High crystalline nonpolar a-plane (11-20) nitride light emitting diodes (LEDs) have been fabricated on r-plane (1-102) sapphire substrates by metalorganic chemical-vapor deposition (MOCVD). The multi-quantum wells (MQWs) active region is consists of 4 periods the nonpolar a-plane InGaN/GaN(a-InGaN/GaN) on a high quality a-plane GaN (a-GaN) template grown by using the multibuffer layer technique. The full widths at half maximum (FWHMs) of x-ray rocking curve (XRC) obtained from phiscan of the specimen that was grown up to nonpolar a-plane GaN LED layers with double crystal x-ray diffraction. The FWHM values were decreased down to 477 arc sec for $0^{\circ}$ and 505 arc sec for $-90^{\circ}$, respectively. After fabricating a conventional lateral LED chip which size was $300{\times}600{\mu}m^2$, we measured the optical output power by on-wafer measurements. N-electrode was made with Cr/Au contact, and ITO on p-GaN was formed with Ohmic contact using Ni/Au followed by inductively coupled plasma etching for mesa isolation. The optical output power of 1.08 mW was obtained at drive current of 20 mA with the peak emission wavelength of 502 nm.
ITO(indium tin oxide)와 PSL(porous silicon layer)을 이용하여 n-ITO/p-PSL 이종접합형 광검출 소자를 실리콘 기판상에 제조하였다. 실리콘 질화막과 Ni-Cr/Au를 이용하여 선택적으로 양극반응을 시켰으며, 각 소자를 메사구조로 정의하여 소자간을 격리하였고 ITO를 이용하여 소자의 열화문제를 억제시켰다. 제조된 소자에 백색광을 $0{\sim}3000Lux$까지 변화시키면서 얻은 I-V 특성으로부터 광전류가 입사된 광량에 선형적으로 비례함을 알았다. 제조된 소자는 약 -40V의 역방향 바이어스까지 안정되게 동작하였으며 암전류 밀도가 약 $40nA/mm^{2}$로 나타났다. Xe램프를 이용하여 $400nm{\sim}1100nm$까지 파장을 변화시키면서 측정한 결과 $600nm{\sim}700nm$사이에서 약 0.6A/W의 광응답을 나타내었다. 또한 제조된 소자는 3주 경과 후에도 거의 특성의 변화가 관찰되지 않았다.
최근 도시재생에 대한 관심이 높아지면서 재건축사업, 도시환경정비사업 등과 관련된 메가프로젝트 들이 계획되거나 수행되고 있다. 메가프로젝트의 설계단계에서는 다수의 설계업체로 구성된 합동설계조직과 의사결정주체가 참여하여 지속적으로 의견을 조율한다. 현재 메가프로젝트를 진행하는 기관들은 합동설계조직으로부터 작성되는 다수의 다양한 도면들을 효율적으로 관리하기 위해 MA(Master Architect)방식을 도입하고 있다. 그러나 제한된 MA의 능력을 보완해 줄 수 있는 의사결정지원시스템의 부재로 설계일정 지연 등 여러 가지 문제가 발생하고 있다. 따라서 본 연구에서는 선행연구문헌 분석 및 모델프로젝트 선정과 해당 프로젝트 참여 전문가 면담을 통해 MA방식을 도입한 메가프젝트의 설계조직 구성과 의사결정체계의 문제점을 분석한다. 기본설계단계에서의 의사결정 특성을 도출한 후 이를 관리하기 위한 의사결정지원 모델을 구축하고 시스템 개발을 위한 사용자 인터페이스를 제안하였다.
유니버시아드 대회와 같은 대형이벤트의 성공적인 개최는 국 내외 관광객의 대량 유업효과, 개최국가와 지역의 이미지 개선효과 이외에도 대회준비를 위한 사회간접시설의 조성으로 인한 지역경제 활성화를 도모하는 등 많은 외형적인 변화를 가져온다. 이러한 관점에서 본 연구는 1997년 무주에서 개최된 동계 유니버시아드대회가 개최지역인 농 산촌지역에 끼친 파급영향을 다측면적인 관점에서 분석하기 위하여 종단적인 시간비교연구를 실증적으로 수행하였다. 그 결과 지역주민들이 지각하는 동계유니버시아드 대회의 파급영향은 개최지역의 관광산업과 지역개발분야에서는 투자효과가 큰 것으로 나타났으나, 지역경제의 활성화 측면에서는 그다지 크게 성공적이지 못한 것으로 분석되었으며, 또한 개최지역인 덕유산국립공원의 자연환경에 피해를 준 것으로 평가되었다.
