• Current Applied Physics
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• 제18권11호
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• pp.1190-1195
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• 2018

By employing soft X-ray magnetic circular dichroism (XMCD), soft X-ray absorption spectroscopy (XAS), and photoemission spectroscopy (PES), we have investigated the electronic structure of the candidate zero-moment half-metallic $Mn_3Ga$. We have studied the ball-milled and annealed $Mn_3Ga$ powder samples that exhibit nearly zero magnetization. Mn 2p XAS revealed that Mn ions in $Mn_3Ga$ are nearly divalent for both of the Mn ions having the locally octahedral symmetry and those having the locally tetrahedral symmetry. The measured Mn 2p XMCD spectrum of $Mn_3Ga$ is very similar to that of ferrimagnetic $MnFe_2O_4$ having divalent Mn ions. The sum-rule analysis of the Mn 2p XMCD spectrum shows that both the spin and orbital magnetic moments of Mn ions in $Mn_3Ga$ are negligibly small, in agreement with the nearly compensated-ferrimagnetic ground state of $Mn_3Ga$. The valence-band PES spectrum of $Mn_3Ga$ agrees well with the calculated density of states, supporting the half-metallic electronic structure of $Mn_3Ga$.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2003년도 하계학술연구발표회 및 한.일 공동심포지엄
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• pp.130-131
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• 2003

Mn 합금형태의 반강자성체 물질인 IrMn은 열처리 전과 후에 교환결합세기를 400 Oe 이상 쉽게 얻을 수 있다. IrMn 스핀밸브나 터널링 접합 소자는 높은 교환 결합세기와 우수한 열적안정성으로 인하여 자기센서로서 실용화하기에 이르렀다. Mn이 계면의 이웃층으로 확산이 왕성하므로 자성층의 종류에 따라 교환결합세기의 변화에 심각한 영향을 주게 된다. 더욱이 열처리시에 일어나는 Mn 확산 및 이동을 통해 이웃층의 계면 손상과 자기 수송 특성을 완화 내지 손상시키는 중요한 요인으로 밝혀져 있다. 열처리 전과 후에 따른 자기적 특성의 변화가 비교적 큰 IrMn에서 Mn 성분에 따른 fcc 결정성 및 교환결합세기의 변화를 상세히 관찰함으로서 Mn 확산에 의한 반자성층의 Mn 결핍 또는 상변화를 극-초박막 Mn층 삽입으로 보상효과를 이용하여 교환결합세기 강화 및 열적안정성을 향상시킨 실험결과를 소개한다.

• 공업화학
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• 제33권3호
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• pp.328-334
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• 2022

For the study of environmental application of natural zeolites (NZ) and red mud (RM), which are discharged from various industrial fields, the catalytic ozonation of 2-butaone (methyl ethyl ketone, MEK) was performed using the Mn-loaded NZ prepared according to the Mn content of 1, 3, 5, 7, and 10 wt%. By the addition of Mn to NZ, the BET (Brunaure-Emmett-Teller) specific surface area of Mn/NZ catalysts decreased while the ratio of Mn³⁺/[Mn³⁺+Mn⁴⁺] intensively increased. Besides, the addition of Mn component to NZ increased the ratio of adsorbed oxygen (O_adsorbed) toward lattice oxygen (O_lattice), O_adsorbed/O_lattice from 0.076 of NZ to 0.465 of 10 wt% Mn/NZ according to the amount of Mn. It is known that the proportion of two species, Mn³⁺ and O_adsorbed, would greatly affect the catalytic activity. However, the balancing between the paired species, Mn³⁺ vs. Mn⁴⁺ and O_adsorbed vs. O_lattice might be more essential for the catalytic ozonation of MEK at room temperature. Among the Mn-loaded NZ catalysts, the 3 wt% Mn/NZ showed the best activity for the removal of MEK and ozone. The 5, 7, and 10 wt% Mn/NZ catalysts are slightly inferior to the 3 wt% Mn/NZ. Compared to the pristine NZ, the Mn/NZ catalysts showed better activity for the catalytic ozonation of MEK. In addition, the 3 wt% Mn/NZ was confirmed to have the most available acid sites among them by the analysis of NH₃-TPD (temperature programmed desorption). This might be the major reason for the best catalytic activity of 3 wt% Mn/NZ together with the adjusted distribution ratios of Mn³⁺/Mn⁴⁺ and O_adsorbed/O_lattice. Considering the result of 3 wt% Mn/NZ, the 3 wt% Mn/RM was prepared to perform the catalytic activity for the removal of MEK and ozone, but the efficiency of 3 wt% Mn/RM was significantly lower than that of the 3 wt% Mn/NZ.

