이 논문에서는 다양한 SiNx의 band gap을 이용하여 MIS 구조의 메모리 소자를 제작하고 이를 분석하였다. SiNx 박막은 증착 가스비에 따라 다양한 band gap을 가지게 된다. 본 실험에서는 $SiH_4$ 가스와 $NH_3$ 가스를 사용하여 SiNx 박막을 증착하였다. n-type 단결정 실리콘 기판위에 다양한 가스비에 따라 단일 SiNx 박막을 증착 및 분석하였고, 이를 이용하여 NNN 구조의 MIS 소자를 제작하였다. 제작된 소자는 4.6 V의 hysteresis roof 폭과 1000 초 후에 84.8 %의 retention 값을 갖는 우수한 메모리 특성을 보였다.
The purpose of this paper id to study the factors influencing MIS user satisfaction. For this purpose. I have reviewed the results of past studies on the performance factor of MIS, and introduced a new model associated with small & Medium Business. On the basis of this model, I have hypothesized that the following variables influence user satisfaction : (gender, age), individual characteristics(user attitude, training for user), managerial characteristic(top management involvement, organizational support) and task characteristics(task structure). There were 195 participants surveyed using questionnaires from 25 different small & medium Business in Pusan. The research model and associated hypotheses were tested by following statistical techniques: reliability test, regression, t-test and ANOVA. The findings of this study are follows; 1. It was found that gender and age are not correlated user satisfaction. 2. Among individual characteristics, only user attitude influence user satisfaction significantly. 3. While organizational supports influence positively user satisfaction, top management involvement do not influence it. 4. Task structure is highly correlated with user satisfaction. In spite of many factors affecting MIS success, this study did not consider all variables affect on user satisfaction. We need integrated model including more various factors.
본 논문에서는 반사방지 VF2-TrFE 박막을 이용한 MIS Solar cell을 제작하여 전기적, 구조적 특성을 평가하였다. ALD법을 이용하여 고유전율의 화학적 안정성이 우수한 산화알루미늄을 절연층으로 한 Al/Al2O3/Si(100)을 제작하였으며 cell의 효율을 향상시키기 위해 spin coating법을 이용하여 VF2-TrFE 반사방지막을 증착시켰다. 제작된 반사방지 VF2-TrFE 박막 MIS solar cell은 MIS 커패시터의 전류밀도-전계 특성, 커패시턴스-전압 특성과 반사방지막 열처리 조건에 따른 태양전지 효율을 Solar simulator 및 Quantum Efficiency system으로 측정하였다.
To investigate the mechanism generated by irradiation in the insulator layer irradiated MIS (Metal - Insulator - Semiconductor) device, the various types of MIS capacitors depending on insulator thickness, insulator types and implanted impurities are fabricated on the P-type wafer. MIS capacitors exposed by 1Mrad Co$^{60}$ .gamma.-ray are measured for flat band voltage and charge density shifts pre- and post-irradiation. The measuring results of post-irradiation show the flat band voltage shifting toward negative direction and charge density increasing regardless of parameters. This results have a good agreement with calculated data by computer simulation. Si$_{3}$N$_{4}$ layers have a good radiation-hardness than SiO$_{2}$ layers compared to the results of post-irradiation. Also, radiation-induced negative trap is discovered in the implanted insulator layer. Using numerical analysis, four continuty equations (conduction-band electrons continuity equation, valence-band holes continuity equation, trapped electrons continuity equation, trapped holes continuity equation) are solved and charge distributions according to the distance and Si-Insulator interface states are investigated.
본 연구에서는 산재되어 있는 부산항 입출항 선박의 개별 활동도(정박 접안 특성) 및 선박제원 정보를 기존 항만운영정보시스템(PORT-MIS) DB에 연계 구축하기 위한 방법론을 제시하고, 연계 구축된 3가지 DB를 이용하여 18개월(2009.01~2010.06) 동안 부산항에 입출항한 선박의 온실가스 배출량을 산정하여 그 결과를 비교 분석하였다. 본 연구에서는 선박의 기본 활동도 변수만을 포함하고 있는 저해상도의 L-PORT-MIS DB에 각 선박의 정박시간 자료를 추가하여 중해상도의 M-PORT-MIS DB를 연계 구축하였으며, 각 선박의 온실가스 배출량에 직접적인 영향을 주는 엔진출력 등과 같은 선박제원 정보를 연계시켜 고해상도의 H-PORT-MIS DB를 구축하였다. 각 활동도 DB를 이용한 선박의 온실가스 배출량 산정결과, 선박 활동도의 해상도가 높아질수록 총 온실가스 배출량은 감소하는 것으로 분석되었다. 구체적으로 저해상도 및 중해상도의 선박 활동도 자료를 이용할 경우에는 과거에 집계화된 정박 및 접안 특성에 의존하여 온실가스 배출량이 과다 산정되는 반면, 고해상도의 선박 활동도 자료를 이용할 경우에는 각 선박의 개별 접안 정박 특성과 엔진출력이 고려되는바 H-PORT-MIS DB를 이용한 선박의 온실가스 배출량은 보다 신뢰성 높은 추정치로 판단된다. 이처럼 부산항을 입출항하는 개별 선박의 특성을 반영하여 온실가스 배출량을 산정했을 경우 그 추정치는 기존 추정치와 매우 달라질 수 있어 실효성 있는 온실가스 저감대책 수립을 위해서는 본 연구에서 제안한 DB의 연계 구축이 시급하다.
