옻나무에서 극성이 큰 물과 에탄올로 추출한 물질을 생쥐 뇌세포를 배양하여 glucose oxidase에 의해 생성되는 hydroxyl radical에 대한 항산화 효과와 암세포에 미치는 영향을 알아보았다. 먼저 항산화 효과에 있어서, $7{\sim}10$일 정도 배양된 생쥐 뇌세포에 20 mU/mL GO system을 처리한 후 물 및 에탄올 추출물 (30 mg/mL)을 일정량 첨가하여 hydroxyl radical에 대한 옻나무 추출물의 항산화 효과를 측정하였다. 그 결과 GO 20 mU/mL만을 처리한 구에서는 생쥐 뇌세포의 생존률이 52.0%인데 반하여, 옻나무 물 추출물을 1, 2, 4, 7, $10\;{\mu}L$ 첨가시 각각 60.0, 66.0, 72.0, 84.0 및 90.1%로서 첨가량이 증가할수록 매우 높은 생존률을 보였다. 이러한 경향은 에탄올 추출물의 첨가시에도 유사하였는데, $1\;{\mu}L$과 $2\;{\mu}L$ 첨가시 생존률은 55.0%와 64.0% 였고, 4, 7, $10\;{\mu}L$에서는 각각 70.0, 79.0, 91.0%로서 나타났다. 항산화력을 비교하기 위하여 잘 알려진 항산화제인 ascorbic acid를 50, $100\;{\mu}M$ 첨가시 쥐의 뇌세포의 생존률은 대조군에 대해 각각 87.0%와 90.0%이었는데 이것은 각각의 옻나무 추출물 10% $(10\;{\mu}L/well)$ 첨가시 나타났던 항산화 효과와 비슷한 결과였다. 따라서 이러한 항산화 효과에 관여하는 주요 성분을 전기영동과 작용기 분석을 통해 알아본 결과 laccase라는 물질이 주성분이라는 것과 그것은 구리를 함유한 당단백질로서 크기는 약 210 KDa과 230 KDa으로서 dimer로 되어 있다는 것을 알 수 있었다. 한편 옻나무 추출물의 HeLa cell에 미치는 영향을 보기 위해 in vitro 방법으로서 HeLa cell에 대해 물 및 에탄올 추출물(30 mg/mL)을 최고 10% 농도까지 첨가하여 시간별로 측정한 결과 $10\;{\mu}L$(10%) 첨가 후 12시간에는 40.0%가, 48시간에는 60.0% 정도의 HeLa cell이 사멸되는 것을 알 수 있었다. 암세포 성장 억제 효과에 대한 결과는 in vivo 방법에 있어서도 유사한 결과를 얻었다. 즉 BALB/c의 복강에 CT-26 $(1{\times}10^6\;cells/mL)$을 접종한 후 종양을 발생케 한 후 옻나무 추출물을 주입시 주입 7일 후 대조군에 비해 종양크기가 현저하게 작아지는 것을 볼 수 있었다.
저온균일침전법(HPPLT)으로 제조된 TiO$_2$나노분말은 10$0^{\circ}C$이하의 온도에서 rutile상을 얻을 수 있다. 또한, rutile에서 anatase로의 상변화는 합성시간, 가열속도, 반응온도 그리고 음이온 첨가에 의해 일어난다고 보고되어졌지만, 금속양이온들에 의한 상변화는 알려진 바가 없다. 따라서, 다양한 양이온을 첨가하여 저온균일침전법에서 TiO$_2$의 상변화가 어떻게 일어나는지를 조사하였다. 출발원료인 TIC1$_4$를 사용하여 가수분해하여 0.67M의 TiOCl$_2$을 얻었다. 얻어진 TiOCl$_2$ 수용액에 각각 0.01M의 금속염화물(ZrOCl$_2$, NiCl$_2$, CuCl$_2$, FeCl$_3$, AlCl$_3$ 그리고 NbCl$_{5}$)을 첨가한 후 반응기에 넣고 10$0^{\circ}C$에서 4시간동안 가열하였다 가열한 후 얻어진 침전물에 NaOH 수용액을 이용하여 PH 7-8로 중화한 후 증류수로 Cl$^{-}$이온이 제거될 때까지 충분히 세척하였다. 세척된 침전물을 105$^{\circ}C$에서 24h동안 건조하여 분말을 얻었고, rutile에서 anatase로의 상변화특성을 관찰하기 위하여 XRD, SEM, TEM, ICP 분석을 실시하였다.
