• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제53권4호
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• pp.187-191
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• 2004

In this work, we used the PCID simulator for simulation of solar cell and examined the effect of front-back surface recombination velocity, minority carrier diffusion length, junction depth and emitter sheet-resistance. As the effect of base thickness, the efficiency decreased by the increase in series resistance with the increase of the thickness and found decrease in efficiency by decrease of the current as the effect of the recombination. Also, as the effect of base resistivity, the efficiency increased somewhat with the decrease in resistivity, but when the resistivity exceeded certain value, the efficiency decreased as a increase in the recombination ratio. The optimum efficiency was obtained at the resistivity 0.5 $\Omega$-cm, and thickness $100\mu\textrm{m}$. We have successfully achieved 10.8% and 13.7% efficiency large area($103mm{\times}103mm$) mono-crystalline silicon solar cells without and with PECVD silicon nitride antireflection coating.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.284-285
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• 2006

In this study, multilayer structured ultrasonic linear motor was designed and simulated using ANSYS of finite element method simulator for investigating the optimum conditions of it. The ultrasonic linear motor studied in this paper designed using the 1st longitudinal($L_1$) and 4th bending vibration($B_4$). The driving voltage of the motor was very low as $V_1=5\sqrt{2}sinwt$ and $V_2=5\sqrt{2}coswt$. With the increase of the number of piezoelectric ceramic layers, displacement of node was increased. Maximum z displacement of node was about $12{\mu}m$ at the 18 layered ultrasonic motor.

• 한국화재소방학회:학술대회논문집
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• 한국화재소방학회 2010년도 추계학술발표회 자료집
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• pp.195-198
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• 2010

가상환경에서 화재를 재현, 체험 및 소방훈련을 수행할 수 있는 실감영상기반 소방안전 대응 훈련 시뮬레이터 개발하고자 한다. 이를 위해 소방훈련 시뮬레이터를 설계하고, 대상 화재 공간을 가상현실에 구현하였으며 화재 대응 시나리오 지침을 마련한 후 화재시나리오에 따른 화재시뮬레이션을 수행하였다. 또한 전산해석 결과를 토대로 한 화재상황을 가상공간 구현하는 시스템을 구축하였다. 팀 훈련이 가능하도록 하는 팀 훈련 모듈과 열기를 체험할 수 있는 물리 체험모듈을 장착하여 모듈을 추가하여 6팀이 고층 빌딩 및 지하역사에서 소방안전 팀 대응 훈련을 할 수 있는 소방안전 대응 시뮬레이터 시스템을 개발하였다.

• 한국자기학회지
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• 제5권5호
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• pp.828-832
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• 1995

This paper describes the efficient design, analysis method and experimental verification of capacitor discharge impulse magnetizer system. A capacitor discharge magnetizer system is used to produce a high current impulse of short duration in this magnetizing fixture. The parasitic resistance and parasitic inductance of the capacitor discharge impulse magnetizer system have been estimated using known air-core test coil. Finite element analysis (using MAXWELL 2-D field simulator) and magnetizing circuit analysis (using SPICE) are also used as part of the design and analysis process of the capacitor discharge impulse magnetizer system. Application study for a magnetizing fixture design is shown. 8-pole magnetizing fixture has been designed and analyzed using finite element analysis. The fixture design for 8-pole magnet are presented along with the experimental results. The experimental results have been achieved using a high-voltage, high-energy capacitor discharge impulse magnetizer and 8-pole iron core fixtures (charging voltage : 2000[V], capacitor bank : 4000[$\mu\textrm{F}$]).

• 융합신호처리학회 학술대회논문집
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• 한국신호처리시스템학회 2000년도 하계종합학술대회논문집
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• pp.69-72
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• 2000

Multilevel modulation schemes are known to be highly bandwidth efficient. By varying modulation level adaptively according to channel conditions (i.e. adaptive QAM schemes or AQAM), high bandwidth efficiency can be achieved. This paper considers the effect of time delay on the adaptive QAM schemes in dispersive fading channels. In order to undertake investigations effectively, a simulator has been developed. The simulation results show that the BER performance obtained for the wideband channel with a delay spread of 0.75 $\mu$sec is better than 10$^{-4}$ with a SNR value of 40 ㏈ and ABPS is found to be approximately 5.5.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.131-131
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• 2009

Silicon Carbide (SiC) is a material with a wide bandgap (3.26eV), a high critical electric field (~2.3MV/cm), a and a high bulk electron mobility ($\sim900cm^2/Vs$). These electronic properties allow high breakdown voltage, high-speed switching capability, and high temperature operation compared to Si devices. Although various SiC DMOSFET structures have been reported so far for optimizing performances, the effect of channel dimension on the switching performance of SiC DMOSFETs has not been extensively examined. This paper studies different channel dimensons ($L_{CH}$ : $0.5{\mu}m$, $1\;{\mu}m$, $1.5\;{\mu}m$) and their effect on the the device transient characteristics. The key design parameters for SiC DMOSFETs have been optimized and a physics-based two-dimensional (2-D) mixed device and circuit simulator by Silvaco Inc. has been used to understand the relationship. with the switching characteristics. To investigate transient characteristic of the device, mixed-mode simulation has been performed, where the solution of the basic transport equations for the 2-D device structures is directly embedded into the solution procedure for the circuit equations. We observe an increase in the turn-on and turn-off time with increasing the channel length. The switching time in 4H-SiC DMOSFETs have been found to be seriously affected by the various intrinsic parasitic components, such as gate-source capacitance and channel resistance. The intrinsic parasitic components relate to the delay time required for the carrier transit from source to drain. Therefore, improvement of switching speed in 4H-SiC DMOSFETs is essential to reduce the gate-source capacitance and channel resistance.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권10호
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• pp.817-821
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• 2011

