• 제목/요약/키워드: Load capacitance

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A 50-mA 1-nF Low-Voltage Low-Dropout Voltage Regulator for SoC Applications

  • Giustolisi, Gianluca;Palumbo, Gaetano;Spitale, Ester
    • ETRI Journal
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    • 제32권4호
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    • pp.520-529
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    • 2010
  • In this paper, we present a low-voltage low-dropout voltage regulator (LDO) for a system-on-chip (SoC) application which, exploiting the multiplication of the Miller effect through the use of a current amplifier, is frequency compensated up to 1-nF capacitive load. The topology and the strategy adopted to design the LDO and the related compensation frequency network are described in detail. The LDO works with a supply voltage as low as 1.2 V and provides a maximum load current of 50 mA with a drop-out voltage of 200 mV: the total integrated compensation capacitance is about 40 pF. Measurement results as well as comparison with other SoC LDOs demonstrate the advantage of the proposed topology.

메모리 소자의 셀 커패시턴스에 미치는 공정 파라미터 해석 (Analysis of Process Parameters on Cell Capacitances of Memory Devices)

  • 정윤근;강성준;정양희
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제12권5호
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    • pp.791-796
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    • 2017
  • 본 연구에서는 DRAM 커패시터의 유전막 박막화를 위한 Load Lock(L/L) LPCVD 시스템을 이용한 적층형 커패시터의 제조 공정이 셀 커패시턴스에 미치는 영향을 조사하였다. 그 결과 기존의 non-L/L 장치에 비하여 약 $6{\AA}$의 산화막 유효두께를 낮춤으로 커패시턴스로 환산 시 약 3-4 fF의 차이가 나타남을 확인할 수 있었다. 또한 절연막으로써 질화막 두께의 측정 범위가 정상적인 관리 범위의 분포임에도 불구하고 Cs는 계산치보다 약 3~6 fF 정도 낮은 것으로 확인되었다. 이는 node poly FI CD가 spec 상한치로 관리되어 셀 표면적의 감소를 초래하였고 이는 약 2fF의 Cs 저하를 나타내었다. 따라서 안정적인 Cs의 확보를 위해서는 절연막의 두께 및 CD 관리를 spec 중심값의 10 % 이내로 관리할 필요가 있음을 확인하였다.

UHF RFID 응용을 위한 NMOS 게이트 교차연결 전류미러형 브리지 정류기의 설계 및 해석 (Design and Analysis of a NMOS Gate Cross-connected Current-mirror Type Bridge Rectifier for UHF RFID Applications)

  • 박광민
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제45권6호
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    • pp.10-15
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    • 2008
  • 본 논문에서는 UHF RFID 응용을 위한 새로운 NMOS 게이트 교차연결 전류미러형 브리지 정류기를 제시하였다. 제시된 정류기의 직류 변환 특성은 고주파 등가회로를 이용하여 해석하였으며, 주파수 증가에 따른 게이트 누설전류를 회로적인 방법으로 줄일 수 있는 게이트 커패시턴스 감소 기법을 이론적으로 제시하였다. 구해진 결과, 제안한 정류기는 기존의 게이트 교차 연결형 정류기와 거의 같은 직류 출력전압 특성을 보이면서도, 게이트 누설전류가 1/4 이하로 감소하고, 부하저항에서의 소비전력도 30% 이상 감소하며, 부하저항의 변화에 대해 보다 안정적인 직류전압을 공급함을 알 수 있었다. 또한 제안한 정류기는 13.56MHz의 HF(for ISO 18000-3)부터 915MHz의 UHF(for ISO 18000-6) 및 2.45GHz의 마이크로파 대역 (for ISO 18000-4)까지의 전 주파수 범위에 대해 충분히 높고 잘 정류된 직류 변환 특성을 보여 특정 주파수 대역을 사용하는 다양한 RFID 시스템의 트랜스폰더 칩 구동을 위한 범용 정류기로 사용될 수 있다.