In this research, gallium-incorporated zinc oxide (ZnO:Ga) thin films have been used as a coating material for enhancing the field-emission property of CNT-emitters. Multi-walled CNTs were directly grown on conical-type ($250{\mu}m$ in diameter) metal-tip substrates at $700^{\circ}C$ by inductively coupled plasma-chemical vapor deposition (ICP-CVD). The pulsed laser deposition (PLD) technique was used to produce 5wt% gallium-doped ZnO (5GZO) films with very low stress. The structural properties of ZnO and 5GZO coated CNTs were characterized by Raman spectroscopy. Field emission scanning electron microscopy (FESEM) and high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) were also used to monitor the variation in the morphology and microstructure of CNTs before and after 5GZO-coating. The measurement of the field emission characteristics showed that the emitter that coated the 5GZO (10nm) on CNTs exhibited the best performance: a maximum emission current of $325{\mu}A$, a threshold field of 2.2 V/${\mu}m$.
금속분말을 연료로 하는 연소기 개발에 있어 발생하는 문제점 중에 하나는 알루미나 slag 처리이다. 연소기 내부에 Water film을 형성시킴으로써 금속분말 연소기의 문제점을 해결할 수 있을 것으로 기대한다. 이를 위한 선행연구로 water film의 형성 조건에 대한 실험을 수행하였다. 실험 모델에 대하여 물 분사 속도가 증가할수록 원형 모델에 대한 water fim 각도가 작아져, 약 10 m/s이상에서 완전한 water film이 형성되는 것을 알 수 있었다.
In this study, $CeO_2$ thin films were etched with a $CF_4/Ar$ gas combination in inductively coupled plasma (ICP), The maximum etch rate of $CeO_2$ thin films is $270{\AA}/min$under $CF_4/(CF_4+Ar)$ of 0.2, 600 W/-200 V, 15 mTorr, and $25^{\circ}C$. The selectivities of $CeO_2$ to PR and SBT are 0.21, 0.25. respectively. The surface reaction of the etched $CeO_2$ thin films was investigated with x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). There is a chemical reaction between Ce and F, Compounds such as $Ce-F_x$ are remains on the surface of $CeO_2$ thin films. Those products can be removed by Ar ion bombardment effect, The results of secondary ion mass spectrometer (SIMS) were equal to these of XPS. Scanning electron microscopy (SEM) was used to examine etched profiles of $Ce-F_x$ thin films. The etch profile of over-etched $CeO_2$ films with the $0.5 {\mu}m$ line was approximately $65^{\circ}$.
In order to understand chemical characteristics and formation of dewfall in Busan, we analysed monthly distribution of dewfall, and investigated its chemical composition of dewfall. This study used the modified teflon plate $(1m{\times}1m)$ at Jangyongsil science high school from June 2005 to October 2005. In order to estimate qualitatively water soluble components, IC, ICP and UV methods for water soluble ions are also used respectively. Dewfall amount of sampling periods (26 day) collected 1.29 mm. Distribution of water soluble ions in dewfall founded the highest concentration $(81.3{\mu}eq/{\ell}\;for\;NO_3^-,\;146.6{\mu}eq/{\ell}\;for\;SO_4^{2-},\;and\;114.3{\mu}eq/{\ell}\;for\;nss-SO_4^{2-})$ during the June. pH was the lowest by 5.12 June, and October (pH 6.68) by most high and average pH was 5.46. Monthly equivalent ratio of $[SO_4^{2-}]/[NO_3^-]$ showed the highest value (2.94) during the September, the lowest value (1.77) during the July, and the mean value was 3.45.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제3권1호
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pp.21-26
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2003
4H-SiC Schottky rectifiers were exposed to pure Ar discharges in a planar coil Inductively Coupled Plasma system, as a function of source power, of chuck power and process pressure. The reverse breakdown voltage ($V_B$) decreased as a result of plasma exposure due to the creation of surface defects associated with the ion bombardment. The magnitude of the decrease was a function of both ion flux and ion energy. The forward turn-on voltage ($V_F$), on-state resistance ($R_{ON}$) and diode ideality factor (n) all increased after plasma exposure. The changes in all of the rectifier parameters were minimized at low power, high pressure plasma conditions.
