Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제3권3호
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pp.21-24
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2002
Two kinds of $Nd_{1+X}Ba_{2-X}Cu_3O_{7-{\delta}}$, the sintering samples and zone melting samples, were heat-treated under pure Ar at 950$^{circ}C$. The substitution of Nd ion for Ba ion in the $Nd_{1+X}Ba_{2-X}Cu_3O_{7-{\delta}}$ before and after the heat treatment was investigated by XRD. In order to confirm the effects of the heat treatment, the Tc and Jc of samples with/without the heat treatment under Ar were comparatively studied. $Nd_{1+X}Ba_{2-X}Cu_3O_{7-{\delta}}$ samples were oxygenated under pure oxygen at $300^{circ}C$. From the XRD pattern it was found that the sample with x<0.4 was transferred from tetragonal phase to orthorhombic phase after the oxygenation, while the sample with x>0.4 did not show the phase transition even after a long time oxygenation. Therefore, the low oxygen partial pressure (Ar+1 % O$_2$) was used for the ambient atmosphere of the zone-melting samples, which could reduce the melting temperature and depress the substitution of Nd for Ba. After the improvement in the zone-melting process, the Jc value was increased to 2 x $10^4$A/$cm^2$ (0 T, 78 K). The particle orientation and the structure of zone-melted NdBaCuO were studied by the XRD and SEM analysis.
본 연구는 $Bi_2O_3$, ZnO 및 $Nb_2O_5$로 이루어진 두 가지의 $Bi_2(Zn_{1/3}Nb_{2/3})_2O_7$와 $(Bi_{1.5}Zn_{0.5})(Zn_{0.5}Nb_{1.5})O_7$ pyrochlore를 제조한 후, ZBS 및 BZBS 유리를 각각 첨가하여 저온 소결 및 마이크로파 유전 특성을 고찰하였다. 두 가지의 pyrochlore에 대하여 하소 온도에 따른 상 합성 유무를 고찰한 결과 $900^{\circ}C$에서 단일 상을 갖는 pyrochlore를 제조할 수 있었다. 두 가지의 pyrochlore에 ZnO-rich ZBS 유리와 $Bi_2O_3$-rich BZBS 유리를 3, 5 wt%로 첨가한 후 $800{\sim}950^{\circ}C$에서 소결한 결과 ZBS 및 BZBS 유리를 5wt%를 첨가하였을 때 $900^{\circ}C$에서 소결이 가능하였다. 또한 마이크로파 유전 특성을 고찰한 결과, $(Bi_{1.5}Zn_{0.5})(Zn_{0.5}Nb_{1.5})O_7$의 pyrochlore는 고주파에서 유전 특성 측정이 되지 않았다. $Bi_2(Zn_{1/3}Nb_{2/3})_2O_7$의 pyrochlore의 경우 5 wt% ZBS 및 BZBS 유리를 첨가하여 $900^{\circ}C$에서 소결한 시편의 마이크로파 유전 특성은 ${\varepsilon}_r$= 62.8~68.3, $Q{\times}f$ value= 3,500~2,700 GHz을 나타내었다.
압전액츄에이터 및 초음파진동자는 전자제품의 소형화 및 경량화, 의료기기, 모바일기기 및 소형로붓의 발전에 힘입어 그 활용범위가 넓게 확장되고 있다. 1960년 Smolenski등에 의해 $A(B_1,B_2)O_3$형 복합 페로브스카이트 구조를 갖는 강유전성 세라믹스에 대한 연구가 시작된 이래 $Pb(Co,Nb)O_3-Pb(Zr,Ti)O_3$, $Pb(Zn,Nb)O_3-Pb(Zr,Ti)O_3$, $Pb(Mg,Nb)O_3-Pb(Zr,Ti)O_3$ 등 3성분계 세라믹스의 유전, 압전 및 강유전 특성에 대한 많은 연구가 진행되어 왔다. 그러나 압전성이 우수한 세라믹스들은 Pb가 포함되어 있기 때문에 $1000^{\circ}C$ 이상에서 PbO가 급격하게 휘발되는 성질에 따라서 조성의 변동이 생겨 재현성이 어려우며 이를 방지하기 위하여 과잉 PbO를 첨가시키기 때문에 환경오염뿐만 아니라, 경제적인 측면에서도 많은 문제점을 가지고 있다. 소결조제를 이용한 산화물 첨가법은 PbO의 휘발을 억제하는 저온소결 방법중 가장 효과적인 방법으로 알려져 있다. 따라서, 본 연구에서는 적층형 압전액츄에이터로 사용하기위한 저온소결 압전세라믹스를 개발하기 위하여 PZN-PZT세라믹스에 $Li_2CO_3$, $Bi_2O_3$, CuO 를 소결조제로 사용하여 $Li_2CO_3$의 첨가량 변화에 따른 압전 및 유전 특성을 관찰하였다.
