This paper studies the influence of temperature on electrical resistivity in ${\alpha}-InAs$ thin films between 30 K-2K based on the analysis of Mott VRH model and ES VRH model. The effect of the interactions between electrons at lower temperature must be considered, therefore, ES VRH conduction will dominate mechanism, and the crossover from Mott to ES VRH conduction is observed about 7 K. Based on available experiment data and VRH conduction model, the parameters of VRH conduction are determined. And the calculated values of $T_C$ are consistent with the experimental results. In addition, $R_M/{\xi}$, ${\Delta}_M/kT$, $R_{ES}/{\xi}$ and ${\Delta}_{ES}/kT$ are satisfied with the validity of Mott and ES models. Furthermore, the temperature dependence of resistivity at low temperature obeys a universal scaling law, which well describes the overall temperature range of VRH conduction. However, the values of $T^{\prime}_M$ from the universal function are two order of magnitudes lower than $T_M$ deduced from fitting experiment.
A readout circuit for a mercury-cadmium-telluride (MCT)-amplified mid-wave infrared (IR) photodetector was realized and applied to noncontact chemical agent detectors based on a quantum cascade laser (QCL). The QCL emitted 250 times for each wavelength in 0.2-㎛ steps from 8 to 12 ㎛ with a frequency of 100 kHz and duty ratio of 10%. Because of the nonconstant QCL emission power during on-duty, averaging the photodetector signals is essential. Averaging can be performed in digital back-end processing through a high-speed analog-to-digital converter (ADC) or in analog front-end processing through an integrator circuit. In addition, it should be considered that the 250 IR data points should be completely transferred to a PC during each wavelength tuning period of the QCL. To average and minimize the IR data, we designed a readout circuit using the analog front-end processing method. The proposed readout circuit consisted of a switched-capacitor integrator, voltage level shifter, relatively low-speed analog-to-digital converter, and micro-control unit. We confirmed that the MCT photodetector signal according to the QCL source can be accurately read and transferred to the PC without omissions.
In this study, we evaluate the anisotropic flow of droplets according to the directionality of asperities. We manufacture a mold with an inclined hole by adjusting the jig angle using a high-power diode laser. Using the manufactured mold, we prepare specimens for wettability studies by the micro molding technique. We fabricate twelve kinds of surfaces with micro-asperities inclined at 0°, 15°, 30°, and 45° for asperity pitches of 100 ㎛, 200 ㎛, and 300 ㎛. We evaluate the static and dynamic behaviors of the droplets as a function of the asperities pitch and inclination angles. The anisotropic effect increases as the pitch increases between asperities, and the anisotropic flow characteristics increase as the inclination angle of the asperities increases. On the surface with hole pitches of 100 ㎛ and 200 ㎛, the contact angle of the droplet shows high hydrophobicity at approximately 160°, but on the surface with the 300-㎛ hole pitch, the contact angle is approximately 110°, indicating that the hydrophobic effect rapidly reduces. Additionally, when the inclination angle of the asperities is approximately 30°, the left and right contact angle deviations of the droplet are the lowest, showing that the roll-off angle is relatively low.
Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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2004.05a
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pp.29-33
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2004
In this paper, we took the basic experiment in order to explore the characteristics of optical CT(optical current transformer) for measuring high current in a superhigh voltage condition using faraday effect and wrote that. We used the 1,310[nm] Laser Diode for the source of light and PIN-Photodiode for receiver. The transmission line of light was composed of the single-mode fiber of 30[m] which could maintain the state of polarization in the optical fiber. The range of current was from 400[A] to 1300[A]. In addition, the temperature ranged from $20[^{\circ}C}]\;to\;50[^{\circ}C]$. In a same experiment condition, a power magnitude increases in proportion as input current is increasing and temperature become low. The maximum ratio of error in temperature of $50[^{\circ}C]$ appears 0.15[%] and the 0.16[%], 1.24[%] and 0.07[%] is ratio of error in respectively $40[^{\circ}C],\;30[^{\circ}C],\;and\;20[^{\circ}C]$.
