• 한국정보통신학회논문지
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• 제14권6호
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• pp.1375-1381
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• 2010

발광다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 p형과 n형의 반도체 접합에서 다이오드양단에 전압을 가하여 정공과 전자가 접합부분에서 결합하면서 그 밴드갭만큼의 에너지가 빛으로 발광되는 현상을 이용한 다이오드 소자의 일종이다. 최근 고휘도 LED소자가 신호등이나 어선의 집어등 등에서 기존의 백열전구를 대체하고 있으며, 또한 디스플레이분야에서도 LCD와 더불어 광범위하게 사용되고 있다. 또한 LCD 디스플레이의 백라이트로 사용되기 시작하면서 새로운 영역으로 응용분야가 개척되고 있다. 한편으로는 가시광영역의 LED 소자의 빛에 디지털 정보를 실어서 보내는 LED 통신기술이 주목을 받게 되면서, 조명이나 디스플레이기능과 동시에 디지털 정보를 전달하는 분야에 적용되는 노력이 이루어지고 있다. 본 논문에서는 이러한 LED통신시스템을 위한 기반 기술들을 살펴보고, LED통신의 응용분야에 대하여 고찰해보고자 한다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2010년도 춘계학술대회
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• pp.226-229
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• 2010

발광다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 p형과 n형의 반도체 접합에서 다이오드양단에 전압을 가하여 정공과 전자가 접합부분에서 결합하면서 그 밴드갭만큼의 에너지가 빛으로 발광되는 현상을 이용한 다이오드 소자의 일종이다. 최근 고휘도 LED소자가 신호등이나 어선의 집어등 등에서 기존의 백열전구를 대체하고 있으며, 또한 디스플레이분야에서도 LED와 더불어 광범위하게 사용되고 있다. 또한 LCD 디스플레이의 백라이트로 사용되기 시작하면서 새로운 영역을 개척하고 있다. 한편으로는 가시광영역의 LED 소자의 빛에 디지털 정보를 실어서 보내는 LED 통신기술이 개발되어서, 조명이나 디스플레이기능과 동시에 디지털 정보를 전달하는 분야에 적용되는 노력이 이루어지고 있다. 본 논문에서는 이러한 LED통신시스템을 위한 기반 기술들을 살펴보고, LED통신의 응용분야에 대한 고찰하고자 한다.

• 한국철도학회논문집
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• 제19권1호
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• pp.46-53
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• 2016

LED 광원은 기존 광원에 비해 수명이 길고 에너지 효율이 좋은 것으로 알려져 있다. 최근 철도차량의 고속화에 따른 전방시야 확보와 안전적인 운행을 고려하여 LED광원을 이용한 전조등이 증가하고 있다. 그러나 LED광원의 수명시험 데이터를 근거로 한 제품 수명 평가체계는 구동전류, 온도 및 진동 등 수명-스트레스 인자에 따라 다양한 수명특성을 보인다. LED제품은 주로 온도에 의해 예측된 수명에 미치지 못하는 경우가 일반적이므로 온도제어부의 성능평가는 수명시험 이전에 수행되어야 한다. 본 연구는 철도차량용 LED전조등의 수명시험 장치의 온도제어부 시작품을 제작하고 성능시험 결과를 바탕으로 타당성을 검증한다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제23권12호
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• pp.10-22
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• 2009

본 논문은 독립적으로 LED의 색온도와 조도를 제어하는 알고리즘과 이를 이용한 LED 조명 시스템을 제안한다. 제안된 알고리즘이 항상 해를 가지는 것을 증명해 제안된 알고리즘이 유효함을 보여주었다. 적색, 녹색, 청색, 백색 (RGBW) LED를 사용한 LED 모듈 제어에 제안된 알고리즘을 적용하였다. 이 모듈의 색온도는 3,500~7,500[$^{\circ}K$], 조도는 500~1,500[lux] 범위에서 변화했다. LED의 접합온도가 40[$^{\circ}C$]로 유지될 때, 이 범위 내에서 색온도와 조도의 편차는 0.8[%] 이하였다. 30~70[$^{\circ}C$]의 범위에서는 목표 조도와 색온도가 각각 1,000[lux]와 6,500[$^{\circ}K$] 일 때 조도와 색온도의 편차가 2.1[%]와 3.1[%] 이하이고, 온도 보상된 경우에는 편차가 1[%]와 0.49[%] 이하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제26권6호
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• pp.488-492
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• 2013