Screen printing is commonly used to form the front/back electrodes in silicon solar cell. But it has caused high resistance and low aspect ratio, resulting in decreased conversion efficiency in solar cell. Recently the plating method has been combined with screen-printed c-Si solar cell to reduce the resistance and improve the aspect ratio. In this paper, we investigated the effect of light induced silver plating with screen-printed c-Si solar cells and compared their electrical properties. All wafers were textured, doped, and coated with anti-reflection layer. The metallization process was carried out with screen-printing, followed by co-fired. Then we performed light induced Ag plating by changing the plating time in the range of 20 sec~5min with/without external light. For comparison, we measured the light I-V characteristics and electrode width by optical microscope. During plating, silver ions fill the porous structure established in rapid silver particle sintering during co-firing step, which results in resistance decrease and efficiency improvement. The plating rate was increased in presence of light lamp, resulting in widening the electrode with and reducing the short-circuit current by shadowing loss. With the optimized plating condition, the conversion efficiency of solar cells was increased by 0.4% due to decreased series resistance. Finally we obtained the short-circuit current of 8.66 A, open-circuit voltage of 0.632 V, fill factor of 78.2%, and efficiency of 17.8% on a silicon solar cell.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제18권4호
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pp.181-184
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2017
Multilayer ceramics in which piezoelectric layers of $0.90Pb(Zr_{0.48}Ti_{0.52})O_3-0.05Pb(Mn_{1/3}Sb_{2/3})O_3-0.05Pb(Zn_{1/3}Nb_{2/3})O_3$ (0.90PZT-0.05PMS-0.05PZN) stack alternately with silver electrode layers were prepared by an advanced low-temperature co-fired ceramic (LTCC) method. The electrical properties and bonding strength of the multilayers were associated with the interface morphologies between the piezoelectric and silver-electrode layers. Usually, the inner silver electrodes are fabricated by sintering silver paste in multi-layer stacks. To improve the interface bonding strength, piezoelectric powders of 0.90PZT-0.05PMS-0.05PZN with an average particle size of $23{\mu}m$ were added to silver paste to form a gradient interface. SEM observation indicated clear interfaces in multilayer ceramics without powder addition. With the increase of piezoelectric powder addition in the silver paste, gradient interfaces were successfully obtained. The multilayer ceramics with gradient interfaces present greater bonding strength as well as excellent piezoelectric properties for 30~40 wt% of added powder. On the other hand, over addition greatly increased the resistance of the inner silver electrodes, leading to a piezoelectric behavior like that of bulk ceramics in multilayers.
Bi-2223 HTS tapes are used widely for application of superconducting power systems. However there are need the properties of high strength and low AC loss. Two kinds of Bi-2223 HTS tapes with different Ag sheath were used to know the effect of sheath alloying for the strength and the resistivity. The workability and reaction degree of superconducting phase at Bi-2223 HTS tapes were investigated. We designed conventional type-Ag/alloy and double sheathed mono filament type-Ag/alloy/alloy in order to increase the strength and resistivity of matrix in Bi-2223 HTS tapes. The effect of axial strain and thermal cycling on the critical current was investigated for the Bi-2223 HTS tapes. Because the workability of double sheath Bi-2223 HTS tape was lower than one sheath Bi-2223 HTS tape, it was need additional softening treatment. Bi-2223 formation reaction was decreased by Ag alloy matrix during sintering process. Two kinds of Bi-2223/Ag tapes with different Ag sheath were used to know the effect of sheath alloying for the tensile strain. Critical current is drastically decreased for Ag/alloy and Ag/alloy/alloy sheathed tapes at tensile strain above 0.24 % and 0.34 %, respectively. This result showed that mechanical strength was increased over than 40 % by introduce double sheath at mono filament stage.