The output power of a crystalline silicon (c-Si) photovoltaic (PV) module is not directly the sum of the powers of its unit cells. There are several losses and gain mechanisms that reduce the total output power when solar cells are encapsulated into solar modules. Theses factors are getting high attention as the high cell efficiency achievement become more complex and expensive. More research works are involved to minimize the "cell-to-module" (CTM) loss. Our paper is aimed to focus on electrical losses due to interconnection and mismatch loss at PV modules. Research study shows that among all reasons of PV module failure 40.7% fails at interconnection. The mismatch loss in modern PV modules is very low (nearly 0.1%) but still lacks in the approach that determines all the contributing factors in mismatch loss. This review paper is related to study of interconnection loss technologies and key factors contributing to mismatch loss during module fabrication. Also, the improved interconnection technologies, understanding the approaches to mitigate the mismatch loss factors are precisely described here. This research study will give the approach of mitigating the loss and enable improvement in reliability of PV modules.
Proceedings of the Korean Society of Medical Physics Conference
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2002.09a
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pp.396-399
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2002
Intense quasi-monochromatic x-ray irradiation from the linear plasma target is described. The plasma x-ray generator employs a high-voltage power supply, a low-impedance coaxial transmission line, a high-voltage condenser with a capacity of about 200 nF, a turbo-molecular pump, a thyristor pulse generator as a trigger device, and a flash x-ray tube. The high-voltage main condenser is charged up to 55 kV by the power supply, and the electric charges in the condenser are discharged to the tube after triggering the cathode electrode. The x-ray tube is of a demountable triode that is connected to the turbo molecular pump with a pressure of approximately 1 mPa. As electron flows from the cathode electrode are roughly converged to the molybdenum target by the electric field in the tube, the weakly ionized plasma, which consists of metal ions and electrons, forms by the target evaporating. In the present work, the peak tube voltage was almost equal to the initial charging voltage of the main condenser, and the peak current was about 20 kA with a charging voltage of 55 kV. When the charging voltage was increased, the linear plasma x-ray source grew, and the characteristic x-ray intensities of K-series lines increased. The quite sharp lines such as hard x-ray lasers were clearly observed. The quasi-monochromatic radiography was performed by a new film-less computed radiography system.
Dielectric thin film mirrors are embedded in multimode and single-mode fibers by a fusion splicing technique. The fibers with $45{\circ}$ angled embedded mirrors serve as ultra-compact directional couplers with low excess optical loss of 0.2 dB for multimode and 0.5 dB for single mode at 1.3 ${\mu}m$ and excellent mechanical properties. The reflectance is wavelength dependent and strongly polarization depencient. Far-field scans of the reflected output power measured with a white-light source show a pattern which is almost circularly symmetric with aspect ratio of 1.09 at 5% of the peak power. The splitting ratio in a multimode coupler measured with a diode laser source is much less dependent on input coupling conditions than in conventional fused biconical-taper couplers, indicating that these couplers are less susceptible to modal noise occuring in optical fiber communication systems. Spectral properties of multilayer internal mirrors normal to the fiber axis have been investigated experimentally, and a matrix analysis has been used to explain the results.
