Thin film inductors of $10 mm \times 10 mm$ with inner coil type of 14 turns were fabricated by sputtering, photo-masking, and etching processes. Their characteristics of impedances and annealing after were investigated. The properties of impedances of the thin film magnetic core inductors with inner coil type were improved by magnetic field annealing due to the removal of residual stress and the improvement magnetic properties of magnetic films. But the characteristics of frequency of the thin film magnetic core inductors were not improved by magnetic field annealing due to properties of the spiral pattern and inner coil type. The thin film magnetic core inductor annealed by uniaxal field annealing method showed an inductance of 1000 nH and resistance of$ 6 \Omega$ of 1 at 2 MHz.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제1권3호
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pp.29-33
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2000
The crystallographic and high frequency characteristics of $Fe_{73.9}Cu_{1.0}Nb_{3.5}Si_{14.0}B_{7.6}$ soft magnetic alloys were investigated under magnetic field annealing, The crystallization fraction of annealed samples with longitudinal magnetic fields is higher than that of samples without magnetic field. When the transverse magnetic field is applied, the crystallization fraction does not increases but decreases until $500^{circ}C$. It is found that for samples, the saturation induction are all same with 1.3 T. The coercive field of as-cast samples is 1.03 A/cm, but in annealed samples it decrease from 0.56 to 0.1A/cm with increasing annealing temperature from 400 to $550^{circ}C$. The squareness of annealed samples under transverse magnetic field has a small value than that of both without field and with longitudinal field annealing. It is noted that the magnetic field annealing with transverse direction to amorphous $Fe_{73.9}Cu_{1.0}Nb_{3.5}Si_{14.0}B_{7.6}$ profoundly influenced on the Mossbauer spectra in contrast to that with longitudinal direction and without magnetic field.
The amorphous Co-based magnetic films have a large saturation flux density, a low coercive force, and a zero magnetostriction constant. Therefore, they have been studied for application to magnetic recoding heads and micro magnetic devices. However, it was found that the magnetic anisotropy was changed for each film fabrication processes. In this study, we investigated how to control the anisotropy of sputtered amorphous $Co_{89}Nb{8.5}Zr{2.5}$ films. After deposition, the rotational field annealing ant the uniaxial field annealing were performed under the magnetic field of 1.5 kOe. the annealing was done at the temperature range from 400 to $600^{\circ}C$ for one hour. As-deposited amorphous $Co_{89}Nb{8.5}Zr{2.5}$ thin film had saturation magnetization ($4\piM_5$) of 0.8 T, coercive force($_IH_C$) of 1.5 Oe, and anisotropy field($H_k$) of 11 Oe. The amorphous $Co_{89}Nb{8.5}Zr{2.5}$ thin films annealed by rotational field annealing at $500^{\circ}C$ for one hour was found to be isotropy, and $4\piM_5$ of 0.9 T was obtained from these films, Also, the magnetic anisotropy of as-deposited films could be controlled by uniaxial field annealing at $400^{\circ}C$ for one hour. Anisotropy field($H_k$) of 17 Oe and $4\piM_5$ of 1.0 T were obtained by this method.
Transverse magnetic field annealing (TFA) was carried out on $Fe_{73.5}Cu_1Nb_3Si_{15.5}B_7$ nano-crystalline magnetic core with the aim at decreasing coercivity ($H_c$) while keeping high inductance ($L_s$). The magnetic field generated by direct current (DC) was applied on the magnetic core during different selected annealing stages and it was proved that the nanocrystalline magnetic core achieved lowest $H_c$ when applying transverse field during the whole annealing process (TFA1). Although the microstructure and crystallization degree of the nanocrystalline magnetic core exhibited no obvious difference after TFA1 compared to no field annealing, the TFA1 sample showed a more uniform nanostructure with a smaller mean square deviation of grain size distribution. $H_c$ of the nanocrystalline magnetic core annealed under TFA1 decreased along with the increasing magnetic field. As a result, the certain size nanocrystalline magnetic core with low $H_c$ of 0.6 A/m, low core loss (W at 20 kHz) of 1.6 W/kg under flux density of 0.2 T and high $L_s$ of $13.8{\mu}H$ were obtained after TFA1 with the DC intensity of 140 A. The combination of high $L_s$ with excellent magnetic properties promised this nanocrystalline alloy an outstanding economical application in high frequency transformers.