• 한국재료학회지
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• 제22권8호
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• pp.385-389
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• 2012

Significant improvements in the switching voltage distribution are required for the development of unipolar resistive memory devices using $MnO_x$ thin films. The $V_{set}$ of the as-grown $MnO_x$ film ranged from 1 to 6.2 V, whereas the $V_{set}$ of the oxygen-annealed film ranged from 2.3 to 3 V. An excess of oxygen in an $MnO_x$ film leads to an increase in $Mn^{4+}$ content at the $MnO_x$ film surface with a subsequent change in the $Mn^{4+}/Mn^{3+}$ ratio at the surface. This was attributed to the change in $Mn^{4+}/Mn^{3+}$ ratios at the $MnO_x$ surface and to grain growth. Oxygen annealing is a possible solution for improving the switching voltage distribution of $MnO_x$ thin films. In addition, crystalline $MnO_x$ can help stabilize the $V_{set}$ and $V_{reset}$ distribution in memory switching in a Ti/$MnO_x$/Pt structure. The improved uniformity was attributed not only to the change of the crystallinity but also to the redox reaction at the interface between Ti and $MnO_x$.

• 분석과학
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• 제7권4호
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• pp.517-526
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• 1994

Mn의 함량을 달리하여 제조한 Al-Li-Cu-Mg-Mn-Zr 합금의 미고용상 및 분산상을 EPMA(Electron Probe Microanalyzer)와 SAEM(Scanning Auger Electron Microscope)으로 분석하였다. 또한 미고용상의 부피 분율, 분포 및 형태를 광학현미경으로 관찰하였으며, 상온과 고온에서의 인장 특성을 조사하였다. Mn의 함량이 증가함에 따라 미고용상의 부피분율을 급격히 증가하고 연신율을 감소하였다. Mn은 기지 조직의 결정립을 미세하고 균일하게 분포하도록 하였다. 인장시험 결과, 0.44 wt% Mn이 첨가된 합금이 다른 합금보다 우수한 기계적 특성을 나타내었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제27권7호
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• pp.443-447
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• 2014

ZnO crystals with different morphologies were synthesized through a thermal evaporation of Zn-Mn mixtures in air. The morphology was dependant on the Mn content in Zn-Mn mixture. The morphology was changed from rod to tetrapod shape with decreasing Mn content in Zn-Mn mixture. The result indicates that the concentration of Mn might be responsible for the different morphologies of ZnO crystals. XRD spectra showed that the ZnO crystals had a hexagonal wurtzite crystal strutures. For all the samples, room temperature cathodoluminescence spectra showed a ultra-violet emission at 380 nm and a green emission at around 500 nm. However, the intensity ratio of ultra-violet emission to green emission was significantly different with the Mn content in the source material.

• 한국분말재료학회지
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• 제5권1호
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• pp.35-41
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• 1998

The effect of Mn on the densification and the microstructural change in W heavy alley was investigated with adopting the improved Mn-adding method. In order to avoid the pore formation problems associated with Mn powder mixing to the other constituent powders, Mn was added afterwards to the sintered heavy alloy; Mn powder was spread homogeneously on the surface of the sintered heavy alloy compact, and this Mn powder contained specimen was resintered at the same sintering temperature. As expected, the resintered specimen showed the pore free microstructure because Mn was reduced separately from the other constituent elements. It was also founded that W grains grew rapidly at the initial stage of resintering treatment due to the activated reprecipitation of the excess W atoms substituted by Mn atoms, but the growth rate of W grains was slowly lowered with the prolonged sintering time, especially, compared to the Mn free heavy alloy. Such a retardation of grain growth should be attributed to the decreased W solubility in the Mn contented matrix phase. Furthermore, Mn addition resulted in the decrease of contiguity by improving the wetting between matrix phase and W grain.

