• 제목/요약/키워드: Laser threshold

검색결과 309건 처리시간 0.021초

High Power Coherent Beam Combining Setup Using Modified Cascaded Multi-dithering Technique

  • Ahn, Hee Kyung;Lee, Hwihyeong;Kong, Hong Jin
    • Current Optics and Photonics
    • /
    • 제2권5호
    • /
    • pp.431-435
    • /
    • 2018
  • A modified setup of a CMD technique for high power coherent beam combining was presented to address an issue of low damage threshold of electro-optic modulators. The feasibility of the modified setup was demonstrated by combining eight fiber beams, and it was successfully performed with ${\lambda}/44$ of residual phase error and 100 Hz of control bandwidth. It is expected that the modified CMD setup facilitates ultra-high power coherent beam combination without a limitation caused by the low damage threshold of electro-optic modulators.

Refractive Index Modulated Distributed Feedback Laser Diode의 제안과 특성해석 (Proposal and Analysis of Characteristics of a Refractive Index Modulated Distributed Feedback Laser Diode)

  • 김홍국;이홍석;김부균;김병호
    • 전자공학회논문지D
    • /
    • 제36D권5호
    • /
    • pp.88-98
    • /
    • 1999
  • 레이저의 종축방향으로 회절격자층을 형성하는 위쪽 클래딩 층의 가운데 부분의 굴절률을 양 옆부분과 다르게 하여 유효위상천이 효과를 넓은 영역에서 얻는 refractive index midulated (RIM) DFB 레이저를 제안한다.RIM-DFB 레이저는 SHB 효과를 줄이기 위하여 기존에 제안되었던 회절격자의 주기를 변화시켜 넓은 영역에 걸쳐서 유효 위상 천이를 주는 corrugation pitch modualtion (CPM) 방법과 레이저의 종축 방향으로 결합계수를 달리하여 주는 distributed coupling coefficients (DCC) 방법의 효과를 동시에 얻을 수 있는 실현 가능한 구조이다. 급격한 위상천이가 없기 때문에 광자밀도분포가 균일해져 SHB 효과가 줄어 들게 되며 레이저 공진기 가운데 부분의 결합계수가 양 옆 부분의 결합계수보다 커서 분포결합계수의 효과를 주기 때문에λ/4 위상천이 레이저와 CPM-DFB 레이저에 비해 고출력에서 좋은 단일 모드 특성을 보인다. 그리고, 굴절률이 다른 가운데 부분의 길이가 RIM-DFB 레이저의 동작특성에 미치는 영향에 대하여 연구하였다.

  • PDF

치수생활력 검사를 위한 Laser Doppler Flowmeter의 이용 (THE USE OF LASER DOPPLER FLOWMETER FOR PULP VITALITY TEST)

  • 서완종;김현정;남순현;김영진
    • 대한소아치과학회지
    • /
    • 제25권3호
    • /
    • pp.562-568
    • /
    • 1998
  • 저자는 본 병원에 내원한 환자중 미완성치근단을 가지고 있으며 외상받은 치아 및 자가이식치아를 대상으로 기존의 치수생활력 검사방법과 더불어 LDF를 이용한 검사방법을 통해 다음과 같이 요약할 수 있다. 1. 치수생활력유무를 판단함에 있어 현재까지 널리 사용된 전기치수검사, 냉검사등의 방법은 치수 내 신경발달 정도 및 피검자의 주관에 의해 반응이 다르게 나타나는 경우가 많다. 2. 이에 반해 LDF를 이용한 치수생활력 검사방법은 위음성 및 위양성 반응의 빈도가 낮아 신뢰도가 높으며 비교적 조기에 치수생활력을 측정할 수 있는 우수한 방법이다.

