본 논문에서는 LTE와 WiMAX 시스템에 적용 가능한 마이크로스트립 패치 안테나를 설계하였다. 제안된 모노폴 안테나의 기판은 FR-4이고 크기는 $70.88mm{\times}54.88mm$이다. 제안된 안테나는 평면형 모노폴 설계를 기본구조로 구성함으로서 LTE와 WiMAX 대역을 포함하는 이중대역 특성을 갖도록 설계하였다. 최적화된 파라메타를 얻기 위해 상용 툴(CST's Microwave Studio Program)을 사용하여 시뮬레이션 하였으며 안테나 성능에 민감하게 작용하는 파라메타를 찾아내서 최적화된 수치를 얻었다. 얻어진 최적화된 수치를 사용하여 제안된 안테나를 설계하였다. 따라서 제안된 안테나는 LTE와 WiMAX 대역을 동시에 만족하였다. 그리고 LTE와 WiMAX 대역에서 좋은 이득과 방사패턴의 특성을 얻었다.
본 논문에서는 WLAN/WiMAX시스템에 적용 가능한 삼중대역을 갖는 U-모양 안테나를 설계 및 제작하였다. 제안된 안테나는 U-모양의 평면형 모노폴 설계를 기본으로 U-모양 내부의 T-모양의 스터브를 구성함으로서 삼중대역 특성을 갖도록 설계하였다. 얻어진 최적화된 수치를 사용하여 제안된 안테나를 제작하였다. 시뮬레이션 결과와 측정결과가 어느 정도 일치하고 있는 데이터를 얻었으며 -10dB 임피던스 대역폭을 기준으로 WLAN/WiMAX 대역을 동시에 만족하고 있음을 확인하였다. 그리고 WLAN/WiMAX 대역에서 이득과 방사패턴의 특성을 얻었다.
OFDM (Orthogonal Frequency Division Multiplexing) 방식을 기반으로 하는 M-WiMAX (Mobile-Worldwide Interoperability for Microwave Access) 시스템은 이동성이 있는 고속 데이터 전송에 적합한 전송 방법으로 널리 알려져 있지만, 수신단에서의 LO (Local Oscillator)에 의해 발생하는 IQ 불균형에 매우 민감한 특성을 보이는 단점이 있다. 따라서, 본 논문에서는 IQ 불균형이 시스템에 미치는 영향을 분석하고, 이를 보상하는데 있어 이득 불균형의 추정 및 보상이 AGC (Automatic Gain Control) 기능과 중첩함으로 단말 모뎀에서 DFE (Digital Front-end) 의 소형화 및 고집적화를 위한 두 기능의 결합 기법을 제시한다. 모의 실험을 통해 기존 방법과의 성능 차이가 없음을 보여 제안한 기법에 의한 H/W 구현의 복잡도를 감소시킬 수 있다.
OFDM (orthogonal frequency division multiplexing) 시스템에서 주파수 동기 오차는 시변 특성으로 인해 시스템 성능 저하를 유발하는 가장 중요한 문제 중의 하나이다. 본 논문에서는 OFDM 기반의 이동 WiMAX 시스템에서 파일럿 심벌 기반의 미세 잔여 주파수 동기 오차 추정기의 성능을 분석한다. FFT 과정 후 수행되는 파일럿 기반의 미세 주파수 동기 오차 추정기의 MSE (mean square error) 성능을 시변 페이딩 채널에서 수식적으로 유도한다. 본 논문에서 유도된 MSE 성능 검증을 위하여 미세 주파수 동기화 기법을 IEEE802.16e 표준의 프레임 구조에 적용하여 모의실험을 수행한다.
The effects of various inotropic interventions on the shape of the steady state length tension relation and the length-dependent activation process in cardiac muscle were studied. The influence of inotropic interventions upon the action potential was also observed. The range of varying muscle length was from the optimal length$(l_{max})$, where the active tension production is maximal, to 0.85 $l_{max}$. Changes in stimulus frequency or in external bathing Ca concentration constituted the inotropic interventions in this experiment. The papillary muscles were isolated from the rabbit right ventricles and perfused with $HCO-_3\;-buffered$ normal Tyrode solution which was aerated with $3%\;CO_2-97%\;O_2$ mixed gas and kept at $35^{\circ}C$. Resting Passive tension at $l_{max}$ was approximately 30% of the total tension and appeared from the muscle length of 0.90 $l_{max}$. The effect of stimulus frequency on the steady state level of developed tension was: As the stimulus frequency was increased from 0.1 to 0.5 Hz, there was little change in developed tension. As the frequency was increased further, to a value of about 3 Hz, tension increased steeply. Further increase of the frequency to 5 Hz had little additional effect on the developed tension. The length-tension curves for isometric peak tension became more steeper with the degree of potentiation by inotropic interventions. The relative steepness of the normalized length-tension curves where tension production was expressed as a percentage of maximal tension developed at $l_{max}$, varied inversely with the level of inotropic state and these curves were not superimposable one another. Thus at the stimulus frequency of 2 Hz or at the external Ca concentration of 8 mM, the relative decline in the developed tension for a given change in muscle length was considerably less than the decline observed at the frequency of 0.5 Hz or at the concentration of 2 mM Ca. Action potential duration was prolonged significantly as the frequency increased from 0.2 to 2 Hz, and this change in action potential duration was not observable on the changes in muscle length. There was a tendency of the hyperpolarization of membrane potential when the muscle length was shortened from $l_{max}$ to 0.95 $l_{max}$. These results support the hypothesis that there is a length-dependence of the activation process.
