Surface Acoustic Wave(SAW) devices can be used to as wireless sensor elements, called SAW transponders, for measuring shysical quantities such as temperature that do not need any power supply and may be accessed wirelessly. SAW devices were fabricated on Y-Z $LiNbO_3$ piezoelectric substrate with a good temperature coefficient property. The signal response of SAW sensor on the temperature change were compared. To measure the change of SAW velocity. Temperature changed form $20^{\circ}C$ to $400^{\circ}C$ was linearly changed, the SAW sensor is application to the temperature sensor.
In this paper, we investigate the polarization multiplexing for micro holographic storage. The proposed multiplexing method is performed by using crystal media that use photorefractive materials such as Fe-doped $LiNbO_3$. We discuss the feasibility of fast recording, high capacity and transfer rate for polarization multiplexing method. Finally, we experimentally verify the proposed method using polarization selectivity.
SAW filter was designed by optimization technique using impulse sampling. To carry out characteristics of SAW filter the uniform IDT was adapted. And SAW filter was fabricated on $LiNbO_3$ substrates to evaluate frequency response. To apply properties of photolithography, lift off method was used. Lift off method was superior to etch method in fabrication process, frequency response property was measured by network analyzer. From a measurement of acoustic property, SAW propagation velocity was 2663.5m/sec.
GaAs/AlGaAs나 InGaAs/InGaAsP와 같은 반도체 기판을 이용한 전계광학 광변조기는 LD나 SOA와 같은 광소자와 단일기판 집적이 가능하고 낮은 chirping과 높은 변조대역폭을 갖는 외부광변조기로서의 장점으로 인하여 마이크로파 대역의 초고속광통신소자로 각광을 받아왔다. 특히 진행파의 속도가 정합된 traveling-wave 전극 구조를 갖는 경우 변조대역폭은 30-400Hz에 달하고 있다$^{(1)}$ . 그러나 한편으로는 반도체의 전계광학계수(electro-Optic Coefficient)가 LiNbO$_3$에 비해 10분의 1정도로 작아 상대적으로 동작전압이 커지는 단점이 대두되며 실제 구동전압이 수십 V에 이르고 있다. 이런 단점을 극복하기 위하여 p-i-n 구조를 이용하여 전계 집속도를 높이는 방법이 제안되어 동작전압이 2 V/mm 정도까지 감소하였다$^{(2)}$ . 본 논문에서는 이와 같은 반도체 전계광학 광변조기에서의 소신호 및 대신호 광변조특성을 분석함으로써 보다 높은 변조대역폭과 보다 낮은 동작전압을 갖는 구조를 연구하였다. (중략)
전고체전지의 상용화를 위해서는 상온에서 작동이 가능한 고체전해질 개발이 필수적이며 이온전도도가 높은 물질을 채택하여 전고체전지를 제조해야 한다. 따라서, 기존의 옥사이드 계열의 고체의 이온전도도를 높이기 위하여 이종원소가 도핑된 Li7La3Zr2O12 (LLZO)를 필러소재(Al, Nb-LLZO)로 사용하였으며, 상온에서 작동이 가능하도록 Poly(ethylene oxide)/Poly(propylene carbonate) (PEO/PPC) 기반의 가넷형 무기계 고체고분자 전해질을 제조하였다. 이원금속 원소를 도핑한 가넷형 무기계 필러와 PEO/PPC (1:1 비율로 섞인) 고분자를 1:2.4의 비율로 균일하게 교반하여 전해질을 합성해 상온과 60 ℃에서 전고체 전지의 전기학적 성능을 분석하였다. 제조한 복합 전해질은 이원금속의 도핑으로 인하여 이온전도도가 향상되었으며, PEO 단독으로 사용하는 전해질보다 PPC를 1:1로 첨가하였을 때 이온전도도 향상을 도와 60 ℃ 뿐만 아니라 상온에서 전고체 전지의 용량과 용량 유지율이 개선되었음을 확인하였다.
Anti-Reflective (AR) thin film coatings of $SiO_2$ (n= 1.48) and $TiO_2$ (n=2.17) were deposited by ion-beam assisted deposition (IBAD) with End-Hall ion source and conventional electron beam (e-beam) evaporation to investigate the effect of deposition method on the refractive indicies (n) of the fIlms. Green-light generation using a GaAs laser diode was achieved via excitation of the second harmonic. The latter resulted from the transmission of the fundamental guided-mode wave of 1064 nm through periodically poled $LiNbO_3$. Large differences in the refractive indicies of each of the layers in the multilayer coating may improve AR performance. IBAD of $SiO_2$ reduced its refractive index from 1.45 to 1.34 at 1064 nm. Conversely, e-beam evaporation of $TiO_2$ increased its refractive index from 1.80 to 2.11. In addition, no fluctuations in absorption at the wavelength of 1064 nm were found. The results suggest that films prepared by different deposition methods can increase the effectiveness of multilayer AR coatings.
