전기자동차의 고압배터리는 차종과 배터리의 종류에 따라 다양한 공칭전압을 가지며, 하나의 모델에 적용된 배터리도 사용에 따라 충전전압의 범위가 넓기 때문에 충전기의 출력전압이 광범위한 특성을 가져야 한다. 본 논문에서는 단상 110/220V 입력전원에 대하여 250V ~ 450V 범위의 직류전압의 특성을 만족시키기 위하여 LLC 공진형 컨버터를 적용하였으며, 제작된 시제품을 통하여 실차 배터리 충전시험을 실시하여 그 성능을 확인한다.
최근 국내에서 345kV GIL(Gas Insulated Transmission Lines) 시스템의 실 계통 도입이 검토되고 있다. 현재까지 GIL은 원자력 발전소에서 주변압기로부터 스위치 야드까지 1km 미만의 거리에 소규모로 설치되어 운영되고 있다. 하지만 향후 본격적으로 GIL 시스템이 도입된다면 발전소 구내뿐만 아니라 수 km 이상 되는 송전급 선로에도 적용될 것이 예상된다. 현재 GIL의 시스(외함)는 100~120m 정도마다 접지를 하는 직접접지 형태를 취하고 있으나 시스에 흐르는 순환전류가 부하전류의 97% 이상 된다. 따라서 이에 따른 손실이 많이 발생되고 있어 도체에 흘릴 수 있는 허용전류 값이 감소하게 된다. 본 논문에서는 GIL 시스템에 크로스본드 접지방식을 적용하였을 때 시스 순환전류 감소 효과에 대해서 검토하고, 아울러 뇌써지나 스위칭 써지에 의한 절연통의 열화 등에 대비하기 위하여 절연통보호장치의 설치 방안에 대해서 검토하였다.
Methyl에서 n-butyl까지의 n-alkylamine 염산염동족체($RNH_3Cl$)의 "겉보기몰랄부피"(apparent molal volume)${\phi}_v$를 30$^{\circ}C$에서 여러가지 조성의 methanol-물 혼합액을 써서 측정하였다. 아민염의 농도는 0.01M까지, 밀도는 부력법을 적용하여 소수점이하 5위까지 택하였다. 관측된 ${\phi}_v$값을 무한대의 농도 쪽으로 extapolation하여 "분몰랄부피"(partial molal volume)$\bar{V}^{\circ}$V를 구하였다. 실험결과는 용질입자의 크기, charge 및 hydrophobic effect등에 관하여 논의되었고 또한 동족체간에일정한 몰랄부피차(${\Delta}\bar{V}^{\circ}$)를 갖는다는 사실과 아울러 혼합용매의 구조에 대하여도 검토하였다. 메탄올-물 0.1몰분율(m.f.)에서는 물의 구조증대로 cation의 "분몰랄부피($\bar{V}^{\circ}_+$)가 최소이고, 한편 0.4m.f. 에서는 charge 효과에 의한 electrostriction effect의 최대화 free volume이 최소라는 사실들이 관찰되었다.
본 논문에서는LCD (Liquid Crystal Display) source driver IC에서 사용되는 고전압 op-amp의 출력 편차를 개선하기 위하여 전압 이득을 향상한 CMOS rail-to-rail 입/출력 op-amp를 제안하였다. 제안된 op-amp는 15 V 이상의 고전압 MOSFET의 과도한 channel length modulation에 의한 전압 이득의 감소로 offset 전압이 커지는 문제를 해결하기 위하여 cascode 구조를 갖는 floating current source 및 class-AB control단을 채용하고 있다. 제안된 op-amp는 HSPICE 시뮬레이션을 통하여 전압 이득이 기존 대비 30 dB 향상됨을 확인하였으며, onset 전압은 기존 6.84 mV에서 $400\;{\mu}V$ 이하로 개선됨을 확인하였다. 또한, 제안된 op-amp가 적용된 LCD source driver IC의 실측 결과 출력 편차는 기존 대비 2 mV 향상됨을 확인하였다.
본 연구는 연약지반의 압밀특성을 나타내는 정수중 하나인 압밀계수($C_v$)를 결정하는데 있어 피에조 콘 관입시험(PCPT)결과의 적용성을 평가하고자 양산-물금지역의 연약지반에서 실시된 피에조 콘 관입시험 자료와 같은 지역 44개소에서 시추한 심도별로 총 172개 자연시료를 사용하여 기본적인 실내토질시험(압밀시험, Atterberg 한계시험, 입도분포시험 등)을 실시하였다. 각 시료의 압밀시험결과를 사용하여 Terzaghi(1943) 압밀 이론으로 구한 구속탄성계수(M) 및 압밀계수($C_v$)를 각 시료에 상응하는 현장 흙에서 실시한 피에조 콘 관입시험(PCPT) 결과로 구한 구속탄성계수 및 압밀계수와 비교분석하였다. 압밀시험으로 구한 구속탄성계수는 피에조 콘 관입시험으로 구한 구속탄성계수와 높은 상관성을 보였고 Jones & Rust(1995)가 제안한 경험식으로 계산된 구속탄성계수가 본 연구에서 피에조 콘 관입시험으로 구한 구속탄성계수와 유사한 값을 보였다. 압밀시험으로 구한 압밀계수와 콘 관입시험 결과로 구한 압밀계수는 직선적 관계를 보였고 콘 관입시험 결과로 구한 압밀계수 값은 압밀시험으로 구한 압밀계수 값의 54%정도로 나타났다.
