• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 1999년도 춘계종합학술대회
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• pp.411-414
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• 1999

70 ${\AA}$-thick oxides nitridied at various conditions were reoxidized at pemperatures of 900$^{\circ}C$ in dry-O$_2$ ambients for 5～40 mininutes. The gate oxide interface porperties as well as the oxide substrate interface properties of MOS(Metal Oxide Semiconductor) capacitors with various nitridation conditions, reoxidation conditions and pure oxidation condition were investigated. We stuided I$\sub$g/-V$\sub$g/ characteristics, $\Delta$V$\sub$g/ shift under constant current stress from electrical characteristics point of view and breakdown voltage from leakage current point of view of MOS capacitors with SiO$_2$, NO, RNO dielectrics. Overall, our experimental results show that reoxidized nitrided oxides show inproved charge trapping porperites, I$\sub$g/-V$\sub$g/ characteristics and gate $\Delta$V$\sub$g/ shift. It has also been shown that reoxidized nitridied oxide's leakage currented voltage is better than pure oxide's or nitrided oxide's from leakage current(1${\mu}$A) point of view.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2011년도 춘계학술대회
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• pp.50-51
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• 2011

연속적인 파형을 사용하는 레이다에서는 시스템의 수신감도 향상을 위해서는 부득이 분리된 송신 및 수신 안테나를 사용하여야 한다. 이러한 분리된 안테나의 경우에도 송신 단에서 전송되는 매우 강력한 신호파형의 전력은 미약한 수신신호에 심각한 간섭현상을 일으킬 수 있다. 따라서 본 논문에서는 안테나간의 격리 정도에 따라 다르게 나타나는 송신 누설전력에 의한 수신 신호에 대한 간섭이 시스템에 미치는 영향을 고찰하였다.

• 한국정보과학회:학술대회논문집
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• 한국정보과학회 2005년도 한국컴퓨터종합학술대회 논문집 Vol.32 No.1 (A)
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• pp.868-870
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• 2005

최근에는 자원이 제한적인 시스템을 위한 embedded JVM 환경에서 자바 응용 프로그램을 수행할 때 embedded JVM 의 성능에 따른 performance 뿐만 아니라 에너지 소비를 줄이는 일이 크게 대두되고 있다. 메모리에서 사용되는 에너지는 메모리에 접근할 때마다 소비되는 dynamic energy와 메모리에 파워가 들어와 있을 때 항상 소비되는 leakage energy 로 구분할 수 있다. embedded 환경을 고려하지 않았던 이전에는 leakage energy 가 중요한 부분으로 인식되지 않았지만, 현재는 dynamic energy 못지 않게 중요한 부분으로 인식되고 있다. 본 논문에서는 Banked Memory System을 사용하는 임베디드 JVM의 환경하에서 leakage energy를 효과적으로 줄일 수 있는 KVM의 힙 메모리 관리체계를 설계하였다.

• 한국전자거래학회지
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• 제20권2호
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• pp.27-36
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• 2015

국가 상대로 한 국가기밀유출과 더불어 최근 산업 기술유출은 점점 늘어가고 유출의 범위가 기술유출 중심에서 정보통신, 전기전자, 방위산업, 전략물자 불법수출, 외국의 경제 질서교란, 지식재산침해 등 신 경제안보 분야로 다양화되는 추세로 유출 피해는 유출된 기업에 피해를 줄 뿐만 아니라 국가의 이익과 국내 산업 전반에 영향을 끼칠 수 있다. 국가정보원 산업기밀 보호센터 통계에 따르면, 기술유출의 주된 원인은 해킹과 악성코드와 같이 외부에 의한 것뿐 아니라 전 현직직원 등 내부유출이 약 80%를 차지하며, 협력업체 의한 기술유출이 뒤를 이어 금전유혹과 개인의 이익으로 인한 기술유출이 계속해서 꾸준히 증가하고 있다. 그러나 그간의 연구들은 핵심자산 유출을 방지하기 위하여 기업의 보안역량을 측정하거나, 관리를 위한 측정지표를 개발하는 연구가 주를 이루고 있었으며, 가장 핵심이 되는 기업구성원들의 보안활동에 대한 기초연구가 미흡한 상황이다. 따라서, 본 연구에서는 보안 활동에 가장 기초가 되는 보안교육이 기업의 보안역량에 미치는 영향에 대해 분석하였다. 그 결과, 보안교육은 보안역량에 양(+)의 상관관계를 나타내는 것으로 분석되었다.