Photodynamic therapy (PDT) is one of the expectable current cure operation methods. Tumor tissue is treated by abundant oxygen in a body and generated singlet or free radical from exterior laser diode and photosensitizer. Current problem of PDT is the low penetration power of the light beam in a deep seated large tumor and solid tumor thus results in low treatment outcome. In the study, we tried to develop interstitial photodynamics therapy treatment to solve this problem. As the accurate determination of light dosimetry in biological tissue is one of the most important factors affecting the effectiveness of PDT, parameters used in this study are the optical property of biological tissue. Since biological tissues have large scattering coefficient to visible light the penetration depth of a biological tissue in visible light region is only $15\~20$ mm. We showed that it is possible to measure fluence rate and penetration depth within the biological tissues by Monte Carlo simulation very well. Based on the MC simulation study, the effectiveness of interstitial photodynamic therapy on tumor control in solid tumor was proved through in vivo animal experiment.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2000.02a
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pp.186-186
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2000
After LeComber et al. reported the first amorphous hydrogenated silicon (a-Si: H) TFT, many laboratories started the development of an active matrix LCDs using a-Si:H TFTs formed on glass substrate. With increasing the display area and pixel density of TFT-LCD, however, high mobility TFTs are required for pixel driver of TF-LCD in order to shorten the charging time of the pixel electrodes. The most important of these drawbacks is a-Si's electron mobiliy, which is the speed at which electrons can move through each transistor. The problem of low carier mobility for the a-Si:H TFTs can be overcome by introducing polycrystalline silicon (poly-Si) thin film instead of a-Si:H as a semiconductor layer of TFTs. Therefore, poly-Si has gained increasing interest and has been investigated by many researchers. Recnetly, fabrication of such poly-Si TFT-LCD panels with VGA pixel size and monolithic drivers has been reported, . Especially, fabricating poly-Si TFTs at a temperature mach lower than the strain point of glass is needed in order to have high mobility TFTs on large-size glass substrate, and the monolithic drivers will reduce the cost of TFT-LCDs. The conventional methods to fabricate poly-Si films are low pressure chemical vapor deposition (LPCVD0 as well as solid phase crystallization (SPC), pulsed rapid thermal annealing(PRTA), and eximer laser annealing (ELA). However, these methods have some disadvantages such as high deposition temperature over $600^{\circ}C$, small grain size (<50nm), poor crystallinity, and high grain boundary states. Therefore the low temperature and large area processes using a cheap glass substrate are impossible because of high temperature process. In this study, therefore, we have deposited poly-Si thin films on si(100) and glass substrates at growth temperature of below 40$0^{\circ}C$ using newly developed high rate magnetron sputtering method. To improve the sputtering yield and the growth rate, a high power (10~30 W/cm2) sputtering source with unbalanced magnetron and Si ion extraction grid was designed and constructed based on the results of computer simulation. The maximum deposition rate could be reached to be 0.35$\mu$m/min due to a high ion bombardment. This is 5 times higher than that of conventional sputtering method, and the sputtering yield was also increased up to 80%. The best film was obtained on Si(100) using Si ion extraction grid under 9.0$\times$10-3Torr of working pressure and 11 W/cm2 of the target power density. The electron mobility of the poly-si film grown on Si(100) at 40$0^{\circ}C$ with ion extraction grid shows 96 cm2/V sec. During sputtering, moreover, the characteristics of si source were also analyzed with in situ Langmuir probe method and optical emission spectroscopy.
Park, Jae-joon;Park, Hongsik;Kim, Kyu-Yong;Jeon, Jong-Up
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.1
no.1
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pp.84-93
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2001
An electromagnetic micro x-y stage for probe-based data storage (PDS) has been fabricated. The x-y stage consists of a silicon body inside which planar copper coils are embedded, a glass substrate bonded to the silicon body, and eight permanent magnets. The dimensions of flexures and copper coils were determined to yield $100{\;}\mu\textrm{m}$ in x and y directions under 50 mA of supplied current and to have 440 Hz of natural frequency. For the application to PDS devices, electromagnetic stage should have flat top surface for the prevention of its interference with multi-probe array, and have coils with low resistance for low power consumption. In order to satisfy these design criteria, conducting planar copper coils have been electroplated within silicon trenches which have high aspect ratio ($5{\;}\mu\textrm{m}$in width and $30{\;}\mu\textrm{m}$in depth). Silicon flexures with a height of $250{\;}\mu\textrm{m}$ were fabricated by using inductively coupled plasma reactive ion etching (ICP-RIE). The characteristics of a fabricated electromagnetic stage were measured by using laser doppler vibrometer (LDV) and dynamic signal analyzer (DSA). The DC gain was $0.16{\;}\mu\textrm{m}/mA$ and the maximum displacement was $42{\;}\mu\textrm{m}$ at a current of 180 mA. The measured natural frequency of the lowest mode was 325 Hz. Compared with the designed values, the lower natural frequency and DC gain of the fabricated device are due to the reverse-tapered ICP-RIE process and the incomplete assembly of the upper-sided permanent magnets for LDV measurements.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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