자연전위에 대한 환경 잡음요소로 기온, 강수, 토양수분함량 및 지중 온도 등을 분석하기 위하여 별도로 제작된 시험포장에서 Cu-CuSO₄비분극전극과 구리를 입힌 금속전극(CCE)에 대한 장기 모니터링 실험을 실시하였다. 온도 영향에 대한 실험 결과 Cu-CuSO₄비분극전극의 상부를 대기에 노출시킨 경우는 기존의 연구결과인 +0.5 mV/°F의 온도계수가 적용될 수 있지만, 15 cm 깊이의 지중온도 변화가 대기온도 변화에 대하여 약 8∼11 시간의 지연효과가 나타남에 따라, 땅 속에 묻어 설치한 경우는 0.5 mV/℃ 이하의 미약한 영향이 나타는 것으로 밝혀졌다. CCE의 경우는 땅속에 묻어 설치하였을 때에는 대기온도와 무관하지만, 전극이 직사광선에 노출된 경우는 약 1 mV/℃ 정도의 온도 편차가 있는 것으로 나타났다. 토양수분함량 변화 영향에 대한 실험에 의하면 Cu-CuSO₄비분극전극을 땅 속에 묻어 설치한 경우 토양수분함량 변화가 그대로 반영됨에 따라, 1∼2 mV의 미약한 편차는 주로 토양수분함량 변화에 의한 것임이 밝혀졌다. CCE의 경우는 전체적으로 토양수분함령 변화와 유사한 주기를 가지며 약 5% 이내의 일변화에 대하여 금속전극 대부분에서 약 5 mV 내외의 변화가 나타났으며, 강수기간 동안에는 금속전극의 표면에서 발생되는 흐름전위의 영향이 나타남에 따라 토양수분함량의 영향이 상대적으로 크게 작용함을 확인하였다.
국내 154kV XLPE 케이블 시스템은 장기운전에 따른 열화진단 및 유지보수의 필요성이 증대되고 있다. 헌재 실선로 진단에 적용되고 있는 기술은 열화상 측정, 부분방전 검출 시스순환전류분석 및 저감기술등이 있다. 본 논문에서는 상기의 진단기술을 운전중인 154kV 실선로에 적용하여 결함을 검출한 사례를 기술하였다. 특히 부분방전 진단의 경우 접속함 내부에 존재하는 결함을 검출하여 사고를 미연에 방지한 것으로 사료된다.
본 논문에서는 전력 VDMOSFET를 2차원 수치해석하여 I_V특성을 구할 수 있는 computer program을 작성하였고 이 program에 의해서 전력 수직이중확산형 MOS(VDMOS)의 I-V 분포 특성, 전위 및 전자정공 농도 분포특성이 computer simulation되었다. 또 teansconductance, on-resistance 및 표면 이동도 model이 적용된 I_V특성이 simulation되어 실험값 및 선행연구자의 결과값과 비교되었다. 기본 방정식은 유한차등분법(F.D.M)에 의해서 해석되었고 Gummel이 알고리즘과 Mock의 식이 적용 되었다.
본 실험에서 $SiO_2$, $SiN_x$ 게이트 절연막에 따른 ITZO 산화물 반도체 트랜지스터를 제작하여, 온도변화에 따라 전달 특성 변화를 측정하여 열에 대한 소자의 안정성을 비교, 분석하였다. 온도가 증가함에 따라 carrier가 증가하는 온도 의존성을 보이며, 이로 인해 Ioff가 증가하였다. multiple-trapping 모델을 적용하여, 이동도 증가와 문턱 전압이 감소를 확인하였다. 또한 M-N rule을 적용하여 $SiO_2$, $SiN_x$ 게이트 절연막을 가진 ITZO 산화물 박막 트랜지스터의 활성화 에너지를 추출하고, sub-threshold 지역에서 활성화 에너지의 변화량이 $SiO_2$, SiNX 각각 0.37 eV/V, 0.24 eV/V로 차이를 통해 $SiN_x$ 게이트 절연체를 가진 ITZO 산화물 반도체 트랜지스터의 이동도와 문턱 전압의 변화가 더 컸음을 확인하였다.
본 논문에서는 2-bit RISC-V 프로세서 상에서의 경량 블록 암호인 SPECK의 CTR 운용 모드에 대한 최적 구현을 제안한다. RISC-V 상에서의 SPECK 단일 평문과 2개의 평문에 대한 최적화와 고정된 논스 값을 사용하는 CTR 운용모드의 특징을 활용하여 일부 값에 대해 사전 연산을 하는 라운드 함수 최적화를 제안한다. 결과적으로, 레퍼런스 대비 제안된 기법은 단일 평문과 2개의 평문에 대해 각각 5.76배 2.24배 성능 향상을 확인하였으며, 사전 연산 기법을 적용하지 않은 최적 구현 대비 사전 연산 기법을 적용하였을 때, 1% 성능 향상을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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