A 4${\times}10^{19}cm^{3}$ carbon-doped base AlGaAs/GaAs HBY was grown using carbontetracholoride(CCl$_4$) by atmospheric pressure MOCVD. Abruptness of emitter-base junction was characterized by SIMS(secondary ion mass spectorscopy) and the doping concentration of base layer was confirmed by DXRD(double crystal X-ray diffractometry). Mesa-type HBTs were fabricated using wet etching and lift-off technique. The base sheet resistance of R$_{sheet}$=550${\Omega}$/square was measured using TLM(transmission line model) method. The fabricated transistor achieved a collector-base junction breakdown voltage of BV$_{CBO}$=25V and a critical collector current density of J$_{O}$=40kA/cm$^2$ at V$_{CE}$=2V. The 50$\times$100$\mu$$^2$ emitter transistor showed a common emitter DC current gain of h$_{FE}$=30 at a collector current density of JS1CT=5kA/cm$^2$ and a base current ideality factor of ηS1EBT=1.4. The high frequency characterization of 5$\times$50$\mu$m$^2$ emitter transistor was carried out by on-wafer S-parameter measurement at 0.1~18.1GHz. Current gain cutoff frequency of f$_{T}$=27GHz and maximum oscillation frequency of f$_{max}$=16GHz were obtained from the measured Sparameter and device parameters of small-signal lumped-element equivalent network were extracted using Libra software. The fabricated HBT was proved to be useful to high speed and power spplications.
1980년대. 동경 권에서는 공간구조 다핵화를 표방하고 지방자치단체 주도로 교외지역에 대규모 업무지구 개발에 착수하였다. 이 개발사업을 효과적으로 실현하기 위해서 지방자치단체는 장소마케팅 전략을 도입한다. 다양한 민간의 참여를 이끌어 내며, 대중성, 고유성. 중심성. 쾌적성을 장소 이미지로 설정하여 공간 인프라 구축에 반영함으로써, 기업과 소비자에게 매력있는 장소로 전환을 시도한다. 지방자치단체의 노력과 도심 입지여건 악화등의 결과 1920년대. 근대도시 동경이 성립된 이래 처음으로 교외지역에 본사기능을 비롯한 고타 업무기능이 이전하게 되었다. 아직 교외의 개발이 미완성 상태에 있으며, 재정 문제 등 어려움에 봉착해 있기는 하지만, 이 지역이 향후 지식기반경제의 거점으로서 성장할 수 있는 중요한 토대임은 분명하다.
Intracytoplasmic sperm injection(ICSI) was known as effective method in treatments of couples who unable to be helped by conventional in vitro fertilization. In 78 treatment cycles of 78 infertile couples using ICSI performed at our infertility clinic between May and August 1994 were analyzed. These patients were classified two groups, andrological factor(AF) and non-andrological factor(non-AF) group. The AF group, which had abnormal sperm physiology, included oligozoospermia, asthenozoospermia, oligoasthenoteratozoospermia(OATS) and microsurgical epididymal sperm aspiration(MESA) patients. The non-AF group, which had abnormal oocyte physiology, included abnormal zona pellucida, poor quality of oocyte and immune factor infertile patients. A single spermatozoon was injected into the ooplasm of 776 metaphase II oocytes. The fertilization rate was 44.6%(346/776) and 319 embryos were transferred. After 73 embryo transfers(93.6% of treatment cycles) 23 pregnancies were estabilshed, i. e. pregnancy rate of 29.4% per started cycle and 31.5% per embryo transfer. Fertilization rate of AF and non-AF group was 46.2% and 35.8%, pregnancy rate was 34.5%(20/58) and 20.0%(3/15), respectively. In order to increase the pregnancy rate, assisted hatching(AHA) has done after lCSl in 47 treatment cycles. Pregnancy rate of ICSI with AHA and without AHA group was 34. 0% (16/47) and 26.9%(7/26), respectively. ICSI was more effective in andrological factor infertility and the pregnancy rate was increased by ICSI with AHA procedure.
