• 제목/요약/키워드: Load/Source-Pull

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A novel design of DC-DC converter for photovoltaic PCS

  • Park, Sung-Joon
    • Journal of information and communication convergence engineering
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    • 제7권2호
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    • pp.107-112
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    • 2009
  • Renewable energy resources will be an increasingly important part of power generation in the new millennium. Besides assisting in the reduction of the emission of greenhouse gases, they add the much needed flexibility to the energy resource mix by decreasing the dependence on fossil fuels. Due to their modular characteristics, ease of installation and because they can be located closer to the user, PV system have great potential as distributed power source to the utilities. In this paper, a dc-de power converter scheme with the push-pull based technology is proposed to apply for solar power system which has many features such as high efficiency, stable output, and low acoustic noises, DC-DC converter is used in proposed topology has stable efficiency curve at all load range and very high efficiency characteristics. This paper presents the design of a single-phase photovoltaic inverter model and the simulation of its performance.

24GHz 대역 국부발진기용 주파수 체배기 설계 및 제작 (Design and Fabrication of the Frequency Doubler for 24GHz Local Oscillator)

  • 서곤;김장구;한석균;박창현;최병하
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2003년도 추계종합학술대회
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    • pp.411-415
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    • 2003
  • 본 논문에서는 고주파 특성이 우수한 NEC사의 ne71300-N MESFET를 이용하여 24GHz 대역 국부 발진기용 주파수 체배기를 설계 및 제작하였다. 멀티하모닉 로드 풀 시뮬레이션을 통하여 최적의 고조파 소스ㆍ부하 임피던스를 선택하였다. 리플렉터를 이용하여 변환 이득을 개선할 수 있었고, 대역 저지필터를 이용하여 기본파와 3차 고조파 성분을 억제하였다. 측정한 결과 0dBm의 입력신호에ㆍ대해 출력주파수인 24GHz에서의 출력 전력은 -3.776dBm이고, 변환 이득은 0.736dB, 41.064dBc의 고조파 억압 특성을 얻었다.

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S-대역 300 W급 GaN HEMT 고조파 튜닝 내부 정합 전력증폭기 (S-Band 300-W GaN HEMT Harmonic-Tuned Internally-Matched Power Amplifier)

  • 강현석;이익준;배경태;김세일;김동욱
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제29권4호
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    • pp.290-298
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    • 2018
  • 본 논문에서는 Wolfspeed사의 CGHV40320D GaN HEMT를 사용하여 LTE 밴드 7 대역에서 동작하는 S-대역 300 W급 내부 정합 전력증폭기를 설계하고 제작하였다. 비선형 모델을 바탕으로 기본주파수 및 고조파에서 소스풀 및 로드풀 시뮬레이션을 수행하여 최적 임피던스를 추출하였고, 세라믹 패키지 내부에 고조파 임피던스를 튜닝한 정합회로가 적용되었다. 비유전율 40의 고유전율 기판과 RF35TC PCB 기판을 사용하여 제작된 내부 정합 전력증폭기는 펄스 주기 1 ms, 듀티 10 %의 펄스 모드 조건에서 전력 성능이 측정되었으며, 2.62~2.69 GHz에서 257~323 W의 최대 출력 전력과 64~71 %의 드레인 효율, 11.5~14.0 dB의 전력 이득을 보였다. LTE 신호 기반의 ACLR 측정에서는 79 W의 평균 출력 전력에서 42~49 %의 드레인 효율을 보였고 2.62 GHz를 제외한 전체 주파수 대역에서 -30 dBc 이하의 성능을 보였다.

Systematic Approach for Design of Broadband, High Efficiency, High Power RF Amplifiers

  • Mohadeskasaei, Seyed Alireza;An, Jianwei;Chen, Yueyun;Li, Zhi;Abdullahi, Sani Umar;Sun, Tie
    • ETRI Journal
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    • 제39권1호
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    • pp.51-61
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    • 2017
  • This paper demonstrates a systematic approach for the design of broadband, high efficiency, high power, Class-AB RF amplifiers with high gain flatness. It is usually difficult to simultaneously achieve a high gain flatness and high efficiency in a broadband RF power amplifier, especially in a high power design. As a result, the use of a computer-aided simulation is most often the best way to achieve these goals; however, an appropriate initial value and a systematic approach are necessary for the simulation results to rapidly converge. These objectives can be accomplished with a minimum of trial and error through the following techniques. First, signal gain variations are reduced over a wide bandwidth using a proper pre-matching network. Then, the source and load impedances are satisfactorily obtained from small-signal and load-pull simulations, respectively. Finally, two high-order Chebyshev low-pass filters are employed to provide optimum input and output impedance matching networks over a bandwidth of 100 MHz-500 MHz. By using an EM simulation for the substrate, the simulation results were observed to be in close agreement with the measured results.

대형 TFT-LCD TV에 적용 가능한 Source Driver IC 감마보정전압 구동용 앰프설계에 관한 연구 (A Study on the Design of Amplifier for Source Driver IC applicable to the large TFT-LCD TV)

  • 손상희
    • 전기전자학회논문지
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    • 제14권2호
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    • pp.51-57
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    • 2010
  • 대형 TFT LCD 판넬의 감마보정전압을 구동하기 위한 레일-투-레일 고전압 CMOS 완충 증폭기를 제안하였다. 이 회로는 단일 전압하에서 동작하고 18V 전압원에서 0.5mA 의 전류소비특성을 나타내며 8비트/10비트 고해상도 TFT LCD 판넬의 감마보정 전압 구동을 위하여 설계하였다. 이 회로는 높은 slew rate, 0.5mA의 정적 전류특성을 나타내며 1k$\Omega$의 저항성/용량성 부하구동 능력을 가지고 있다. 또한 넓은 출력 공급범위를 지니며, 5mA의 출력 정전류를 내보낼 경우 50mV미만의 옵셋전압 특성을 가진다. 또한, 용량성 부하 구동시 입력기준 옵셋전압이 2.5mV 미만인 좋은 특성을 나타낸다. 본 논문에서는 넓은 스윙입력범위와 출력 동작 범위을 얻기 위해 전류미러형 n-채널 차동증폭기, p-채널 차동증폭기, AB-급 푸쉬-풀 출력단, 히스테리시스 비교기를 사용한 입력레벨 검출기 등을 사용하였다. 제안된 회로는 고전압 디스플레이 구동 IC에 사용하기 위해 0.18um 18V 고전압 CMOS 공정기술에 의해 제작되었다. 제안된 회로는 8~18V의 공급 전압 범위에서 동작한다.