• 한국자기학회지
• /
• 제21권1호
• /
• pp.32-36
• /
• 2011

DC 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 제작한 고감도 거대자기저항 스핀밸브 박막 소자를 이용하여 수위 및 수온을 측정할 수 있는 센서를 제작하였다. 제작한 센서의 수위 및 수온 분해능은 각각 $400\;m{\Omega}/mm$와 $100\;m{\Omega}/^{\circ}C$ 이었으며, 이는 전립선 비대증 KTP(potassium titanyl phosphate) 레이저 치료기에서 냉각기의 수위 및 수온을 조절하는 센서로써 응용이 가능하다.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제14권4호
• /
• pp.37-42
• /
• 2007

본 연구에서는 ITO/PEDOT:PSS/PFO:MEH-PPV/LiF/Al의 구조를 갖는 고분자 유기발광다이오드를 제작하여 정공 주입층으로 사용되는 PEDOT:PSS의 두께 변화와 PVK 정공 수송층을 도입하여 ITO/PEDOT:PSS/PVK/PFO:MEH-PPV/LiF/Al 구조를 갖는 고분자 유기발광 다이오드를 제작하여 정공수송층이 유기발광다이오드의 전기 광학적 특성에 미치는 영향에 대하여 조사, 비교하였다. 실험에 사용된 모든 유기물은 플라즈마 처리된 ITO/glass 기판위에 스핀 코팅법으로 도포하였다. 정공 주입층인 PEDOT:PSS 두께를 약 80 nm에서 50 nm로 감소한 경우 PLED 소자의 휘도는 약 $220cd/m^2$ 에서 $450cd/m^2$으로 크게 증가하였다. 이러한 결과는 정공 주입층의 두께가 감소할수록 ITO 전극에서 발생한 정공이 보다 쉽게 발광막으로 전달되기 때문이다. 또한 PVK 정공 수송층을 도입한 PLED소자에서 최대 전류밀도와 휘도는 $268mA/cm^2$ 와 $540cd/m^2$ (at 12V)의 값을 각각 나타내었다. PVK 정공 수송층이 도입되지 않은 소자에 비해 전류밀도는 약 14%, 휘도는 약 22%의 특성개선을 나타내었다.

• 한국재난정보학회 논문집
• /
• 제13권3호
• /
• pp.358-365
• /
• 2017

전세계적으로 재난에 의한 피해가 급증하면서 인명피해를 줄이기 위한 장비에 대한 기술 개발이 필요한 실정이다. 이에 소방안전 및 119구조 구급기술연구개발사업의 지원으로 "인명구조용 소방대원 근력지원장치 개발(2015 ~ 2018)" 과제를 통하여 재난환경 및 재난 대응 시나리오를 고려한 리프팅 성능(양중하중 100 kg 이상, 양중높이 1 m 이상, 양중거리 60 cm 이상, 양중속도 0.2 m/s 이상)을 만족하는 장비를 개발 중에 있다. 본 연구는 장치의 유용성을 판단하기 위해 양중성능 및 내환경 시험법을 제안하였고, 양중성능시험의 동역학 해석을 통해 근력지원장치의 상세사양을 분석 및 검증하였다. 본 연구를 통하여 제안한 시험 방법은 근력지원장치의 안정적인 성능 구현여부를 평가하는데 실용적으로 적용할 수 있을 것으로 판단된다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 1991년도 추계학술대회 논문집 학회본부
• /
• pp.286-289
• /
• 1991

We simulated ion implantation and annealing condition of 1 ${\mu}m$ CMOS device using process simulator, SUPREM-II. In this simulation, optimal condition of ion implantation for symmetric threshold voltage determination of PMOS and NMOS region, junction depth and sheet resistance of source/drain region, impurity profile of each region are investigated. Ion implantation dose for 3 ${\mu}m$ N-well junction depth and symmetric threshold voltage of $|0.6|{\pm}0.1$ V were $1.9E12Cm^{-2}$(for phosphorus), $1.7E122Cm^{-2}$(for boron) respectively. Also annealing condition for dopant activation are examined about $900^{\circ}C$, 30 minutes. After final process step, N-well junction, P+ S/D junction and N+ S/D junction depth are calculated 3.16 ${\mu}m$, 0.45 ${\mu}m$ and 0.25 ${\mu}m$ respectively.

• 반도체디스플레이기술학회지
• /
• 제8권4호
• /
• pp.15-19
• /
• 2009

A high efficient organic red light emitting device with structure of DNTPD/TAPC/$Bebq_2$ :[$(pq)_2Ir(acac)$, SFC-411]/SFC-137 was fabricated on the plastic substrate, which can be applied in the fields of flexible display and illumination. In the device structure, N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolylamino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine[DNTPD] as a hole injection layer and 1,1-bis-(di-4-tolylaminophenyl) cyclohexane [TAPC] as a hole transport were used. Bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato) beryllium complex [$Bebq_2$] was used as a light emitting host material. The host material, $Bebq_2$ was doubly doped with volume ratio of 7% iridium(III)bis-(2-phenylquinoline)acetylacetonate[$(pq)_2$Ir(acac)] and 3% SFC-411[red phosphor dye coded by the proprietary company]. And then, SFC-137 was used as an electron transport layer. The luminous intensity and current efficiency of the fabricated device were $22,780\;cd/m^2$ at 9V and 17.3 cd/A under $10,000\;cd/m^2$, respectively. The maximum current efficiency of the device was 22.4cd/A under $580\;cd/m^2$.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2000년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
• /
• pp.437-439
• /
• 2000