A magnetic field annealing is firstly used for nanostructured Sm-Co/Co films, prepared by magnetron sputtering method. The effects of magnetic field annealing on single-layered Sm-Co films are different from those on multi-layered Sm-Co/Co films. A detailed analysis of microstructures and magnetic properties is made by means of HRTEM, Auger electron spectroscopy, XRD and Physical Property Measurement System (PPMS). From magnetic properties and microstructure analysis, it was confirmed that these differences originate from the effects of magnetic field annealing on crystallization behavior of the films. The relationship between magnetic properties and microstructures explains a different demagnetization process of single-layered and multilayered films. For the single-layered Sm-Co films, magnetic-field-annealing makes the main phases change from $CaCu_5/ to Zn_2Th_{17}$ structure, resulting in a decrease of coercivity. The results show that the magnetic-field-annealing is useful to improve the properties of nanostructured Sm-Co(30 nm)/Co(10 nm) films, which ascribe to improving the pinning effectiveness in coercivity mechanism and decreasing the magnetostatic interaction of films. A very high coercivity about 0.7 T was obtained from nanoscaled multi-layered Sm-Co(30 nm)-/Co(10 nm) films.
본 연구에서는 2쌍의 헬름홀쯔코일을 사용하여 비본형 시편의 종방향 및 횡방향으로 자기장 을 인가한 상태에서 열처리한 Co-계 비정질 합금 VITROVAC 6030의 보자력 노이즈를 측정하였다. 시편의 종방향 및 횡방향으로 dc 자기장을 인가한 상태에서 열처리한 시편의 경우, 보자력노이즈는 자화주파수 가 1~100 kHz 범위에서 거의 변화하지 않았으며, 시편의 종방향으로 ac 자기장을 횡방향으로는 dc자기 장을 인가한 상태에서 열처리한 시편의 경우의 보자력 노이즈는 자화주파수의 거듭제곱으로 감소하는 경 향을 보였다. 또한 자구핵형성이 일어날 경우 보자력 노이즈는 크게 증가하며 자화주파수의 거듭제곱으 로 감소하는 경향을 보였다.
In this thesis, we measured the Barkhausen effect of CoFeSiB amorphous ribbon and then investigated its possibility to be used as a sensor material. We used a sample of composition $($Fe_{0.06}$$Co_{0.94}$)_${0.79}$$Si_{2.1}$$B_{18.9}$ with a thickness 12[pm1, width 2.5[rnml and length 5[cm], which was fabricated by a single roll method. In order to improve magnetic characteristics of the sample, we had carried on annealing in the magnetic field and in none magnetic field. And, experimented results to the magnetic characteristics show that the ribbon has large Barkhausen jump even in weak magnetic field below 0.5[0el. From the results, we confirmed that the sample can be used as an magnetic sensor material.
In amorphous transformer core, magnetic field annealing is required for inducing uniaxial magnetic anisotropy to circular direction of the core. Generally annealing temperature is about foot, so insulator using in solenoid bed must have a high temperature stability, mechanical strength and good machinability. In this study, we made the magnetic field annealing apparatus using insulators, conductors, connectors and power supply. And then tested the apparatus in annealing process of 50 kVA amorphous transformers.
가스분무법으로 만든 MPP 압분자심을 무자장 및 자장중에서 열처리한 후 냉각속도를 달리할 때 얻어지는 자기적 특성의 변화를 조사하였다. 무자장중에서 열처리시 냉각속도가 증가하면 교류투자율 및 자심손실이 감소하였으며, 이는 각각 빠른 냉각속도에서의 불균일한 내부음력의 발생과 이상 와전류손실의 감소에 기인하는 것으로 해석되었다. 한편 MPP 압분체를 무자장 열처리 후 냉각속도를 달리하여도 Ni-Fe 합금에서 전형적으로 나타나는 규칙상의 형성에 따른 자기적 특성의 변화는 보이지 않았으나, 느린 냉각속도의 조건하에서 자장열처리를 하면 용이하게 구성원자의 방향성 규칙화에 의해 유도자기이방성이 생성되며 상당한 투자율 및 자심손실의 변화가 얻어지는 것으로 관찰되었다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제8권1호
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pp.32-35
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2007
In this article, a novel annealing technique using alternating magnetic field (AMF) is adopted to improve the electrical characteristics of pentacene film, thereby enhancing the performance of pentacene-based organic thin film transistors (OTFTs). According to the investigation results, the electrical conductivity in the pentacene film could be increased from 0.32 to 1.18 S/cm by annealing the pentacene film using AMF. And also, OTFTs with the pentacene film annealed by AMF exhibited an improved performance compared to the device without annealing. These results suggest that an annealing using AMF can be an effective method to improve the performance of devices based on organic semiconductors.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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