• 전기전자학회논문지
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• 제25권4호
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• pp.735-740
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• 2021

본 논문에서는 기존의 LTDDSCR의 구조를 개선하여 기생 NPN BJT의 낮은 전류이득으로 높은 홀딩전압을 갖는 새로운 ESD 보호 소자를 제안한다. 제안된 보호 소자는 Synopsys사의 TCAD simulation을 이용하여 HBM simulation으로 전기적 특성을 분석하였고 current flow와 impact ionization 및 recombination Simulation으로 추가된 BJT가 동작하는 것을 확인하였다. 또한, 설계변수 D1, D2로 홀딩전압 특성을 최적화하였다. Simulation 수행결과, 새로운 ESD 보호 소자는 기존의 LTDDSCR과 비교하여 높은 홀딩전압을 갖는 것이 검증되었고 대칭적인 양방향 특성을 갖는 것이 확인되었다. 따라서 제안된 ESD 보호 소자는 IC에 적용될시 높은 면적 효율성을 가지며 IC의 신뢰성을 향상시킬 것으로 기대된다.

• 전기전자학회논문지
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• 제26권1호
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• pp.119-123
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• 2022

본 논문은 추가 기생 바이폴라 BJT로 인해 높은 홀딩전압을 갖는 ESD 보호소자에 Self-Biasing 구조를 추가하여 12V 급 어플리케이션에 적합한 새로운 ESD 보호소자를 제안한다. 제안된 소자의 동작원리와 전기적 특성 검증을 위해 Synopsys사의 TCAD Simulation을 사용하여 current density simulation과 HBM simulation을 수행하였고 추가된 Self-Biasing 구조 동작을 확인하였다. Simulation 결과 제안된 ESD 보호소자는 기존의 ESD 보호소자와 비교하여 높은 수준의 홀딩전압을 갖는 것을 확인하였고 이는 듀얼구조로 인한 높은 면적효율과 12V급 어플리케이션에서 충분한 래치업 면역 특성을 가질 것으로 기대된다.