압전 액츄에이터 및 초음파진동자의 응용범위가 넒어짐에 따라 변위량, 응력 등을 개선시키기 위해 전기기계결합계수 kp 및 압전 d상수가 종전보다 큰 재료가 요구되고 있으며, 초음파진동자나 압전 모터와 같이 마찰에 의한 열손실이 많이 발생하는 액츄에이터에 적용할 큰 기계적품질계수롤 가지는 저손실 압전 액츄에이터 및 초음파진동자용 재료가 필요한 실정이다. PZT계 세라믹스는 높은 유전상수와 압전특성으로 전자세라믹스분야에서 가장 널리 사용되어지고 있지만, $1200^{\circ}C$이상의 높은 소결온도 때문에 $1000^{\circ}C$ 부근에서 급격히 휘발되는 PbO로 인한 환경오염과 기본조성의 변화로 인한 압전특성의 저하가 문제시 되고 있다. $Pb(Ni_{1/3}Nb_{2/3})O_3$는 약 $-120^{\circ}C$정도의 큐리온도룰 가지는 강유전체로 Pb(Zr, Ti)$O_3$계 세라믹스에 치환 시 유전상수와 전기기계결합계수를 개선시키는 대표적인 성분이다. 따라서 본 연구에서는 저온소결 저손실의 적층형 압전 액츄에이터를 개발하기 위해 PMS-PMN-PZT계 세라믹스에 $Pb(Ni_{1/3}Nb_{2/3})O_3$ 세라믹스를 치환하고 $Li_2CO_3$와 $Na_2CO_3$ ZnO를 소결조재로 사용하여 저온소결 하였으며 PNN 치환량에 따른 결과를 관찰 하였다.
Mn-Co-Ni 3성분계에 Fe의 첨가량을 변화시켜 따른 산화물 서미스터소결체(Mn-Co-Ni-Fe oxide)를 소성온도 1200~$1400^{\circ}C$에서 제조하여 전기저항특성을 조사한 결과, 결정상은 단일입방정 스피넬형 결정구조였고, 소성온도에 따른 전기전도도는 $1300^{\circ}C$에서 4시간 소결한 시미스터가 가장 높았다. 대체로 F-2를 제외하고는 Fe의 첨가량이 증가할 때 비저항은 증가하고 상대적으로 전기전도도는 감소한다. 특히 F-2의 조성에 있어서는 전기전도도가 1.4${\times}$$10^-3$${\ textohm}cm로 높았고 상대적으로 B정수는 2906K로 낮았다.
The conversion of carbon preforms to dense SiC by liquid infiltration is a prospectively low-cost and reliable method of forming SiC-Si composites with complex shapes and high densities. Si powder was coated on top of a 2.0wt.% Y2O3-added carbon preform, and reaction bonded silicon carbide (RBSC) was prepared by infiltrating molten Si at 1,450℃ for 1-8 h. Reactive sintering of the Y2O3-free carbon preform caused Si to be pushed to one side, thereby forming cracking defects. However, when prepared from the Y2O3-added carbon preform, a SiC-Si composite in which Si is homogeneously distributed in the SiC matrix without cracking can be produced. Using the Si + C → SiC reaction at 1,450℃, 3C and 6H SiC phases, crystalline Si, and Y2O3 were generated based on XRD analysis, without the appearance of graphite. The RBSC prepared from the Y2O3-added carbon preform was densified by increasing the density and decreasing the porosity as the holding time increased at 1,450℃. Dense RBSC, which was reaction sintered at 1,450℃ for 4 h from the 2.0wt.% Y2O3-added carbon preform, had an apparent porosity of 0.11% and a relative density of 96.8%.
The temperature and frequency dependence of the dielectric constant of the BaTiO3 substituted with two types of donor dopants, Nb5+ and Ta5+, respectively, were compared and analyzed. Dielectric specimens of four specific compositions, Ba0.95Nb0.05TiO3, Ba0.90Nb0.10TiO3, Ba0.95Ta0.05TiO3, and Ba0.90Ta0.010TiO3 were prepared by calcining at 1100 ℃ and sintering at 1300 ℃ to have a perovskite structure to measure capacitance. XRD and SEM analysis were used to observe the structure, with particular focus on the integration into the Nb5+ and Ta5+ substituted BaTiO3 crystal lattice. X-ray diffraction peaks in the (200) and (002) planes were observed between 45.10° and 45.45° of the BaTiO3 solid solution substituted with different fractions of Nb5+ and Ta5+. The dielectric properties were analyzed and the relationship between the properties and structure of the substituted BaTiO3 was established. The fine particles and high density of the substituted BaTiO3 were maintained like pure BaTiO3, and in particular, a shift toward the low temperature side of the phase transition temperature range was clearly found, unlike pure BaTiO3. In addition, the phase transition at a temperature higher than the Curie temperature relatively satisfies the modified Curie-Weiss law.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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