Based on the linear electro-optic (EO) effect of lithium niobite (LiNbO3, LN) crystal, an intense two-dimensional (2D) electric field sensor was analyzed, fabricated and experimentally demonstrated. The linear polarized light beam transmits along the optical axis (z-axis) of the LN crystal, and the polarization direction of the polarized light is 45° to the y-axis. The sensor can detect the intensity of a 2D electric field that is perpendicular to the z-axis. Experimental results demonstrated that the minimum detectable electric field of the sensor is 10.5 kV/m. The maximum detected electric field of the sensor is larger than 178.9 kV/m. The sensitivity of the sensor is 0.444 mV/(kV·m-1). The variation of the sensitivity is within ±0.16 dB when the sensor is rotated around a z-axis from 0° to 360°. The variation of the sensor output optical power is within ±1.4 dB during temperature change from 19 ℃ to 26 ℃ in a day (from 7:00 AM to 23:00 PM) and temperature change from 0 ℃ to 40 ℃ in a controllable temperature chamber. All theoretical and experimental results revealed that the fabricated sensor provides technology for the direct detection of intense 2D electric fields.
A application possibility of photoresist flexible film for optical waveguide is proposed and described. The optical waveguide dimensions that is consists of Mach-zehnder interferometric and single channel waveguide based on the single-mode conditions in LiNbO$_3$ device was utilized and fabricated by wet etching technique. This Polymer material for core layer is SU-8/5O(Microchem.) and its refractive index from prism couping method was measured about 1.59 thickness about 10${\mu}{\textrm}{m}$ at wavelength 0.6328${\mu}{\textrm}{m}$. From the results, this work can show the possibility of fabricating a flexible optical waveguide in the field of integrated optics.
본 연구는 비접촉 무전원 표면탄성파(surface acoustic wave, SAW) 온도센서를 개발하기 위하여 수행되었다. 단일전극 구조의 IDT(inter-digital transducer)와 434 MHz의 공진주파수를 가지는 SAW 소자를 $128^{\circ}$ rot-X $LiNbO_3$ 압전기판위에 반도체 공정으로 제작하였다. SAW 온도센서의 음향 반사판에 따른 반사 신호의 특성을 분석하기 위하여 다양한 형태의 음향 반사판을 제작하여 표면탄성파 신호의 반사특성을 분석한 결과 빗살형 전극형태의 반사판이 가장 양호한 반사특성을 나타내었다. SAW 온도센서를 구동하기 위한 신호를 송신하고 온도에 따른 SAW 센서의 출력신호를 수신하기 위하여 다이폴 안테나와 마이크로프로세서에 기반한 무선 송수신 시스템을 제작하였다. $40{\sim}80^{\circ}C$의 온도 범위에서 개발된 SAW 온도센서와 무선 송수신 시스템을 평가한 결과 온도증가에 따라 SAW 온도센서의 공진 주파수가 선형적으로 감소하였으며 결정계수가 0.99 이상으로 정확한 무선 온도측정이 가능한 것으로 나타났다.
A optical switch which on the LiNbO$_3$substrate is fabricated by using proton exchange method and self-alignet method. The annealing at 400[$^{\circ}C$] was carried out to control waveguide width and depth. A self-aligned method, which doesn\`t need the additional mask precesses, was applied to simplify the fabrication processes and to maximize efficiency of electric field application. The depths of the two annealed optical waveguides, which were measured by using ${\alpha}$-step, ware 1.435[K${\AA}$] and 1,380[K${\AA}$]. Using ${\alpha}$-step facility, we examined that the width of waveguides is increased from 5[$\mu\textrm{m}$] to 6.45[$\mu\textrm{m}$] and 6.3[$\mu\textrm{m}$] due to the annealing effects. The process of proton exchange was done at 400[$^{\circ}C$] for 60[min] and annealing process was done at 400[$^{\circ}C$] for 60[min]. The high speed optical modulator has very good figures of merits: the measured voltage of the input waveguide power is 3.5[V], the voltage of the coupling waveguide power is 3.9[mV], and -29.5[dB] crosstalk and 8[V] switching voltage were achieved.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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