저압 유기금속 화학증착법을 이용한 InP 기판에 격자 일치된 $In_{0.53}Ga_{0.47}As$ 에피층의 성장
(Growth of $In_{0.53}Ga_{0.47}As$ Iattice matched to Inp substrate by low pressure metalorganic chemical vapor deposition)
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- 한국진공학회지
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- 제5권3호
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- pp.206-212
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- 1996