  • PDF

무반사 면을 갖는 DFB 레이저의 빔 분포 시뮬레이션과 검정 (Simulation and Examination for Beam Profile of DFB Laser with an Anti-reflection Coated Mirror)

  • 권기영;기장근
    • 한국소프트웨어감정평가학회 논문지
    • /
    • 제16권1호
    • /
    • pp.55-63
    • /
    • 2020
  • 광대역 광통신 시스템에 사용되는 레이저는 우수한 주파수 선택성과 모드 안정성을 가져야한다. DFB(Distributed Feedback) 레이저는 고주파로 전류 변조를 하더라도 발진 주파수의 변화가 적다. 본 연구에서는 1.55um의 파장을 갖는 DFB 레이저에서 굴절률 격자와 이득 격자가 동시에 존재할 때, 오른쪽 거울 면에 반사가 일어나지 않도록 유전막 코팅을 하여 ρr=0 이 되도록 하였다. 문턱에서 최소 이득을 필요로 하는 제 1모드에 대하여, 종 방향으로의 발진 모드의 빔 분포와 방사전력비 Pl/Pr를 ρl의 위상=π인 경우와 ρl의 위상=π/2인 경우에 대하여 비교 검증했다. ρl의 위상=π인 경우, 낮은 문턱 전류와 높은 주파수 안정성을 얻기 위해서는, κL이 8보다 커야 한다. ρl의 위상=π/2인 경우, 낮은 문턱 전류를 위해서는 κL=1.0이 되도록 해야 하고, 이때 발진 주파수는 격자 주파수와 일치한다. 반사 방지 코팅을 하지 않은, 두 개의 거울 면을 가진 1.55um의 파장을 갖는 DFB 레이저보다, 한쪽 거울 면에 무반사 코팅을 한 경우에 모드 선별성이 훨씬 크다.

Micromachining of Cr Thin Film and Glass Using an Ultrashort Pulsed Laser

  • Choi, Ji-Yeon;Kim, Jae-Gu;Shin, Bo-Sung;Whang, Kyung-Hyun
    • Journal of the Optical Society of Korea
    • /
    • 제7권3호
    • /
    • pp.160-164
    • /
    • 2003
  • Materials processing by ultrashort pulsed laser is actively being applied to micromachining technology due to its advantages with regard to non-thermal machining. In this study, materials processing with ultrashort pulses was studied by using the high repetition rate of a 800 nm Ti:sapphire regenerative amplifier. This revealed that the highly precise micromachining of metallic thin film and bulk glass with a minimal heat affected zone (HAZ) could be obtained by using near damage threshold energy. Grooves with diffraction limited sub-micrometer width were obtained with widths of 620 nm on Cr thin film and 800 nm on a soda-lime glass substrate. The machined patterns were investigated through SEM images. We also phenomenologically examined the influence of variations of parameters and proposed the optimal process conditions for microfabrication.

선택적인 Si 이온 주입이 비정질 실리콘의 레이저 결정화에 미치는 영향 (Effects of Selective Si ion-Implantation on Excimer Laser Annealing of Dehydrogenrated a-Si Film)

  • 남우진;이민철;한민구
    • 대한전기학회:학술대회논문집
    • /
    • 대한전기학회 2001년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
    • /
    • pp.106-108
    • /
    • 2001
  • 본 실험에서는 플라즈마 화학기상증착(PECVD)으로 증착한 비경질 실리콘(amorphous silicon, a-Si) 박막에 국부적으로 Si+ 이온을 주입한 후 엑시머 레이저 어닐링(exicimer laser annealing, ELA)을 수행하여 그레인의 수평 성장(lateral growth)에 미치는 영향을 관찰한다. Si+ 이온 주입은 비정질 실리콘 박막의 원자 결합 에너지를 효과적으로 감소시키는 역할을 하여 박막이 녹기 시작하는 문턱(threshold) 에너지가 $105mJ/cm^2$에서 $85mJ/cm^2$ 까지 낮아지는 것을 확인하였다. 결과적으로 선택적인 Si 이온 주입을 통해 비정질 박막의 결정화 시 온도 구배에 의한 결정핵(nucleation) 형성의 차이를 유발시킴으로써 위치 제어가 가능한 1um 크기를 갖는 수평 성장 그레인을 얻었다.