This study suggested comprehensive structural characterization methods for the commercial blue light emitting diodes(LEDs). By using the Z-contrast intensity profile of Cs-corrected high-angle annular dark field scanning transmission electron microscope(HAADF-STEM) images from a commercial lateral GaN-based blue light emitting diode, we obtained important structural information on the epilayer structure of the LED, which would have been difficult to obtain by conventional analysis. This method was simple but very powerful to obtain structural and chemical information on epi-structures in a nanometer-scale resolution. One of the examples was that we could determine whether the barrier in the multi-quantum well(MQW) was GaN or InGaN. Plan-view TEM observations were performed from the commercial blue LED to characterize the threading dislocations(TDs) and the related V-pit defects. Each TD observed in the region with the total LED epilayer structure including the MQW showed V-pit defects for almost of TDs independent of the TD types: edge-, screw-, mixed TDs. The total TD density from the region with the total LED epilayer structure including the MQW was about $3.6{\times}10^8cm^{-2}$ with a relative ratio of Edge- : Screw- :Mixed-TD portion as 80%: 7%: 13%. However, in the mesa-etched region without the MQW total TD density was about $2.5{\times}10^8cm^{-2}$ with a relative ratio of Edge- : Screw- :Mixed-TD portion of 86%: 5%: 9 %. The higher TD density in the total LED epilayer structure implied new generation of TDs mostly from the MQW region.
Taguchi가 제안한 강건설계 및 연구자의 주관에 의존하는 통상적인 실험방법을 병 행하여 CH4/H2 유도결합 고밀도 플라즈마를 이용한 InP 소재의 반응성이온에칭에 있어 공 정변수들이 식각특성에 미치는 영향을 분석하고 적정조건을 도출하였다. 연구 결과 ICP전력 은 표면거칠기와 측벽수직도, bias 전력은 식각속도와 수직도에, CH4분율은 수직도와 식각 속도, 석영창과 시료 사이의 거리는 표면 거칠기에 영향을 주는 변수로 작용하였고, 식각속 도에 가장 크게 영향을 주는 변수는 공정압력임을 알 수 있었다. 결과적으로 ICP Power 700W, bias Power 150W, 시편/coil 거리 14cm, 압력 7.5mTorr, 15% $CH_4$의 적정조건에서 시간당 약 3.1$\mu\textrm{m}$의 식각속도와 미려한 표면을 얻어, 기존의 반응성 이온 식각(RIE)과 비교하 여 1.5배 이상의 식각속도를 얻을 수 있었다.
Park, Dong-Woo;Kim, Youngsoo;Lee, Sang-Mahn;Ka, Jong-Ok;Kim, Chi-Kyung
Journal of Microbiology
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제38권4호
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pp.275-280
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2000
Pseudomonas sp. S-47 is capable of catabolizing 4-chlorobenzoate (4CBA) as rarbon and energy sources under aerobic conditions via the mesa-cleavage pathway. 4CBA-dioxygenase and 4CBA-dihydrodiol dehydrogenase (4CBA-DD) catalyzed the degradation af 4CBA to produce 4-chlorocatechol in the pathway. In this study, the xylL gene encoding 4CBA-DD was cloned from the chromosomal DNA of Pseudomonas sp. S-47 and its nucleotide sequence was analyzed. The xylL gene was found to be composed of 777 nucleotide pairs and to encode a polypeptide of 28 kDa with 258 amino acid residues. The deduced amino acid sequence of the dehydrogenase (XylL) from strain S-47 exhibited 98% and 60% homologies with these of the corresponding enzymes, Pseudomonas putida mt-2 (XyIL) and Acinetobacter calcoaceticus (BenD), respectively. However, the amino arid sequences show 30% or less homology with those of Pseudomonas putida (BnzE), Pseudomonas putida Fl (TodD), Pseudomonas pseudoalcaligenes KF707 (BphB), and Pseudomonas sp. C18 (NahB). Therefore, the 4CBA-dihydrodiol dehdrogenase of strain S-47 belongs to the group I dehydrogenase involved in the degradation of mono-aryls with a carboxyl group.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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