본 논문에서는 의료 기기용 401MHz - 406MHz MedRadio 대역에서 사용하는 저잡음 증폭기를 제안한다. 제안한 저잡음 증폭기는 전류 재사용 gm-boosting 기술을 이용한 공통 게이트 증폭기 구조를 채택하여 기존의 gm-boosted 공통 게이트 증폭기에 비해 동일한 전력소모에서 더 높은 전압 이득과 더 낮은 잡음 지수 특성을 얻었다. 제안한 전류 재사용 gm-boosted 저잡음 증폭기는 $0.13{\mu}m$ CMOS 공정을 사용하여 설계하였고, 22 dB의 전압 이득, 2.95 dB의 잡음 지수, -17 dBm의 IIP3 특성을 보이며, 공급 전압 0.5 V에서 $170{\mu}W$의 전력을 소비한다.
In this paper, a low noise amplifier having high gain and low noise by using input and inter stage matching circuits has been designed. A current-reused two-stage common-source topology is adopted, which can obtain high gain and low power consumption. Deterioration of noise characteristics according to the source inductive degeneration matching is compensated by adopting additional matching circuits. Moreover trade-offs among noise, gain, linearity, impedance matching, and power dissipation have been considered. In this design, 0.18-mm CMOS process is employed for the simulation. The simulated results show that the designed low noise amplifier can provide high power gain and low noise characteristics.
값싼 부품으로 쉽게 제작 할수 있는 증폭기의 연구로서 이 고성능 차동 중폭기는 높은 입력 임피단스, 조정할 수 있는 이득, 낮은 입력잡음과 낮은 출력임피단스로 구성되어있다. 잡음을 거의 증폭하지 않고, 저입력을 위한 고성능 증폭기는 매우 낮은 신호의 높은 증폭이 요구되는 기기에 매우 유용하게 응용된다.
본 논문에서는 CMOS 능동 인덕터를 이용하여 1.8GHz PCS 대역과 2.4GHz WLAN 대역에서 동조가 가능한 저잡음 증폭기의 새로운 회로구조를 제안하였다. CMOS 능동 인덕터 부하를 이용하는 저잡음 증폭기의 높은 잡음지수를 줄이기 위한 회로구조와 잡음지수를 더욱 감소시키기 위한 잡음상쇄기법을 적용하고 해석하였다. 이 동조가능 저잡음 증폭기를 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정기술로 시뮬레이션을 수행한 결과는 잡음성능이 약 3.4dB 향상된 것을 보여주며, 이는 주로 제안된 새로운 회로구조에 기인한다.
In this paper, we discuss the design of high gain low noise amplifier by using the 0.2sum CMOS technology. A cascode inverter is adopted to implement the low noise amplifier. The proposed cascode inverter LNA is one stage amplifier with a voltage reference and without choke inductors. The designed 2.4GHz LNA achieves a power gain of 25dB, a noise figure of 2.2dB, and power consumption of 255㎽ at 2.5V power supply.
The balanced amplifier is a practical amplifier to, implement a broadband amplifier that has flat gain and good input and output VSWR. Three-stage amplifier design procedure usually divided into three partition satisfying the following requirements : low noise figure, high gain and high power output. FHX35LG HEMT device is used in the design can be obtained low noise figure at the first-stage, MGA82563 MMIC device is used in the design can be maintained high gain at the second-stage, and AHI MMIC device is used in the design can be required high power output at the third-stage. The results of three-stage balanced amplifier show that power gain is about 40㏈, noise figure is less than 1.2㏈ at operating frequency.
본 연구는 디지털위성중계기용 SHF 대역 저잡음증폭장치의 설계 및 구현에 대해 기술하였다. 잡음지수 최소화를 위하여 저잡음 증폭소자인 HEMT(: High Electron Mobility Transistor)소자를 적용하였고, 우주환경에 대한 사전 시뮬레이션 분석을 통하여 장비 오동작 가능성을 최소화 시켰다. 발사환경 시 발생하는 진동 및 우주방사능에 의한 TID(: Total Ionizing Dose)에 대한 시뮬레이션을 통해 신뢰성 있는 저잡음증폭장치를 설계하였으며, 제작 후 주요 성능지표에 대해 만족여부 확인 및 사전 성능 시뮬레이션 결과와 비교하였다.
In this paper, we designed and fabricated a low noise amplifier which can be used in W-CDMA. For improving input VSWR and stability an emitter inductance series feedback was used, and for acquiring higer linearity at low current DC bais by-passing method was used. Fabricated low noise amplifier had 15.33 ㏈ power gain, 2.17 ㏈ NF, -9.53 ㏈ $S_{11}$ and -35.91 ㏈ $S_{22}$ at 2.16 GHz, and +5.34 ㏈m II $P_{ 3}$ at 10 MHz channel spacing.g.g.g.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제13권4호
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pp.318-330
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2013
This paper presents a high-linearity low-noise small-size programmable gain amplifier (PGA) based on a new low-noise low-distortion differential amplifier and a proposed reconfiguration technique. The proposed differential amplifier combines an inverter-based differential pair with an adaptive biasing circuit to reduce noise and distortion. The reconfiguration technique saves the chip size by half by utilizing the same differential pair for the input transconductance and load-stage, interchangeably. Fabricated in $0.18-{\mu}m$ CMOS, the proposed PGA shows a dB-linear control range of 21dB in 16 steps from -11 dB to 10 dB with a gain error of less than ${\pm}0.33$ dB, an IIP3 of 7.4~14.5 dBm, a P1dB of -7~1.2 dBm, a noise figure of 13dB, and a 3-dB bandwidth of 270MHz at the maximum gain, respectively. The PGA occupies a chip area of $0.04mm^2$ and consumes only 1.3 mA from the 1.8 V supply.
With advancements in underwater stealth technology for naval vessels, new sensor configurations for detecting targets have been attracting increased attention. Latest underwater mines adopt multiple sensor configurations that include electric field sensors to detect targets and to help acquire accurate ignition time. An underwater electric field sensor consists of a pair of electrodes, signal processing unit, and preamplifier. For detecting underwater electric fields, the preamplifier requires low-noise amplification at ultra-low frequency bands. In this paper, the specific requirements for low-noise preamplifiers are discussed along with the experimental results of various setups of matched transistors and chopper stabilized operational amplifiers. The results showed that noise characteristics at ultra-low frequency bands were affected significantly by the voltage noise density of the chopper amplifier and the number of matched transistors used for differential amplification. The fabricated preamplifier was operated within normal design parameters, which was verified by testing its gain, phase, and linearity.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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