강유전체 위상 변위기를 위한 Reactive Circuit 설계 및 구현 (Design and Implementation of Reactive Circuit for Ferroelectric Phase Shifter)

  • 김영태;문승언;이수재;김선형;박준석;조홍구
    • 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신설비학회 2003년도 하계학술대회
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    • pp.286-288
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    • 2003
  • In this paper, in order to obtain a large differential phase shift with a little change in applied voltage, a ferroelectric reflective load circuit has been designed on top of barium strontium titanate $(Ba,Sr)TiO_3$ [BST] thin film. The design of the ferroelectric reflection-type phase shifter is based on a reflection theory of terminating circuit, which has a reflection-type analogue phase shifter with two ports terminated in symmetric phase-controllable reflective networks. To achieve large amounts of phase shift in low bias-voltage range, the effects of change of capacitance and transmission line connected with two coupled ports of a 3-dB $90^{\circ}$ branch-line hybrid coupler have been investigated. A large phase shift with a small capacitance change in the parallel terminating circuit has been demonstrated in the paper.

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정적 CMOS 회로의 단락 소모 전력 예측 기법 (Estimation of Short Circuit Power in Static CMOS Circuits)

  • 백종흠;정승호;김석윤
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제37권11호
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    • pp.96-104
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    • 2000
  • 본 논문은 정적 CMOS 회로의 단락전류로 인한 전력 소모을 구하기 위한 간단한 방법을 제시한다. 단락전류식은 게이트와 드레인 사이에 존재하는 커플링 커패시턴스의 영향을 고려하여 실제 전류 파형의 극점을 정확하게 보간함으로써 유도하였다. 트랜지스터의 출력 파형을 조사한 후 모형화한 전류 수식을 기반으로 CMOS 회로의 지연 시간을 예측하기 위한 거시모형과 수식들을 제안하였다. 제안된 방법은 시뮬레이션을 통하여 현재의 기술 동향 특성인 신호 천이시간과 부하 커패시턴스가 감소하는 경우에 대해 이전의 연구보다 더욱 정확하고 신속히 예측할 수 있음을 보였다. 또한 제안된 거시모형은 전류식이 변할지라도 전력 소모를 계산하는데 쉽게 적용이 가능하다.

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태양광 위치 추적 제어를 고려한 에너지 Harvesting AC/DC 전력 변환기 구동에 관한 연구 (A Study on AC/DC Power Converter of Energy Harvesting for Considered to Solar Position Tracking Control)

  • 나승권;구기준
    • 한국항행학회논문지
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    • 제18권1호
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    • pp.56-66
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    • 2014
  • 태양광 발전에 있어서 태양전지는 일사량, 온도와 부하에 의해 크게 변동하기 때문에 태양전지에 대한 특성 해석이 필요하다. 또한 태양광 발전에 있어서 가능한 많은 에너지를 얻기 위해서는 환경변화에 따른 태양의 위치추적이 필요하며 태양전지의 출력을 항상 최대로 제어할 필요가 있다. 센서와 마이크로프로세서 칩으로 구현된 본 시스템의 실험 결과는 Boost 컨버터의 승압율은 167[%], 소용량에서 에너지 Harvesting 개념과 위치추적 방식의 태양광 발전 구현 가능성을 제시하였다.

The Characteristics of Planar EMI Filter with Bi-Ground Layers Considering Impedance Mismatching

  • Wang, Shishang;Song, Zheng;Lou, Qianceng
    • Journal of Power Electronics
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    • 제16권3호
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    • pp.1200-1208
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    • 2016
  • Planar electromagnetic interference (EMI) filter has significant engineering significance to power electronic system integration and miniaturization. However, the value of differential mode capacitance cannot meet the demand of noise suppression because of the size limit of ceramics. In this case, the EMI filter of novel multilayers is recommended to address this issue. A novel integrated structure of EMI filter based on multilayer ceramic is proposed in this study. The inductance and capacitance of the new structure can be designed separately, which is an advantage in manufacturing. Insertion loss is measured more closely to the actual situation in this study, which is different from the condition where source and load impedances are both 50 Ω. In the process of designing a novel EMI filter, noise impedance is considered. Moreover, the prototype is created and applied to a small switching power supply, which verifies the effectiveness of the developed EMI filter.

