• 한국안광학회지
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• 제12권2호
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• pp.13-17
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• 2007

열증착법으로 제작한 강자성체인 철박막에서 전류와 자기장이 이루는 각도의 변화에 따른 자기저항의 변화를 관찰하였다. 이방상자기저항현상에서 철박막인 경우에는 박막면이 중간자화용이축이므로 PMR 에서 NMR로의 전이가 $34^{\circ}$에서 일어나며 전류가 박막면에 수직인 현상에서는 자기저항피크간격이 니켈박막보다 더 크게 나타나지만 자기저항피크간격의 증가율은 비슷한 경향성을 보인다.

• 한국자기학회지
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• 제5권5호
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• pp.570-574
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• 1995

Magnetoresistance of NiFeCo/Cu/NiFeCo/FeMn uncoupled exchange biased sandwiches has been studied. The magnetoresistance change ratio, ${\Delta}R/R_{s}$ showed 4.1 % at a saturation field as low as 11 Oe in $Si/Ti(50\;{\AA})/NiFeCo(70\;{\AA})/Cu(23\;{\AA})/NiFeCo(70\;{\AA})/FeMn(150\;{\AA})/Cu(50\;{\AA})$ spin valve structure. In this system, the magnetoresistance was affected by interlayer material and thickness. When Ti and Cu were used as the interlayer material in this structure, maximum magnetoresistance change ratio were 0.32 % and 4.1 %, respectively. 6.1 % MR ratio was obtained in $Si/Ti(50\;{\AA})/NiFeCo(70\;{\AA})/Cu(15\;{\AA})/NiFeCo(70\;{\AA})/FeMn(150\;{\AA})/Cu(50\;{\AA})$ spin valve structure. The magnetoresistance change ratio decreased monotonically as the interlayer thickness increased. It was found that the exchange bias field exerted by FeMn layer to the adjacent NiFeCo layer was ~25 Oe, far smaller than that reported in NiFe/Cu/NiFe/FeMn spin valve structure(Dieny et. al., ~400 Oe). The relationship between the film texture and exchange anisotropy ha been examined for spin valve structures with Ti, Cu, or non-buffer layer.

• Journal of Magnetics
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• 제6권4호
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• pp.145-147
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• 2001

The effect of interface roughness between [Ni/Mn] superlattice and pinned NiFe layer on magnetoresistance (MR) of [Ni/Mn] superlattice-based spin valve films was investigated. Antiferromagnetic phase structure and interface roughness of [Ni/Mn] superlattice spin valve films were compared in the as-deposited and the annealed samples at 240$\^{C}$, respectively. Surface morphology of spin valves was substantially flattened due to the formation of the antiferromatic NiMn phase. In case of Co insertion between Cu and NiFe, the interlace roughness and MR ratio in the annealed [NiMn] superlattice and pinned NiFe/Co layer increased more than those in the annealed [Ni/Mn] superlattice and pinned NiFe layers respectively.

• Journal of Magnetics
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• 제7권1호
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• pp.4-8
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• 2002

The magnetoresistance (MR) and the magnetization reversal of a lateral spin-injection device based on a spin-polarized field effect transistor (spin FET) have been investigated. The device consists of a two-dimensional electron gas (2DEG) system in an InAs single quantum well (SQW) and two ferromagnetic $(Ni_{80}Fe_{20})$ contacts: all injector (source) and a detector (drain). Spin-polarized electrons are injected from the first contact and, after propagating through the InAs SQW are collected by the second contact. By engineering the shape of the permalloy contacts, we were able to observe distinct switching fields $(H_c)$ from the injector and the collector by using scanning Kerr microscopy and MR measurements. Magneto-optic Kerr effect (MOKE) hysteresis loops demonstrate that there is a range of magnetic field (20~60 Oe), at room temperature, over which the magnetization in one contact is aligned antiparallel to that in the other. The MOKE results are consistent with the variation of the magnetoresistance in the spin-injection device.

• 한국자기학회지
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• 제5권5호
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• pp.456-460
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• 1995

Giant magnetoresistance(GMR) of $Cu_{85-x}Co_{15}Ni_{x}$ melt-spu ribbons is closely correlated with the microstructure produced by the spinodal decomposition. The solid solution range is extanded by the replacement of Cu by Ni in the as-quenched state. The wavelengths obtained by subsequent isothermal aging in Cu-Co-Ni ribbons are shorter than those in Cu-Co binary ribbons, resulting in the increase of the surface-to-volume ratio. The largest MR ratio of 8 % in high field has been achieved in the $Cu_{80}Co_{15}Ni_{5}$ aged ribbon. The field dependence of MR ratio in low fields becomes larger with the Ni content.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1999년도 하계종합학술대회 논문집
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• pp.950-953
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• 1999

Spin tunneling giant magnetoresistance effect was studied to utilize in the application of random access memory. Ferromagnetic/Insulator/Ferromagnetic films were sputtered on glass substrates and perpendicular current was applied. Measurements of magneto- resistance of the junction showed 8.6% of MR ratio. Voltage output depends on the magnetization directions of the write line and read line, thus enabling the system to be used as a random access memory

