The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers (대한전기학회논문지)

The Korean Institute of Electrical Engineers (대한전기학회)
권호 표지

Two Dimensional Computer Simulation of Power VDMOSFET

전력 VDMOSFET의 2차원Computer Simulation

  • 박배웅 (조선대 대학원 전기공학과) ;
  • 이우선 (조선대 공대 전기공학과)
  • Published : 1988.09.01

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Abstract

Two dimensional numericl analysis program of power VDMOSFET structure has been developed. Modeling for equipotential distribution, current flow pattern and carrier distribution are presented. I-V characteristic curves due to saturation velocity, mobility value, transconductance and on-resistance are studied by comparison of computer simulated results and exeperimental data. These are found to agree with the simulated results and experimental data.

본 논문에서는 전력 VDMOSFET를 2차원 수치해석하여 I_V특성을 구할 수 있는 computer program을 작성하였고 이 program에 의해서 전력 수직이중확산형 MOS(VDMOS)의 I-V 분포 특성, 전위 및 전자정공 농도 분포특성이 computer simulation되었다. 또 teansconductance, on-resistance 및 표면 이동도 model이 적용된 I_V특성이 simulation되어 실험값 및 선행연구자의 결과값과 비교되었다. 기본 방정식은 유한차등분법(F.D.M)에 의해서 해석되었고 Gummel이 알고리즘과 Mock의 식이 적용 되었다.

Keywords