• 전자공학회논문지 IE
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• 제49권2호
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• pp.52-57
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• 2012

사회발전과 더불어 가전기기의 발전은 누전으로 인한 감전, 화재 등 여러 가지 누전전류의 위험성에 노출되어 있다. 가정 내 배전함에 누전차단기가 설치되어 있지만, 기존의 누전차단기는 배전함에 설치되어 누전시 전원을 차단해주는 기능만을 갖는다. 또한 집안 벽마다 설치된 콘센트에 연결된 가전기기들을 개별적으로 점검하는 일은 쉬운 일이 아니다. 따라서 본 논문에서는 누전차단기회로의 성능 및 회로를 분석하고, ZigBee기반의 센서를 이용하여 가정 내 가전기기들의 누전상태를 모니터링 할 수 있는 방법에 대해 제시하였다. 성능분석 결과, 제안된 ELB 누전전류 제어시스템은 가전기기에 내장된 누전차단기 회로를 응용했기 때문에 각각의 가전기기들의 누전상태를 확인할 수 있어 기존 시스템 보다 누전을 쉽고 편리하게 모니터링 할 수 있을 것이라 기대한다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제52권12호
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• pp.562-567
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• 2003

Lightning arresters are deteriorated by repetition of protective operation against overvoltages or impulse currents in environments of its use. If a deteriorated arrester is left in power lines, it can lead to an accident such as a line to ground fault even in a normal system. Therefore, it is necessary to eliminate the deteriorated arrester in advance by checking the soundness of arresters on a regular basis, and to ensure the reliability of power systems by preventing accidents. Various deterioration diagnostic techniques and devices are suggested, and most of which measure leakage current components as an indicator of arrester ageing. However, the techniques based on the magnitude of leakage current measure simply RMS or peak value of leakage current components and do not provide detailed information needed in the diagnosis. In this study, we found that the wave height distributions of the total leakage currents are remarkably changed or a new wave height are produced with the progress of arrester deterioration. To propose a new technique for the diagnosis, we designed a leakage current detection unit and an analysis program which can measure leakage current magnitudes and analyze wave height distributions. From the experimental results, we confirmed that the proposed technique by analyzing the wave height distribution can simply diagnose the mode of defects such as a partial damage and an existence of punctures in arresters as well as deterioration of arresters.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제4권4호
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• pp.263-268
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• 2004

In this paper, we motivate the post-mask performance enhancement technique combined with the Multi-Threshold Voltage CMOS (MTCMOS) leakage current suppression technology, and integrate the new design issues related to the MTCMOS technology into the ASIC design methodology. The issues include short-circuit current and sneak leakage current prevention. Towards validating the proposed techniques, a Personal Digital Assistant (PDA) processor has been implemented using the methodology, and a 0.18um process. The fabricated PDA processor operates at 333MHz which has been improved about 23% at no additional cost of redesign and masks, and consumes about 2uW of standby mode leakage power which could have been three orders of magnitude larger if the MTCMOS technology was not applied.

• 전자공학회논문지A
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• 제32A권2호
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• pp.324-331
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• 1995

The leakage current characteristics of the low temperature processed LDD structure poly-Si TFT is analyzed. The excimer laser technology was applied to the recrystallization process of poly-Si film and the maximum processing temperature was retained under 600.deg.C. From the fabricated LDD space 0.3.mu.m to 3$\mu$m, the best on/off current ration could be obtained with the 1.3$\mu$m LDD space. And the threshold voltage did not increase more than 4V over 0.8$\mu$m LDD space. The characteristics of leakage current was compared to non-LDD structure TFT to analyze the mechanism of leakage current. Consequently, it could be concluded that the leakage current is strongly affected by the trap states as well as high electric field between gate and drain.

• ETRI Journal
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• 제35권6호
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• pp.1164-1167
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• 2013

We correlate the failure in miniature X-ray tubes with the field emission gate leakage current of gated carbon nanotube emitters. The miniature X-ray tube, even with a small gate leakage current, exhibits an induced voltage on the gate electrode by the anode bias voltage, resulting in a very unstable operation and finally a failure. The induced gate voltage is apparently caused by charging at the insulating spacer of the miniature X-ray tube through the gate leakage current of the field emission. The gate leakage current could be a criterion for the successful fabrication of miniature X-ray tubes.

• Journal of Information Display
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• 제9권2호
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• pp.22-27
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• 2008

We propose an optical configuration of a vertical alignment (VA) liquid crystal (LC) cell to eliminate the light leakage in the diagonal direction. VA LC cell has an excellent contrast ratio in the normal direction due to the no phase-retardation. However, change of the phase-retardation occurs in all directions, which causes the light leakage and deteriorates the characteristics of the dark state. We designed the LC cell structure composed of multiple combinations with two A-plates and two C-plates in order to achieve wide viewing property on the Poincare sphere. From calculations, we show that the proposed structure can improve the viewing angle characteristics by compensating for the light leakage in all directions.