We have proposed an optical thin film and micro lens to improve the luminance of organic light emitting device. The first method, optical thin film was calculated refractive index of dielectric layer material that was modulated refractive index of organic material, ITO (indium tin oxide)and glass. The second method, microlens was applied with lenses on the organic device. Optical thin films were designed with Macleod Simulator and Micro Lenses were calculated by FDTD (finite-difference time-domain) solution. The structure of thin film was designed in organic material/ITO/dielectric layer/glass. The lenses size, height and distance were 5 ${\mu}m$, 1 ${\mu}m$, 1 ${\mu}m$, respectively. The material of micro lenses used silicon dioxide. Result, The highest luminance of OLED which applied with microlens was 11,185 $cd/m^2$, when approval voltage was 14.5 V, applied thin film was 5,857 $cd/m^2$. The device efficiency applying microlens increased 3 times than the device which does not apply microlens.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권5호
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• pp.23-36
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• 2004

밀리미터파 대역용 고속 HEMT 소자 제작 및 개발을 위하여 0.l㎛ 이하의 T-게이트 길이를 형성하기 위한 전자빔 리소그래피 공정을 분석할 수 있는 새로운 몬테 카를로 시뮬레이터를 개발하였다. 전자빔에 의한 노광 공정 모델링을 위해 전자산란에 대한 몬데 카를로 시뮬레이션에서 다층 리지스트 및 다원자 타겟 기판 구조에서 리지스트에 전이되는 에너지를 효율적으로 계산하도록 내부 쉘 전자 산란과 에너지 손실에 대해 새로이 모델링하였다. 다층 리지스트 구조에서 T-게이트 형상을 얻기 위해서 보통은 재현성 문제로 각 리지스트에 대해 각기 다른 현상액을 사용하게 되는데, 3층 리지스트 구조에서의 전자빔 리소그래피 공정을 정확하게 시뮬레이션하기 위해 각기 다른 현상 모델을 적용하였다. 본 논문에서 제안 개발된 모델을 사용하여 HEMT 소자의 전자빔 리소그래피에 의한 0.l㎛ T-게이트 형성 공정을 시뮬레이션하고 SEM 측정 결과와 비교하여 T-게이트 형성 공정을 분석하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제9권2호
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• pp.307-315
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• 2005

대역통과용 표면 탄성파 필터 제작하기 위하여 Langasite 기판위에 빗살무의 변환기를 형성시켜 모의실험을 수행하였으며, 전극재료로는 Al-Cu를 사용하였다 모의실험을 바탕으로 입력단에는 IDT를 직렬형태로 연결시킨 block 형태로 하중을 가하는 전극 방법을 쓰고 출력단은 withdrawal 형태로 하중을 가하는 방법을 써서 제작하였다 이를 바탕으로 광대역의 SAW 필터 전극 설계 방식에 대한 적절한 위상조건도 얻고자 시도하였다. Langasite 기판위에 형성시킨 입출력 빗살무늬 변환기 전극 수는 50쌍, 두께는 5000$\AA$ 으로 하였으며, 반사기 폭은 3.6$mu$m으로 하였다. 제작한 필터의 주파수 특성은 중심주파수가 대략 190MHz정도, 대역폭은 8.2MHz 정도로 측정되었으며, matching 후 return-loss는 -l6dB 이하이고, 리플 특성은 4dB 정도이며, 반사에 의한 잔향은 -l8dB 이하로 측정되었다.

• 전자공학회논문지C
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• 제36C권2호
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• pp.26-36
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• 1999

본 논문에서는 ATM을 기반으로 구축된 망에서 다양한 서비서 품질(QoS : quality of service)을 가진 데이터를 셀 손실이나 셀 지연의 관점에서 적절한 처리를 수행함으로써 망 자원을 최대한 활용하고 보다 신뢰성 있는 서비스를 제공하기 위하여 OAM 성능관리 기능의 개선 방안을 제안하였다. 또한, 수시로 변화하는 망의 성능정보를 주기적으로 검출함으로써 융통성과 정밀한 제어가 요구되는 망사이의 연관제어 및 운용, 관리기술을 향상시킬 수 있도록 OAM 셀에 특별 셀 영역을 정의하였다. 제안된 OAM 기능과 셀의 입 . 출력 기능, 메모리나 CPU 같은 주변 소자와의 인터페이스 기능 등을 ASIC으로 설계하였다. 설계된 Chip은 Cadence의 Verilog-XL 시뮬레이터를 이용하여 Back-end 시뮬레이션을 수행한 결과 $2{\mu}s$내에 정확한 제어를 수행하였다.