• 제목/요약/키워드: Line tunneling

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The impact of EPB pressure on surface settlement and face displacement in intersection of triple tunnels at Mashhad metro

  • Eskandari, Fatemeh;Goharrizi, Kamran Goshtasbi;Hooti, Amir
    • Geomechanics and Engineering
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    • 제15권2호
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    • pp.769-774
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    • 2018
  • The growth of cities requires the construction of new tunnels close to the existing ones. Prediction and control of ground movement around the tunnel are important especially in urban area. The ground respond due to EPB (Earth Pressure Balance) pressure are investigated using the finite element method by ABAQUS in intersection of the triplet tunnels (Line 2, 3 and 4) of Mashhad Urban Railway in Iran. Special attention is paid to the effect of EPB pressure on the tunnel face displacement. The results of the analysis show that in EPB tunneling, surface settlement and face displacement is related to EPB pressure. Moreover, it is found that tunnel construction sequence is a great effect in face displacement value. For this study, this value in Line 4 where is excavated after line 3, is smaller than that line. In addition, the trend of the displacement curves are changed with the depth for all lines where is located in above and below, close to and above the centerline tunnel face for Line 2, 3 and 4, respectively. It is concluded that: (i) the surface settlement decreases with increasing EPB pressure on the tunnel face; (ii) at a constant EPB pressure, the tunnel face displacement values increase with depth. In addition, this is depended on the tunneling sequence; (iii) the trend of the displacement curves change with the depth.

Si3N4장벽층을 이용한 경사형 모서리 접합의 터널링 자기저항 특성 (Tunneling Magnetoresistance of a Ramp-edge Type Junction With Si3N4 Barrier)

  • 김영일;황도근;이상석
    • 한국자기학회지
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    • 제12권6호
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    • pp.201-205
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    • 2002
  • 경사형 모서리접합을 이용한 터널링 자기저항(tunneling magnetoresistance; TMR) 특성을 연구하였다. 박막 증착과 식각은 스퍼터링과 사이크로트론 전자공명 (electron cyclotron resonance; ECR) 장치를 각각 사용하였다. Si$_3$N$_4$ 장벽층을 이용한 접합의 다층구조는 NiO(60)/Co(10)/NiO(60)/Si$_3$N$_4$(2-6)/NiFe(10) (nm)이었다. 상하부 반강자성체 NiO에 삽입된 wedged 형태의 고정층 Co와 장벽층 Si$_3$N$_4$위에 경사진 비대칭 구조에서 자유층 NiFe간의 접합에서 일어나는 특이한 스핀의존 터널링 현상이 관찰되었다. 외부자장이 0Oe일 때와 접합경계선에 수직방향으로 90Oe일 때 측정한 접합소자의 전류전압특성 곡선이 현저하게 구별되어 나타났다. TMR의 인가 전압의존성은 $\pm$10 V일 때도 약 -10%을 유지하는 매우 안정된 자기저항 특성을 보여주었다.

SPM을 이용한 수소화된 p형 Si(100) 표면의 미세구조 제작 (Fabrication of Nanometer-scale Structure of Hydrogen-passivated p-type Si(100) Surface by SPM)

  • 김동식
    • 대한전자공학회논문지TE
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    • 제39권2호
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    • pp.29-33
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    • 2002
  • 수소화된 p형 Si(100)표면에 대기중에서 작동하는 주사형 터널링 현미경(scanning tunneling microscopy-STM)을 이용하여 미세구조를 제작하였다. 시료의 표면처리는 HF 용액에 1분간 담가 수소화하였다. STM의 탐침은 백금합금을 역학적인 방법으로 45$^{\circ}$로 잘라서 사용하였다. STM의 바이어스 전압을 변화시켜가며 미세구조를 제작하였다. 최적의 미세구조 선폭은 30 nm이고 이 때의 바이어스 전압은 1.7V, 터널링 전류는 1nA였다.

Effect of spatial characteristics of a weak zone on tunnel deformation behavior

  • Yoo, Chungsik
    • Geomechanics and Engineering
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    • 제11권1호
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    • pp.41-58
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    • 2016
  • This paper focuses on the deformation behavior of tunnels crossing a weak zone in conventional tunneling. A three-dimensional finite element model was adopted that allows realistic modeling of the tunnel excavation and the support installation. Using the 3D FE model, a parametric study was conducted on a number of tunneling cases with emphasis on the spatial characteristics of the weak zone such as the strike and dip angle, and on the initial stress state. The results of the analyses were thoroughly examined so that the three-dimensional tunnel displacements at the tunnel crown and the sidewalls can be related to the spatial characteristic of the weak zone as well as the initial stress state. The results indicate that the effectiveness of the absolute displacement monitoring data as early warning indicators depends strongly on the spatial characteristics of the weak zone. It is also shown that proper interpretation of the absolute monitoring data can provide not only early warning for a weak zone outside the excavation area but also information on the orientation and the extent of the weak zone. Practical implications of the findings are discussed.