The gate-length dependence of maximun oscillation frequency $f_{MAX}$ is modeled by using scaling equations of equivalent-circuit parameters extracted from measured S-parameters of Nano-scale MOSFETs. The accuracy of the modeled $f_{MAX}$ is verified by observing good agreements with measured ones. It is observed that the $f_{MAX}$ initially increases with decreasing $L_g$ and then $f_{MAX}$ becomes saturated from $L_g$ less than 65nm.
본 논문에서는 WLAN 대역과 WiMax 대역에서 통신을 가능하게 하기 위한 다중대역 프랙탈 마이크로스트립 패치 안테나를 설계 및 제작하였다. 제안된 안테나는 다중공진을 위해 공진주파수, 임피던스정합, 극성 및 방사패턴을 훌륭히 제어할 수 있으며 다중 독립 주파수를 만족시키기 위한 세 개의 반원의 프랙탈 패치를 삽입하였다. 제안된 구조는 반원의 프랙탈 구조가 연속적으로 이루어져 있는 형태의 안테나로써 하나의 반원이 하나의 대역을 나타내고 있다.
In this paper, a novel low-damage silicon nitride passivation for 100nm InAlAs/InGaAs MHEMTs has been developed using remote ICPCVD. The silicon nitride deposited by ICPCVD showed higher quality, higher density, and lower hydrogen concentration than those of silicon nitride deposited by PECVD. In particular, we successfully minimized the plasma damage by separating the silicon nitride deposition region remotely from ICP generation region, typically with distance of 34cm. The silicon nitride passivation with remote ICPCVD has been successfully demonstrated on GaAs MHEMTs with minimized damage. The passivated devices showed considerable improvement in DC characteristics and also exhibited excellent RF characteristics($f_T$of 200GHz).The devices with remote ICPCVD passivation of 50nm silicon nitride exhibited 22% improvement(535mS/mm to 654mS/mm) of a maximum extrinsic transconductance($g_{m.max}$) and 20% improvement(551mA/mm to 662mA/mm) of a maximum saturation drain current ($I_{DS.max}$) compared to those of unpassivated ones, respectively. The results achieved in this work demonstrate that remote ICPCVD is a suitable candidate for the next-generation MHEMT passivation technique.
The effects of device geometry and layout on high speed performance such as current gain outoff frequency(f$_{T}$) and maximum oscillation frequency(f$_{max}$) are of very improtant for the scaling-down of geterojunction bipolar transistors(HBT$_{s}$). In this paper AlGaAs/GaAs HBTs are fabricated by MBE epitaxial growth and conventional mesa process, and the experimental data of emitter-base geometru dependency of HBT performance are presented in order to provide the quantitative information for optimum device structure design. It is shown that f$_{T}$ and f$_{max}$ are inversely proportional to the emiter stripe width, while the low emitter perimeter/area ratio is better to f$_{T}$ and worse ot f$_{max}$. It is also demonstrated the f$_{T}$ and f$_{max}$ are highly improved by the emitter-base spacing reduction resulting in less parsitic effects. As the result f$_{T}$ of 42GHz and f$_{max}$ of 23GHz are obtained for fabricated HBT with emitter area of 3${\times}20^{\mu}m^{2}$ and E-B spacing of 0.2$\mu$m.m.m.
본 논문에서는 초광대역 통신을 위한 LTE/WiMAX용 마이크로스트립 안테나를 설계하였다. 제안된 안테나의 기판은 FR-4(er=4.3)이고 크기는 29[mm] x 45[mm]이며 LTE 주파수대역인 1.82[GHz]와 WiMAX 주파수의 대역인 3.5[GHz]의 대역에서 사용할 수 있는 특성을 갖도록 설계하였다 시뮬레이션은 CST Microwave Studio 2014을 사용하였으며 시뮬레이션 결과 이득은 1.82[GHz]일 때 1.785[dB], 3.5[GHz]일 때 1.720[dB]이다. S-Parameter 또한 원하는 주파수 대역에서 -10dB(WSWR2:1) 이하의 결과를 볼 수 있었고, 광대역성, 소형화, 저가격화, 저손실화 등을 구현하기 위하여 각 단계마다 이론적 근거에 의한 수식을 이용하였고 슬롯의 폭, 길이, 전송선로의 폭 등을 계산하였다. 그러므로 원하는 조건을 만족하여 해당 안테나의 적용이 가능할 것으로 사료된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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