• 한국결정성장학회지
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• 제21권6호
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• pp.246-252
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• 2011

반도성 $MnSi_{1.73}$ 화합물은 고온 특성이 우수하고 뛰어난 내산화성을 가진 열전재료로서 알려져 있다. 본 연구에서는 순 Mn 및 Si 분말재료를 출발 원료로 기계적 합금화법(MA)을 적용하여 $MnSi_{1.73}$ 화합물 합성을 실시하였다. MA 처리는 P-5 유성형 볼밀장치를 이용하여 Ar 중에서 행하였다. MA 분말재료의 X선 회절, 열분석 및 전자현미경 분석을 통하여 고상반응을 관찰하였다. MA 공정 중 Si의 손실을 고려하여 화학양론 조성에서 Si 양을 증가시켜 $MnSi_{1.73}$ 화합물 합성을 시도하였다. 그 결과 $MnSi_{1.73}$ 화합물 단상은 $MnSi_{1.88}$ 조성의 혼합 분말을 200시간 볼밀 처리함으로써 얻을 수 있었다. 또한 200시간 볼밀 처리에 의하여 제조된 $MnSi_{1.73}$ 화합물의 평균결정립 크기는 40 nm 임을 X 선 회절피크의 Hall plot으로 부터 알 수 있었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제10권1호
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• pp.36-41
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• 2000

본 실험에서는 D.C magnetron sputtering을 사용하여 Ni-Fe/Co-Fe/Mn-Ir/Cu/buffer/Si 다층박막의 교환이방성에 관하여 연구하였다. 일반적인 Ni-Fe/Mn-Ir/buffer(Cu)/Si의 다층박막 구조는 낮은 교환결합 자계에 의하여 강자성체를 완전히 고착시키지 못한다. 따라서 Ni-Fe/Mn-Ir/buffer/Si 다층박막의 $H_{ex}$를 증가시키기 위해 하지층으로 Cu/Ta을 사용하여 Mn-Ir막의 결정립 부피를 증가시키고 Ni-Fe.Mn-Ir계면에 Co-Fe을 삽입하여 반강자성체/강자성체 계면에서의 epitaxy 경향을 향상시켜 2배 이상의 $H_{ex}$의 증가를 얻을 수 있었다. 또한 ferromagnete/Mn-Ir/buffer/Si의 다층박막 구조에서는 Mn-Ir거 두께에 따른 He일 변화 거동은 Mn-Ir/ferromagnete/buffer/Si다층박막구조와는 다른데 이와 같은 이유는 적층순서에 따라서 반강자성체 결정립의 부피분포와 계면에서의 교환결합 에너지가 차이가 나기 때문인 것으로 사료된다.

• 한국자기학회지
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• 제14권6호
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• pp.213-218
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• 2004

MBE장비를 이용하여 Mn과 Be nux의 변화를 주면서 Be-codoped GaMnAs를 성장시켰다. Mn flux의 범위는 고용체 특성의 GaMnAs에서, 과도한 nux에 의해 이차상이 형성된 상태까지 변화를 주면서 성장시켰다. Be병행 도핑 효과 연구를 위해 두 가지의 Be flux에서 박막을 성장하여 박막의 특성 변화를 관찰하였다. 과도한 Be도핑을 통해 금속성의 전도를 가지는 상태와, 상대적으로 적은 양의 도핑을 통해 캐리어의 수는 증가하였으나 반도체 전도를 보이는 상태이다. 적은 양의 Be이 병행 도핑된 GaMnAs의 경우, 상온에서 강자성 특성을 보였으나, 이차상 형성에 의한 전기 비저항의 증가와 작은 자기저항에 의해 자기 수송특성을 관찰하지 못했다. 그러나 많은 Be도핑에 의해 금속 거동을 보이는 경우에는 많은 수의 캐리어와 전기 전도토의 증가로 인해 자기 수송 특성을 관찰할 수 있었다. Be병행 도핑은 GaAs 기지 내에 효과적으로 캐리어를 공급하고, 이차상 MnAs 뿐만 아니라 MnGa의 형성을 촉진하는 것으로 생각된다.