  • PDF

재결정화된 다결정 nMOSFET의 제작 및 그 전기적 특성 (Fabrication of the Recrystallized Poly Silicon nMOSFET and Its Electrical Characteristics)

  • 김주영;강문상;김기홍;구용서;안철
    • 전자공학회논문지A
    • /
    • 제29A권11호
    • /
    • pp.91-96
    • /
    • 1992
  • The technology of LOCOS(LOCal Oxidation of Silicon) was used to form the island of SOI film. After this, the SOI film was recrystallized by CO$_2$ laser and metal gate nMOSFETs were fabricated on this SOI film and their electrical characteristics were measured. The kink effect was not nearly observed and edge channel effect was found in the SOI nMOSFETs. The threshold voltage was about 0.5V, the electron mobility was about 340cm$^2$V$\cdot$S and an ON/OFF ratio above 10$^{5}$ was obtained at V_{DS}$=4V. The electrical characteristics were improved by laser recrystallization.

  • PDF

Poly-Si TFT Fabricated at 170$^{\circ}C$ Using ICP-CVD and Excimer Laser Annealing for Plastic Substrates

  • Han, Sang-Myeon;Shin, Moon-Young;Park, Hyun-Joong;Lee, Hye-Jin;Han, Min-Koo
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
    • /
    • pp.1003-1006
    • /
    • 2004
  • We have fabricated poly-Si TFTs at 170$^{\circ}C$ using inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD) and excimer laser annealing (ELA). A Poly-Si film with large grains exceeding 5000${\AA}$ and a $SiO_2$ film with high breakdown field are deposited by ICP-CVD. A high mobility exceeding 100$cm^2$/Vs with a low sub-threshold swing of 0.76V/dec was obtained.

  • PDF

3-D Laser Measurement using Mode Image Segmentation Method

  • Moon Hak-Yong;Park Jong-Chan;Han Wun-Dong;Cho Heung-Gi;Jeon Hee-Jong
    • 전력전자학회:학술대회논문집
    • /
    • 전력전자학회 2001년도 Proceedings ICPE 01 2001 International Conference on Power Electronics
    • /
    • pp.104-108
    • /
    • 2001
  • In this paper, the 3-D measurement method of moving object with a laser and one camera system for image processing method is presented. The method of segmentation image in conventional method, the error are generated by the threshold values. In this paper, to improve these problem for segmentation image, the calculation of weighting factor using brightness distribution by histogram of stored images are proposed. Therefore the image erosion and spread are improved, the correct and reliable informations can be measured. In this paper, the system of 3-D extracting information using the proposed algorithm can be applied to manufactory automation, building automation, security guard system, and detecting information system for all of the industry areas.

  • PDF

Degradation Behavior of 850 nm AlGaAs/GaAs Oxide VCSELs Suffered from Electrostatic Discharge

  • Kim, Tae-Yong;Kim, Tae-Ki;Kim, Sang-In;Kim, Sang-Bae
    • ETRI Journal
    • /
    • 제30권6호
    • /
    • pp.833-843
    • /
    • 2008
  • The effect of forward and reverse electrostatic discharge (ESD) on the electro-optical characteristics of oxide vertical-cavity surface-emitting lasers is investigated using a human body model for the purpose of understanding degradation behavior. Forward ESD-induced degradation is complicated, showing three degradation phases depending on ESD voltage, while reverse ESD-induced degradation is relatively simple, exhibiting two phases of degradation divided by a sudden distinctive change in electro-optical characteristics. We demonstrate that the increase in the threshold current is mainly due to the increase in leakage current, nonradiative recombination current, and optical loss. The decrease in the slope efficiency is mainly due to the increase in optical loss.

  • PDF