • 최근 태양광 발전시스템은 정부 에너지 정책에 의해서 널리 보급되고 있다. 여기에 광전지 전력생산의 효율을 높이기 위해서는 견실한 태양 추적식이 필요하다. 하지만 태양추적 식은 추적기술의 미비에 의해서 아직 널리 보급되지 못하고 있다. 이를 해결하기 위해서 본 논문에서는 태양광전지의 최대전력추적을 위해서 태양광센서 및 신경회로망 제어알고리즘을 적용하였다. 태양추적 센서는 평판위에 한 개의 사각기둥과 동, 서, 남, 북 4개의 광센서로 구성된다. 태양추적 2축 제어는 두 개의 모터에 의해서 각각 동작되며, 모터의 제어 입력은 신경회로망 제어 알고리즘에 의해서 계산된다. 제안된 제어방식의 기능은 태양추적광 발전 실험에 의해서 확인하였으며, 본 논문의 태양추적방식은 고정식 보다 32[%]효율을 증가시켰다.

태양전지 최대전력 발생을 위한 다 평면 반사경 태양추적시스템 개발 (Development of Multi-flat Reflector Sun Tracking System for Sun Photocell Maximum Power Generation)

  • 이광신;이현석;유석주;박왈서
    • 조명전기설비학회논문지
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    • 제25권11호
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    • pp.67-72
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    • 2011
  • Recently, photovoltaic generator system is widely extended by energy policy of the government. Add to this, for high efficiency of power generation per natural light unit area is needed to sun tracking system. And it is needed to condensed light generator for reducer of equipment expense. As method of solving this problem, this paper is developed multi-flat reflector sun tracking system for sun photocell maximum power generation. The system is consisted of multi-flat reflector and two axes machinery and sun location perceiver and AVR controller. GaAs 3J cell generated 6.75 times power more than silicon cell by times condensing light system. As a result, condensing light system of multi-flat reflector generated maximum power and showed reducing costs to photovoltaic generator.

Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 MnAl2S4 단결정 박막 성장과 광전도 특성 (Growth and optical conductivity properties for MnAl2S4 single crystal thin film by hot wall epitaxy method)

  • 유상하;이기정;홍광준;문종대
    • 한국결정성장학회지
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    • 제24권6호
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    • pp.229-236
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    • 2014
  • 수평 전기로에서 $MnAl_2S_4$ 다결정을 합성하여 HWE(Hot Wall Epitaxy)방법으로 $MnAl_2S_4$ 단결정 박막을 반절연성 GaAs(100)기판에 성장시켰다. $MnAl_2S_4$ 단결정 박막의 성장 조건은 증발원의 온도 $630^{\circ}C$, 기판의 온도 $410^{\circ}C$였고 성장 속도는 $0.5{\mu}m/hr$였다. 이때 $MnAl_2S_4$ 단결정 박막의 결정성의 조사에서 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 반폭치(FWHM)도 132 arcsec로 가장 작아 최적 성장 조건임을 알 수 있었다. $MnAl_2S_4$/SI(Semi-Insulated) GaAs(100) 단결정 박막의 광흡수를 293 K에서 10 K까지 측정하였다. 광흡수 스펙트럼으로부터 band gap $E_g(T)$는 Varshni 공식에 따라 계산한 결과 $E_g(T)=3.7920eV-(5.2729{\times}10^{-4}eV/K)T^2/(T+786K)$였다. $MnAl_2S_4$ 단결정 박막의 응용소자인 photocell로 사용할 수 있는 pc/dc 값이 가장 큰 광전도셀은 S 증기분위기에서 열처리한 셀로 $1.10{\times}10^7$이었으며, 광전도 셀의 감도(sensitivity)도 S 증기분위기에서 열처리한 셀이 0.93로 가장 좋았다. 또한 최대 허용소비전력(MAPD)값도 S 증기분위기에서 열처리한 셀이 316 mW로 가장 좋았으며, S 증기분위기에서 열처리한 셀의 응답시간은 오름시간 14.8 ms, 내림시간 12.1 ms로 가장 빠르게 나타나, $MnAl_2S_4$ 단결정 박막을 S 분위기에서 $290^{\circ}C$로 30분 열처리한 photocell이 상용화가 가능할 것으로 여겨진다.