The internal quantum efficiency of EL devices using fluorescent organic materials is limited within 25% because of the triplet excitons which can hardly emit light. So there has been considerable interest in finding ways to obtain light emission from triplet excitons. One approach has been to add phosphorescent compounds to one of the layers in an EL device. Then triplet excitons can transfer to these phosphorescent molecules and emit light. In this study, multilayer organic light-emitting devices with phosphorescent emitter, tris (2-phenylpyridine)iridium ($Ir(ppy)_3$) were prepared. The device exhibited power luminous efficiency of 1.07 1m/W at the luminance of $61.6\;cd/m^2$ diriven at the voltage of 9 V and current density of $1.9mA/cm^2$. At the luminance of $100\;cd/m^2$, the luminous efficiency was obtained 1.05 lm/W with the voltage of 9.5 V and the corrent density of $2.8\;mA/cm^2$.

• 대한전자공학회논문지
• /
• 제8권1호
• /
• pp.1-8
• /
• 1971

G-M 계수관을 이용한 beta와 gamma 선에 민감한 survey meter에 관한 연구이다. 이 장치는 완전 transistor화 되어 있으며 건전지로 동작하게 되어 있고 2.5, 25 및 250MR/HR의 3가지의 full-scale meter range를 직독하게 되어 있다. Counting-rate meter 회로를 이루고 있는 collector 결합 단안정 multivibrator와 전원회로의 de-dc 변환로를 이루고 있는 무안정 blocking 발진기의 해석을 하였고 설계식을 유도하였다. G-M 계수관의 분해시간을 높이기 위하여 0.5v 정도의 낮은 전압으로 triggering할 수 있게 설계하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제21권10호
• /
• pp.875-880
• /
• 2008

In this paper, we deal with the TLP evaluation results for GGNMOS in ESD protection device of conventional CMOS process. An evaluation parameter for GGNMOS is that repeatability evaluation for reference device($W/L=50\;{\mu}m1.0\;{\mu}m$) and following factors for design as gate width, number of finger, present or not for N+ gurad -ring, space of N-field region to contact and present or not for NLDD layer. The result of repeatability was showed uniformity of lower than 1 %. The result for design factor evaluation was ; 1) gate width leading to increase It2, 2) An increase o( finger number was raised current capability(It2), and 3) present of N+ gurad-ring was more effective than not them for current sink. Finally we suggest the optimized design conditions for GGNMOS in evaluated factor as ESD protection device of conventional CMOS process.

• 상하수도학회지
• /
• 제24권4호
• /
• pp.377-386
• /
• 2010

To identify operating parameters of the up-flow filtering system, which is available to discharge filtering residue after the rain, developed for treatment of urban storm runoff, lab scale test was carried out. Removal efficiency of SS was 68.7%, 62.2%, and 58.6% at the area roading rate of 2.46m/h, 4.68m/h, and 10m/h, respectively, filtering device is desirable to operate at the lower than 4.68m/h of area roading rate to get higher level of 60% SS removal efficiency. The removal efficiency of SS was 57.1% ~ 68.7% at the raw water SS of 100mg/L ~ 600mg/L, and the SS in treated water was maintained at the constant level through the elapsed time. It is indicate that filtering device can guarantee a certain level of effluent water quality at various raw water quality. The removal efficiency of SS to the depth of filter media was 68.3%, 78.6% at the filter depth of 10 cm, 20cm respectively. The final treated water quality was showed 30.2mg/L of CODMn, 1.60mg/L of TN and 0.25mg/L of TP. The average removal efficiencies by filtering device developed in this research were recorded slightly lower levels than other research. The main reason of these results were the first, the filter depth of the media used in this test was shallow, the second, the kind of filter media in discharge port of residue. More research to kind of filter media, filter packing rate, select of media for residue discharge port should be go on to produce optimum operating condition. The result of this study would be valuable for the application of filtration device to control of urban storm water.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제18권9호
• /
• pp.2216-2222
• /
• 2014

최근 냉동컨테이너를 이용한 물동량이 계속적으로 증가하고 있는 추세에서 운송 중 냉동컨테이너의 지속적인 관리가 요구되고 있다. 하지만 현재 냉동컨테이너 모니터링은 물류 전 구간이 아닌 터미널 및 해상 운송 중 선박 내에서만 가능하며, 트럭 또는 기차를 이용하는 육상운송 구간에서는 냉동컨테이너의 모니터링이 이루어지지 않고 있다. 이는 국제해사 기구에서 권고하고 있는 PCT를 이용한 냉동컨테이너 모니터링 방법 또는 TCP/IP, RFID 통신 등을 이용한 기존 냉동컨테이너 모니터링 방법들이 별도의 통신인프라 구축이 필요하기 때문이다. 본 논문에서는 이러한 문제점들을 해결하고 육상운송 구간에서 냉동컨테이너의 모니터링뿐만 아니라 제어까지 가능한 새로운 냉동컨테이너 제어 장비를 제안하고자 한다. 제안된 장비는 모든 냉동컨테이너에 부착되어 있는 데이터 포트를 이용하여 냉동컨테이너의 정보를 수집 후 M2M 통신 기술을 이용하여 별도 통신 인프라 구축 없이 서버로 정보를 전송한다. 또한 서버에서 설정한 냉동컨테이너의 온도 설정 등 제어 정보를 수신하여 냉동컨테이너의 동작 상태를 제어 할 수 있다.