$Al_2O_3$ thin films were deposited on GaN (0001) by remote plasma atomic layer deposition (RPALD) technique using trimethylaluminum (TMA) precursor and oxygen radicals in the temperature range of 25 ~ $500^{\circ}C$. Growth rate per cycle was varied with substrate temperature from 1.8 $\breve{A}$/ cycle at $25^{\circ}C$ to 0.8 $\breve{A}$/cycle at $500^{\circ}C$. The chemical structure of the $Al_2O_3$ thin films was studied using X-ray photo electron spectroscopy (XPS). Excellent electrical properties of $Al_2O_3$/GaN MIS capacitor were grown at $300^{\circ}C$ process temperature.
Park, Ki-Yeol;Cho, Hyun-Ick;Lee, Eun-Jin;Hahm, Sung-Ho;Lee, Jung-Hee
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제5권2호
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pp.107-112
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2005
We present an AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor-heterostructure field effect transistor (MIS-HFET) with an $Al_2O_3-HfO_2$ laminated high-k dielectric, deposited by plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD). Based on capacitance-voltage measurements, the dielectric constant of the deposited $Al_2O_3-HfO_2$ laminated layer was estimated to be as high as 15. The fabricated MIS-HFET with a gate length of 102 m exhibited a maximum drain current of 500 mA/mm and maximum tr-ansconductance of 125 mS/mm. The gate leakage current was at least 4 orders of magnitude lower than that of the reference HFET. The pulsed current-voltage curve revealed that the $Al_2O_3-HfO_2$ laminated dielectric effectively passivated the surface of the device.
Coplanar-type MIS transmission lines have been simulated using FDTD method and compared with the measured results and the simulated results of the reference paper[3]. We can confirm that our simulation results are similar to measured results compared to the previous simulated results of the reference paper. Moreover, variations of characteristic impedance by insulator thickness are calculated for the insulator thickness of 0.0,0.5 and 1.0$\mu\textrm{m}$.
The pollen analysis on the deposits of the lower marine terrace I of the estimated paleoshoreline height of 18m was performed in order to estimate the formation age of this terrace developed at the Sanha-dong coast, Ulsan, southeastern coast of the Korean peninsula. The pollen assemblage of the peat layer of SH-1 pollen zone (Quercus-Ulmus/Zelkova zone), lying directly on the marine rounded pebble layer of this terrace, shows that the climatic environment of the deposition period of SH-1 pollen zone was almost similar to that of the Postglacial climatic optimum period, but slightly cooler than that of the late warm stage of Last Interglacial(MIS 5a) in the eastern coast of Korea. This heightens the possibility that the deposition period of the marine rounded pebble layer which was covered by the above SH-1 peat layer is the MIS 5e which has been estimated by a previous study of the sedimentary facies of this terrace deposits (Choi, 2016). The pollen assemblage of SH-2 pollen zone (Pinus-Quercus zone) shows that the climate of this period was almost similar to that of the late Postglacial, but slightly cooler than that of the period of SH-1 pollen zone. This means that the climate around the Sanha-dong was still warmer in the deposition period of the peat layer of SH-2 pollen zone. Thus, the peat layer of SH-2 pollen zone was considered to have been deposited during the period from the early regression stage of the MIS 5d which is the estimated final stage in the deposition period of the above peat layer of SH-1 pollen zone to any stage in which the warmer environment of MIS 5 has still lasted. The humic silt layer of SH-3 pollen zone (Pinus-Ulmus/Zelkova-Abies zone) is assumed to have been deposited during the interstadial of the Last Glacial (MIS 3).
이 논문에서는 경주시 양남면에 분포하는 해발고도 약 45 m의 수렴단층 노두 해안단구 퇴적층의 형성시기를 추정하기 위하여, 퇴적층을 구성하고 있는 석영에 대한 단일입자 OSL(Single Grain Optically Stimulated Luminescence) 연대측정을 실시하였다. 실험에 사용된 총 1200개의 석영입자 중, 93개의 입자가 연대측정에 적합한 OSL 신호특성을 보였으며, 이들의 등가선량은 50-610 Gy까지 넓은 분포를 보인다. 이 자료를 중심연대모델(Central Age Model)과 최소연대모델(Minimum Age Model)을 이용하여 분석하면, 각각 $83{\pm}4ka$와 $60^{+3}{_{-7}}ka$의 연대가 도출되지만, 이들 연대는 MIS 5a시기로 보고된 기존의 제2해안단구의 OSL 연대와 층서적으로 불일치한다. 단일입자 OSL 분석결과들을 혼합연대모델(Finite Mixture Model)에 적용하면, 분석된 입자들 중 $6{\pm}4%$의 석영입자가 MIS 7의 퇴적시기 $194{\pm}24ka$)를 지시함을 알 수 있다. 결론적으로, 수렴단층 노두 해안단구 퇴적층이 MIS 7 시기에 형성되었을 가능성을 배제할 수 없으며, 이 퇴적층은 일반적으로 적용되는 다입자 OSL(multiple grain OSL) 연대측정법을 적용하기에 적합하지 않은 시료로 판단된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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