• 한국지반공학회논문집
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• 제28권9호
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• pp.5-15
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• 2012

연직배수공법이 적용된 연약지반의 측방유동 특성을 조사하기 위해 우리나라 해안지역에서 계측관리가 실시된 13개 연약지반 현장의 자료를 수집하여 조사 분석을 실시하였다. 먼저 성토규모가 연약지반의 측방유동에 미치는 영향을 분석하였다. 연약층의 두께와 상대적 도로성토규모가 클수록 연약지반 속의 수평변위는 크게 발생하였다. 특히 연약지반이 두꺼우면 도로성토저면폭에 대한 연약층의 두께의 비인 상대적 성토규모도 자연 커지므로 수평변위량은 크게 발생하였다. 또한 도로성토속도가 빠르면 연약지반의 수평변위량이 크게 발생하였다. 그 밖에도 연약지반의 두께와 비배수전단강도, 지반계수 및 안정수는 연약지반의 측방유동에 영향을 미치는 중요한 요소로 나타났다. 즉 연약지반의 비배수전단강도와 지반계수가 작을수록 그리고 안정수가 클수록 연약지반의 최대수평변위량은 크게 발생하였다. 도로성토로 인하여 연약지반 속에 전단변형이 발생되지 않는 안전한 상태에서는 안정수가 3이하가 되고 지지 안전율이 1.7이상이 되었다. 그러나 연약지반 속에 전단파괴가 발생되는 불안전한 상태에서는 안정수가 5.14이상이 되고 지지안전율이 1.0이하가 되었다. 도로성토로 인하여 연약지반 속에 전단변형이 발생하는지 여부를 판단할 수 있는 허용최대수평변위량의 기준은 50mm로 정하는 것이 바람직하며 연약지반에 전단파괴가 발생됨이 없이 도로성토를 실시할 수 있는 연약지반의 수평변위량 기준은 100mm로 정하는 것이 바람직할 것이다.

• 전자공학회논문지A
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• 제29A권2호
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• pp.77-79
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• 1992

We propose a self-aligned and double recessed technique for GaAs power MESFETs application. The gate length and the wide recess width are defined by a selective removal of the SiN layer using reactive ion etching(RIE) while the depth of the channel is defined by chemical etching of GaAs layers. The threshold voltages and the saturation drain voltage could be sucessfully controlled using this technique. The lateral-etched distance increases with the dry etching time and the source-drain breakdown voltage of MESFET increases up to about 30V at a pinch-off condition. The electrical characteristics of a MESFET with a gate length of 2 x10S0-6Tm and a source-gate spacing of 33 x10S0-6Tm show maximum transconductance of 120 mS/mm and saturation drain current density of 170-190mA/mm at a gate voltage of 0.8V.

• ETRI Journal
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• 제39권2호
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• pp.284-291
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• 2017

Drain-induced barrier lowering (DIBL) is one of the main parameters employed to indicate the short-channel effect for nano metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). We propose a new physical model of the DIBL effect under two-dimensional approximations based on the energy-conservation equation for channel electrons in FETs, which is different from the former field-penetration model. The DIBL is caused by lowering of the effective potential barrier height seen by the channel electrons because a lateral channel electric field results in an increase in the average kinetic energy of the channel electrons. The channel length, temperature, and doping concentration-dependent DIBL effects predicted by the proposed physical model agree well with the experimental data and simulation results reported in Nature and other journals.

• 한국지반공학회:학술대회논문집
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• 한국지반공학회 1994년도 봄 학술발표회 논문집
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• pp.43-58
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• 1994

In this reaserch, the comparison between numerical results and field measurments including settlement, heaving and lateral displacement, in the interchange construction works on soft ground. Sand drain was performed for the improvement of the site and steel pipe piles driven for the pier foundation of interchange. The steel pipe piles were replaced to the equivalent steel sheet pile wall. Biot's equation was coupled with elasto-viscoplastic model for the multi-purpose program of soft foundation. Finally countemeasures for future possible lateral displacement and settlement were exmanined.

• 전자공학회논문지D
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• 제36D권5호
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• pp.21-28
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• 1999

Deep Submicron 영역에서 요구되는 고성능 소자로서 자기-정렬된 ESD(Elevated Source/Drain)구조의 MOSFET을 제안하였다. 제안된 ESD 구조는 일반적인 LDD(Lightly-Doped Drain)구조와는 달리 한번의 소오스/드레인 이온주입 과정이 필요하며, 건식 식각 방법을 적용하여 채널의 함몰 깊이를 조정할 수 있는 구조를 갖는다. 또한 제거가 가능한 질화막 측벽을 최종 질화막 측벽의 형성 이전에 선택적인 채널 이온주입을 위한 마스크로 활용하여 hot-carrier 현상을 감소시켰으며, 반전된 질화막 측벽을 사용하여 기존이 ESD 구조에서 문제시될 수 있는 자기-정렬의 문제를 해결하였다. 시뮬레이션 결과, 채널의 함몰 깊이 및 측벽의 넓이를 조정함으로써 충격이온화율(ⅠSUB/ID) 및 DIBL(Drain Induced Barrier Lowering) 현상을 효과적으로 감소시킬 수 있고, 유효채널 길이에 따라 차이가 있으나 두 번의 질화막 측벽을 사용함으로써 hot-carrier 현상이 개선될 수 있음을 확인하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1442-1444
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• 2001

A new low-temperature poly-Si TFT employing a counter-doped lateral body terminal is proposed and fabricated, in order to enhance the stability of poly-Si TFT driving circuits. The LBT structure effectively suppresses the kink effect by collecting the counter-polarity carriers and suppresses the hot carrier effect by reducing the peak lateral field at the drain junction. The proposed device is immune to dynamic stress, so that it is suitable for low voltage and high speed driving circuits of AMLCD.