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2002년도 동계연구발표회 논문개요집
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• pp.72-73
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• 2002

MR(Magnetoresistance)현상이란 인가된 자장에 의해 저항이 변하는 현상이다. 이 현상은 여러 측면에서 연구되고 있고 그 중 TMR(Tunneling Magnetoresistance)현상은 sensor, head, memory device의 적용에 대한 연구가 진행 중에 있다. 특히 memory 소자 측면에서 MRAM은 현재 사용되고 있는 DRAM이나 SRAM들과는 달리 비휘발성과 기록밀도의 고집적 등 많은 장점을 갖는 소자로써 연구되고 있다. (중략)

• 한국자기학회지
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• 제12권2호
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• pp.41-45
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• 2002

졸-겔법으로 제조된 La/sub 0.7/Pb/sub 0.3/MnO₃(LPM)박막의 기판 효과에 따른 저 자장 영역에서의 터널형 자기저항 효과에 대하여 연구하였다. 다결정 LPMO 박막은 SiO₂/Si(100) 기판과 그 위에 확산 방지막(diffusion barrier)으로 안정화 지르코니아(yttria-stabilized zirconia, YSZ) 중간층을 도입한 기판에 증착하였으며, 반면에 c-축 방향 성장을 갖는 박막의 경우 LaA1O₃(001) (LAO) 단결정 기판을 사용하였다. LPMO/LAO 박막에서의 rocking curve 측정 결과 full width half maximum (FWHM) 값은 0.32°값을 가짐을 알 수 있었다. 상온(300 K)에서 측정한 자기저항비(MR ratio) 값은 500 Oe리 외부자장을 인가시 LPMO/SiO₂/Si 박막의 경우 0.52%, LPMO/YSZ/SiO₂/Si 박막인 경우는 0.68% 그리고, LPMO/LAO의 경우에는 0.4%에도 미치지 못하는 값을 가졌다. 이때 MR최대값을 나타내는 peaks는 자기이력 곡선의 보자력 부근에서 나타남으로 그 두 결과가 잘 일치함을 보여 주고 있다. 이러한 저 자장 영역에서의 자기저항 값의 타이는 박막 시료의 기판 효과에 의한 grain boundary특성의 차이로부터 기인된다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제7권2호
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• pp.120-125
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• 2006

산업적으로 경제적인 급속 응고법과 $450^{\circ}C-1hr$ 대기 어닐링을 이용하여 ${\pm}5000Oe$ 이상의 고자계에서 5% 이상의 거대 자기효과를 보이는 두께 $20{\mu}m$의 granular CuCo 합금 리본을 제작하였다. Co의 함량에 따른 최대 자기저항 효과를 확인하기 위해서 Co의 함량을 $5{\sim}30at%$ 범위에서 변화시키며 아래의 자기저항효과와 포화자화의 자기적 특성과 미세구조를 확인하였다. 최대자기저항 효과는 Cu-10at%Co에서 1.2T에서 5.2%의 GMR ratio를 얻었으며, 0.5T에서는 $Cu-8{\sim}14at%Co$에서 공업적으로 활용이 가능한 3% 이상의 MR ratio를 확보할 수 있었다. 5% 이하의 Co 조성범위 리본에서는 초상자성(superparamagnetic)때문에, 20%이상의 Co 조성의 리본에서는 포화자화는 커지지만 Co 클러스터의 과도 성장으로 MR 효과가 급격히 감소하였다. 대기 분위기의 급속 응고와 열처리에 의한 표면 산화막은 자기저항효과에 큰 영향을 주지 못하였다. 따라서 고자계 센서로 사용되는 CuCo 그래뉼라 합금 리본은 $8{\sim}14wt%Co$의 조성 범위에서 공업적 목적에 유리한 거대 자기저항을 갖는 것이 가능하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제13권12호
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• pp.1032-1038
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• 2000

Ni$_{81}$$Fe_{19}$(200 nm) thin films have been deposited by RF-magnetron sputtering on Si(001) substrates, Atomic force microscopy(AFM), X-ray diffraction(XRD) and magnetoresistance(MR) measurements of the thin films for investigating electromagnetic properties and microstructures were employed. During field annelaing for 1hr, there was no big difference n XRD patterns of Ni$_{81}$$Fe_{19}$ thin films. However, there was a significant change in XRD patterns of Ni$_{81}$$Fe_{19}$ thin films deposited at 40$0^{\circ}C$ during in-situ magnetic field deposition. The degree of surface roughness increased with increasing annealing and deposition temperature. With variation of surface roughness, there was no significant difference in MR Characteristics of Ni$_{18}$ $Fe_{19}$ thin films in 1hr-annealed case. High MR ratio was observed in the case of in-situ field deposited Ni$_{81}$$Fe_{19}$ films. 19/ films.