원자의 여기 및 천이에 의한 플라즈마에서의 빛 방출은 일차적으로 여기를 위한 특정 문턱값 이상의 에너지 공급이 전제 된다. 진공 플라즈마에서 대부분의 에너지 전달 과정은 전자와의 물리적 충돌에 의해 일어나므로 충돌 여기의 결과 발생한 광신호 세기는 전자 에너지 분포에 대한 정보를 내포하고 있다. 전자는 입자들 간의 에너지 전달 매개가 되는 동시에 플라즈마 구성 입자 중 가장 가벼워 빠르게 주변 환경 변화에 응답하여 열평형을 이루므로 EEDF는 플라즈마의 미세한 변동까지도 보여줄 수 있는 인자가 된다. 플라즈마의 열평형 이동에 관한 정보를 광신호로부터 EEDF의 형태로 추출해내기 위해 BEB (Binary - Encounter - Bethe) 모델을 근거로 충돌 반응 단면적을 함수로 나타내어 신호를 분석하였다. EEDF의 꼴을 $f(E)=AEexp(-E^b)$의 임의의 형태로 두고 아르곤의 427nm, 763nm 두 빛의 세기 비를 BEB 모델을 적용하여 전개한 결과 b factor 의 값을 구할 수 있었다. b factor 가 1인 경우는 Maxwellian, 2인 경우는 압력이 높은 조건에서 잦은 충돌에 의한 에너지 손실 때문에 고에너지 전자군이 현격하게 감소된 Druyvesteyn 분포를 의미하므로 광신호에 모델을 적용하여 얻은 b factor의 변화는 EEDF의 형태 자체의 변화가 감지되었음을 보여준다. 실제로 13.56MHz - 1kW ICP 장치에서 아르곤 플라즈마를 발생시켰을 때, 압력이 낮아 Maxwellian 분포가 예상되는 10mTorr 조건에서는 b=1.13, Druyvesteyn 분포에 가까워지는 100mTorr 조건에서는 b=1.502 로 관측되었다.
The characteristic analysis of fly ash generated from a fired power plant using bunker-C oil has been investigated. Ash size distribution by an optical microscopy with image processing technique, morphological shape by a scanning electron microscope(SEM) and microscope, chemical composition by the inductively coupled plasma emission spectrometry(ICP), and resistivity measurement as a function of temperature and moisture content by the resistivity meter are performed. A study of physical, chemical and electrical characteristics of bunker-C fly ash plays an important role of improving the performance of an electrostatic precipitator and protecting air pollution. The samples of bunker-C fly ash for analysis were collected from the electrostatic precipitator hopper of Ulsan Power Plant Unit 1 and Pusan Power Plant Unit 1. Mass median diameter(MMD) of bunker-C fly ash was measured 12.7${\mu}{\textrm}{m}$, while MMD of fly ash generated from the mixture of bunker-C oil(40%) and domestic anthracitic coal(60%) was 25.7${\mu}{\textrm}{m}$. The morphological structure of bunker-C fly ash consisted of fine particles of non-spherical shape. The primary chemical components of bunker-C fly ash were composed of SiO2(2.36%), Al2O3(4.91%), Fe2O3(14.33%) and C(11.84%). Resistivity of bunker-C fly ash was found to be increased with increasing temperature at the range of 100~15$0^{\circ}C$ and was measured 103~104 ohm-cm.
유기게르마늄 화합물인 Ge-132의 분석법을 확립하였다. 이온교환수지 컬럼을 사용하고 $Na_2B_4O_7$ buffer를 이동상으로 하여 Ge-132를 분리한 다음, 전기전도도 검출기를 사용하여 검출하는 방법을 이용한 결과 50pmol의 농도까지 분석할 수 있었다. 이 방법은 Ge-132의 원료와 제품의 품질 관리에 응용이 가능하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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