쉴드 TBM 트러블 사례 및 매개변수 연구를 통한 원인 분석 (Shield TBM trouble cases review and parameter study for the cause analysis)

  • 고성일;나유성;김범주
    • 한국터널지하공간학회 논문집
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    • 제22권2호
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    • pp.197-217
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    • 2020
  • 서울지하철 7, 9호선에 적용한 쉴드TBM은 소음 및 진동, 막장면의 안정성 확보 측면에서 발파공법에 비해 매우 안전한 공법이다. 또한, 쉴드TBM은 지반조건이 연약한 경우 효과적이다. 그러나 지반조건과 토피, 지하수 등의 여건에 적합하지 않은 장비를 적용할 경우 장비고장, 잦은 굴진중단, 특히 예상치 못한 불량한 지반을 통과하게 될 경우 터널 굴진 중 트러블이 발생할 수 있다. 본 논문은 일본 쉴드TBM 굴착중의 사고 및 트러블에 대한 사례를 정리하였다. 이중 대표적인 트러블 사례를 이용하여 지반변위 형상에 대한 실제발생 경향을 파악하였으며 수치해석을 통해 역해석결과와 상호비교하였다. 이를 토대로 막장 지보압을 산정할 경우 수치해석 적용시의 오차를 줄이는 방안을 제안하였다.

IoT 기반 스마트 게이트웨이 VPN 터널링 제어 시스템 (Smart Gateway VPN Tunneling Control System based on IoT)

  • 양승의;김창수;이종원;정회경
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2017년도 춘계학술대회
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    • pp.575-576
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    • 2017
  • 최근 스마트게이트웨이가 연구됨에 따라 빅 데이터와 IoT(Internet of Things)를 통해 부가적인 서비스를 제공할 수 있다. 그러나 기존 시스템은 연결되는 기기의 수가 증가함에 따라 네트워크의 안정성이 저하되며 데이터 보안이 취약한 문제점이 있었다. 본 논문에서는 이러한 문제점을 해결하기 위해 IoT 기반 스마트 게이트웨이 VPN 터널링 제어 시스템을 설계한다. 공유기 수준의 저사양의 타겟에 효율적인 VPN 터널링 기술과 인터넷 회선품질의 변화가 심한 환경에서 실시간에 효율적으로 트래픽을 제어하는 방법을 제시하여 원격지에서 VPN을 통해 안전하게 댁내의 센서 제어가 가능하도록 한다.

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포인트 터널링과 라인 터널링을 모두 고려한 실리콘 기반의 포켓 터널링 전계효과 트랜지스터의 최적 구조 조건 (Guide Lines for Optimal Structure of Silicon-based Pocket Tunnel Field Effect Transistor Considering Point and Line Tunneling)

  • 안태준;유윤섭
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2016년도 추계학술대회
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    • pp.167-169
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    • 2016
  • 이 논문은 라인 터널링과 포인트 터널링을 모두 고려한 포켓 터널링 전계효과 트랜지스터의 여러가지 구조 및 물질 파라미터에 따른 시뮬레이션 결과를 소개한다. 포켓의 도핑 농도와 두께가 증가할수록 구동전류 $I_{on}$이 증가하고 포켓의 두께와 게이트 절연체의 유전율이 증가할수록 SS(subthreshold swing)가 좋아짐을 보인다. hump 효과는 SS를 나쁘게 하기 때문에 최소화할 수 있도록 최적의 구조를 만들어야 한다.

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남산1호터널 쌍굴 굴진공사 정밀발파 작업에 대한 안전도검토 (On the Cautious blasting pattern of Weak zone of NAMSAN NO. twin Tunneling)

  • 허진
    • 화약ㆍ발파
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    • 제8권4호
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    • pp.3-22
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    • 1990
  • The $\varphi{4.5}$ meters pilot tunneling work is almost done to the $\varphi{11.3}$ meters twin tunnel of NAM SAN No1. The south side pit of 400 meters is weak zone of Rock status, so client request us to allow the cautious blasting pattern for drilling on the condition of 0.2 kine vibration allowance limited for the safety of side running tunnel. The pattern of cautious blasting carried out by 6 time divided fiving on the round drilling depth of 1.20 meters(1.10) and also applied control blasting method with line drilling due to the reduction of vibration.

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터널 굴진으로 인한 지상구조물에 미치는 지하수, 진동 및 소음 영향에 대한 조사연구 (On the study of Blasting Vibration Sound & Underground water Influenced to Building Structure in the Shaft sinking and Tunneling)

  • 허진
    • 화약ㆍ발파
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    • 제14권3호
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    • pp.3-9
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    • 1996
  • The scope of this cable works was as follows, it was drilled two shafts, NO. 1 shaft (${\phi}6.8m{\times}31m$), NO.2 shaft (${\phi}6.8m{\times}33m$), ) and it was connected two shaft in Tunneling. The first, it was needed to investigate the surey of influenced of vibration and noise by blastig to near by housing structure. 2nd, it was essential to decide the boundary line of influenced for agriculture water and portable water, by draw down of underground water. Blasting works has been done successfully without any problem, but by draw down of underground water, with in 250m level from #1 shaft, agriculture well drilled 8 place and portable water well drilled 7 place for near by farmers.

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터널링 전계효과 트랜지스터 구조 특성 비교 (Comparative Investigation on Tunnel Field Effect transistors(TFETs) Structure)

  • 심언성;안태준;유윤섭
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2016년도 추계학술대회
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    • pp.616-618
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    • 2016
  • TCAD 시뮬레이션을 이용하여 터널링 전계효과 트랜지스터(Tunnel Field-Effect Transistor; TFET) 구조에 따른 특성을 조사하였다. Single-Gate TFET, Double-Gate TFET, Pocket TFET, L-shaped TFET 구조 중에서 Pocket TFET와 L-shaped TFET이 on-current와 subthreshold swing에서 가장 좋은 성능을 보였다. 본 논문은 터널링 전계효과 트랜지스터의 새로운 구조에 대한 가이드라인을 제시하고자 한다.

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