• 한국세라믹학회지
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• 제38권10호
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• pp.871-875
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• 2001

Cobalt silicidation at sidewall spacer edge of Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (MOSFETs) with post annealing treatment for capacitor forming process has been investigated as a function of dopant species. Cobalt silicidation of nMOSFET with n-type Lightly Doped Drain (LDD) and pMOSFET with p-type LDD produces a well-developed cobalt silicide with its lateral growth underneath the sidewall spacer. In case of pMOSFET with n-type LDD, however, a void is formed at the sidewall spacer edge with no lateral growth of cobalt silicide. The void formation seems to be due to a retarded silicidation process at the LDD region during the first Rapid Thermal Annealing (RTA) for the reaction of Co with Si, resulting in cobalt mono silicide at the LDD region. The subsequent second RTA converts the cobalt monosilicide into cobalt disilicide with the consumption of Si atoms from the Si substrate, producing the void at the sidewall spacer edge in the Si region. The void formed at the sidewall spacer edge serves as a resistance in the current-voltage characteristics of the pMOSFET device.

• 한국지반공학회지:지반
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• 제1권2호
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• pp.27-40
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• 1985

본고는 기약지반변형해석에 이용될 범용 program을 개발하고 이를 이용하여 성토부끝에 sheet pile을 타설하거나 혹은 성토부아래의 연약정토지반을 개취하였을 때의 변형억제효과를 연구한 것이다. 본고에 적용된 압밀리론으로서 Biot의 압밀방정식과 구성방정식으로서 탄소성리론에 근거한 modified Cam-clay 이론을 적용하였고 유한요소해석으로서는 Christian-Boehmer계를 도입하여 program화한 것이다. 그 주요한 결론은 다음과 같다. 1. 속변지반의 침하효과에 관해서는 sheet pile이나 심우혼합처새깊이를 자지층까지 관입하여 시공하고 그 자신의 침하가 없을 경우에만 유효하다. 2. 흔히 사용되는 sheet pile대책공법은 통상의 steel sheet pile의 각성으로서는 성토직후의 봉기, 측방변위의 억제효과는 기대할 수 없다. 3. Sheet pile에 대한 예상론인 사용방법은 성토하부에 세밀을 촉진하기 위해 vertical drain을 설치하고 점증재하 방법만이 확실한 효과가 있다. 4. 체층혼합처리공법은 예상한 바와 같이 그 자종가 강성이 클수록 침하억제핵과가 있다. 특히 grouting을 통한 지반강화가 곧장 주변지반의 변형억제효과가 있다고 단정하는 것은 그 강성 까 관련하여 신중히 고려하여 결정해야 한다.

• Geomechanics and Engineering
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• 제9권5호
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• pp.585-599
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• 2015

Laboratory model tests were conducted to investigate the effect of surcharge loading rate on the magnitude of lateral displacement of prefabricated vertical drains (PVDs) improved deposit. The test results indicate that under the condition that the system had sufficient factor of safety (FS) ($FS{\geq}1.2$), for the similar model ground under the same total applied surcharge load, the lateral displacement increases with the increase of loading rate. The test results have been used to check the validity of a previously proposed method for predicting the maximum lateral displacement, and it shows that the data points are around the middle line of the predicted range, which supports the usefulness of the proposed method. The basic idea of the prediction method is an empirical relationship between the normalized lateral displacement (NLD) and a ration of load to the undrained shear strength of the deposit (RLS). The model test results offer some modifications of the NLD-RLS relationship: (1) instead of a bilinear relationship, NLD-RLS relationship may be entirely nonlinear; (2) the upper bound value of RLS for the proposed method can be used may be limited to 2.1 instead of the originally proposed value of 3.0.

• 한국농공학회지
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• 제34권2호
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• pp.60-72
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• 1992

This study aims at predicting the behavior of saturated soft clayey foundation subjected to earth structure loads such as tidal dike, embankment etc. by using Biot's consolidation equation coupled with elasto-viscoplastic constitutive model. To validate the computer program developed b author, a case study was performed for the site of Kwang-yang steel works improved by sand drain, where since the beginning of the works, field measurements(settlement, lateral displacement and excess pore water pressure) had been accurately achieved. Comparisons between numerical results and observation values were carried out. The main results obtained are summarized as follows : 1. Settlement and lateral displacement between numerical and observation values show satisfactory accordance. 2. As for the exess pre water pressure, numerical results appear to be larger than observation values, which may be due to the existence of sand seams which were not found during soil investigation. 3. Useful data available for failure prediction of soft foundation can be secured by examining lateral displacement, settlement, exess pore water pressure and stress paths.