• 대한전자공학회논문지
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• 제13권3호
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• pp.7-10
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• 1976

단일 펄스의 Nd-YAG 레이저를 발생시키기 위한 Q-스인치로서 LiNbO3 크리스탈을 사용할때 생기는 난점을 해결하기 위하여 그 중계자 특성을 조사하였으며 간단한 해결 방법을 제시하였다. To eliminate some difficulties encountered in the operation of LiNbO3crystal as a Q-switch for generating a single pulse Nd-YAG laser, the operational characteristics of the crystal, was investigated. Also a simple method for solving the difficulties was presented.

• 한국재료학회지
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• 제9권2호
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• pp.163-167
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• 1999

LiNbO$_3$films were prepared by an rf-magnetron sputtering technique using sintered target containing potassium. The potassium was included to help to fabricate stoichiometric LiNbO$_3$film. Structural and electrical properties of thin films was investigated as a function of deposition condition. Optimum sputtering conditions were rf power of 100W, working pressure of 1m Torr and substrate temperature of 58$0^{\circ}C$. The thin film was grown to (012) preferred orientation. The dielectric constant of the thin film LiNbo$_3$ fabricated under optimum condition was 55 at 1MHz. Average grain size is about 200$\AA$ and roughness of the film is small enough to apply to optic devices.

• 한국세라믹학회지
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• 제26권1호
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• pp.37-42
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• 1989

Periodic layered domain structures in doped LiNbO3 crystals grown by Czochralski method were obtained by thermal fluctuation and crystal rotation with inhomogeneous radial temprature distribution. The stressinduced domain formation mechanism model was suggested and discussed.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2008년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.375-376
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• 2008

• 한국세라믹학회지
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• 제22권5호
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• pp.43-46
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• 1985

Constitutional supercooling due to concentration gradient at solid-liquid interface in the melt can be avioded by increasing rotational speed for growing $LiNbO_3$ single crystals from the stoichiometric melt. Growth conditions for high quality crystals were determined by rotational speed by which other growth parameters were adjusted.

• 한국결정성장학회지
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• 제2권1호
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• pp.43-50
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• 1992

인상속도를 변수로 Czochralski법을 이용하여 $ LiNbO_3$결정들을 성장시켰다. 성장된 단결정에 균열, 기포, 셀 구조 등의 결함들이 관찰되었다. 균열들은 인상속도와 냉각속도에 매우 민감하였는데 6~7mm/h의 인상속도와 20^{circ}C/h의 냉각속도가 직경 15mm정도의 결정성장에 적당한 조건임을 알 수 있었다. 소자응용에 필요한 유전적 성질 및 광학적 성질 등을 알아보기 위하여 a축, c축방향에 따라 절삭된 시편을 온도를 변화시켜가며 측정하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제39권9호
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• pp.835-839
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• 2002

Micro-Pulling Down(${\mu}$-PD)법을 이용하여 직경 1 mm, 길이 30∼35 mm의 $Er_2O_3$와 MgO가 첨가된 화학양론조성 $LiNbO_3$단결정을 성장하였다. 성장된 결정의 $Er_2O_3$와 MgO 첨가에 따른 up-conversion 특성의 변화 및 MgO 첨가량이 광손상에 미치는 영향을 관찰하기 위해 투과율을 측정하였다. 또한 $LiNbO_3$ 단결정 내의 결함유무를 광학현미경을 이용하여 관찰하였고, Electron Probe Micro Analysis(EPMA)를 이용하여 결정 내에 $Er_2O_3$와 MgO가 균일하게 분포되어있음을 확인하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제15권3호
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• pp.124-127
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• 2005

[ $Ti:LiNbO_3$ ], 광도파로 제작을 위해 큐리온도$(T_c)$ 아래에서 백금박스 내에서 알곤 과 산소 분위기 내에서 열처리 과정 동안 기판 표면의 강유전 도메인 특성 변화를 관찰하였다. 열처리 된 $LiNbO_3$ 기판의 +Z면의 경우 전체적으로 약 $1.6{\mu}m$ 두께로 도메인 반전이 이루어 졌으며, 표면에서 etch hillock이 관찰되었다. $LiNbO_3$ 결정 표면의 Li 이온이 외부로 확산 되는 영향을 감소시킬 수 있는 환경에 있는 기판 면에서 하나의 도메인이 관찰되었으며, 이때 결정 표면에서의 식각특성, 결정성 및 양이온 분포변화에 관하여 X-선 회절, AFM 및 SIMS를 이용하여 분석하였다.

• 한국광학회지
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• 제4권3호
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• pp.323-329
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• 1993

본 논문에서는 광굴절 특성을 나타내는 파라메타중 회절효율의 전도도비(${\sigma}_d$/{\sigma}_p$) 의존성에 관해 연구 하였다. 전도도비는 입사빔의 세기에 의존하며, 암전도도 ${\sigma}_d$가 광전도도 ${\sigma}_p$ 에 비해 무시할 수 없을 때 입사빔의 세기에 따라 전도도비가 변화되고, 전도도비의 변화는 결정 내의 정전기장에 영향을 주게 된다. 정전기장의 변화는 전기광학효과에 의해 굴절율을 변화시키고, 굴절율의 변화는 회절효율과 관계한다. 개방회로 상태에서 0.1%/mole $Fe:LiNbO_3$ 결정과 $LiNbO_3$ 웨이퍼에 Fe를 증착시킨 LiNb$O_3$에서 두 입사빔의 세기비와 입사빔세기의 합을 다르게 할 때 회절효율을 측정하고 이론값과 비교하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권7호
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• pp.517-520
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• 2010

Lead-free $0.9(Na_{0.52}K_{0.48})NbO_3$ - $0.1LiTaO_3$ piezoelectric ceramics doped with $Ag_2O$ (0-4 mol%) have been prepared by the conventional mixed oxide method. The structural and electrical properties were analyzed in order to find its potential applications. The crystal structure of 1-4 mol% Ag doped $0.9(Na_{0.52}K_{0.48})NbO_3$-$0.1LiTaO_3$ lead free piezoelectric ceramics were investigated for several sintering temperatures ($1100^{\circ}C$) by the use of X-ray diffraction analysis. In order to analyze the effect of Ag dopants on the $0.9(Na_{0.52}K_{0.48})NbO_3$-$0.1LiTaO_3$ ceramic, the diffraction intensity ratio of the (002) to (200) planes were calculated from the X-ray diffraction patterns of the ceramic samples.