Effect of Circuit Parameters on Stability of Voltage-fed Buck-Boost Converter in Discontinuous Conduction Mode

  • Feng, Zhao-He;Gong, Ren-Xi;Wang, Qing-Yu
    • Journal of Electrical Engineering and Technology
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    • 제9권4호
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    • pp.1283-1289
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    • 2014
  • The state transition matrix are obtained by solving state equations in terms of Laplace inverse transformation and Cayley-Hamilton theorem, and an establishment of a precise discrete-iterative mapping of the voltage-fed buck-boost converter operating in discontinuous conduction mode is made. On the basis of the mapping, the converter bifurcation diagrams and Lyapunov exponent diagrams with the input voltage, the resistance, the inductance and the capacitance as the bifurcation parameters are obtained, and the effect of the parameters on the system stability is deeply studied. The results obtained show that they have a great influence on the stability of the system, and the general trend is that the increase of either the voltage-fed coefficient, input voltage or the load resistance, or the decrease of the filtering inductance, capacitance will make the system stability become poorer, and that all the parameters have a critical value, and when they are greater or less than the values, the system will go through stable 1T orbits, stable 2T orbits, 4T orbits, 8T orbits and eventually approaches chaos.

Bi0.5(Na0.84K0.16)0.5TiO3 세라믹스로 보상된 AT-cut 수정 공진자의 주파수 온도특성 (Frequency-temperature Characteristics of AT-cut Crystal Resonator Compensated by Bi0.5(Na0.84K0.16)0.5TiO3 Ceramics)

  • 오동언;문경현;류주현
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제18권7호
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    • pp.610-614
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    • 2005
  • In this paper, simple AT-cut crystal resonator utilizing $Bi_{0.5}(Na_{0.84}K_{0.16})_{0.5}TiO_3$ relaxator ceramics as load capacitator were designed and their frequency-temperature characteristics were investigated. In order to modify temperature dependance of dielectric constant, $Bi_{0.5}(Na_{0.84}K_{0.16})_{0.5}TiO_3$ ceramics were manufactured with the variations in Sr substitution. At the composition with $6\;mol\%$ Sr substitution as load capacitator, frequency-temperature characteristics of AT-cut crystal resonators with the series load capacitance were similarly varied as those of cut orientation variation, and also compensated.

발룬을 이용한 푸쉬풀 구조의 도허티 증폭기 설계 (Design of Doherty Amplifier With Push-Pull Structure Using BALUN Transform)

  • 정형태;김성욱;장익수
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제41권4호
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    • pp.51-58
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    • 2004
  • 본 논문에서는 발룬(Balun) 임피던스 트랜스포머(transformer)를 이용한 새로운 구조의 도허티 증폭기를 설계하였다. 도허티 증폭기의 보조 증폭기는 부하변조를 위해 낮은 출력 영역에서 동작이 되지 않도록 설계되며, 일반적으로 보조 증폭기가 동작하지 않는 경우 증폭기의 출력 임피던스는 개방이 된다고 가정한다. 그러나 실제로 구현된 보조 증폭기의 출력 일피던스는 출력단 정합회로의 임피던스 변환 효과에 의해 개방이 아닌 낮은 임피던스 값을 갖게 된다. 본 논문에서는 상기와 같은 보조 증폭기의 특성을 이용하여 새로운 방식의 푸쉬풀 구조 도허티 증폭기를 설계하였다. 제작된 도허티 증폭기는 2개 반송파의 WCDMA 입력 신호에 대하여 출력전력 40㏈m에서 5㎒ 오프셋 주파수 인접채널 누설전력 비율 -37.3㏈c와 23.7%의 효율 특성을 나타내었다.