Current limiting diode (CLD) was fabricated using junction field effect transistor (JFET) structured two small cells and eight large cells. Two small cells and eight large cells were connected in parallel and the obtained constant current was 110 mA. The application of CLD in each of the parallel circuits on chip on board (COB) type LED lighting source, could significantly reduce the current deviation within the parallel circuits. The applications of CLD on AC power small lighting source, battery power low voltage parallel lighting source and AC flat lighting source were investigated.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.163-163
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• 2010

기존 LED의 접합온도 및 열저항은 PKG 단계에서 측정 가능 하였다. PKG에서의 접합온도 측정방식과 같은 방법으로 C사의 1W High Power LED XP2 20개를 직렬 연결하여 모듈을 구성한 20W 가로등 모듈에 대하여 접합온도를 측정 하였다. 측정결과 20W 가로등 모듈의 접합온도는 약 $61^{\circ}C$로 나타났다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제12권6호
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• pp.2707-2712
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• 2011

본 논문에서는 400V, 120W 급 LED 구동을 위한 1단 전류 경계모드(Boundary Condition Mode) 제어방식의 역률 개선 제어회로를 설계하였다. 제안하는 제어회로는 역률 개선 및 고조파 발생을 감소시키는 기능을 가지고 있으며, 또한 PFC(Power Factor Correction)회로 내에서 상대적으로 많은 면적을 차지하는 기존의 바이폴라 트랜지스터 구조 대신 새로운 CMOS 회로로 설계하였다. 기존대비, 약 30% 정도의 레이아웃 면적을 줄이게 되었고, 상용화 시 칩의 가격 경쟁력이 클 것으로 사료된다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제18권6호
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• pp.510-514
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• 2005

We have investigated the excitation-light source dependence of photo-catalytic efficiency for the benzene removal. The photo-catalytic module for the benzene removal is fabricated by a combination of GaN-based ultraviolet light-emitting diode (UV GaN-LED) and $TiO_2$ thin film coated on an aluminum plate. The benzene reduction rates of 365 nm and 375 nm modules at 60 mA junction current are approximately $8.95\;\%/Hr$ and $9.2\;\%/Hr$, respectively, which indicates that 365 nm GaN-LED is more effective than 375 nm GaN-LED. The benzene reduction efficiency is also noticeably dependent on the excitation wavelength and excitation-light power, as well as it is increased with the shorter wavelength and higher excitation power. This result exhibits that UV GaN-LED is useful to remove the volatile organic compounds (VOCs) existing in the environment.

• Current Optics and Photonics
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• 제1권2호
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• pp.143-149
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• 2017

LED arrays with pixel numbers of $3{\times}3$, $4{\times}4$, and $5{\times}5$ have been studied in this paper in order to enhance the optical output power and decrease heat dissipation of an AlGaInP-based light emitting diode display device (pixel size of $280{\times}280{\mu}m$) fabricated by micro-opto-electro-mechanical systems. Simulation results showed that the thermal resistances of the $3{\times}3$, $4{\times}4$, $5{\times}5$ arrays were $52^{\circ}C/W$, $69.7^{\circ}C/W$, and $84.3^{\circ}C/W$. The junction temperature was calculated by the peak wavelength shift method, which showed that the maximum value appears at the center pixel due to thermal crosstalk from neighboring pixels. The central temperature would be minimized with $40{\mu}m$ pixel pitch and $150{\mu}m$ substrate thickness as calculated by thermal modeling using finite element analysis. The modeling can be used to optimize parameters of highly integrated AlGaInP-based LED arrays fabricated by micro-opto-electro-mechanical systems technology.

• 한국표면공학회지
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• 제48권6호
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• pp.297-302
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• 2015

Nanocrystalline diamond(NCD) coated aluminium plates were prepared and applied as heat sinks for LED modules. NCD films were deposited on 1 mm thick Al plates for times of 2 - 10 h in a microwave plasma chemical vapor deposition reactor. Deposition parameters were the microwave power of 1.2 kW, the working pressure of 90 Torr, the $CH_4/Ar$ gas ratio of 2/200 sccm. In order to enhance diamond nucleation, DC bias voltage of -90 V was applied to the substrate during deposition without external heating. NCD film was identified by X-ray diffraction and Raman spectroscopy. The Al plates with about 300 nm thick NCD film were attached to LED modules and thermal analysis was carried out using Thermal Transient Tester (T3ster) in a still air box. Thermal resistance of the module with NCD/Al plate was 3.88 K/W while that with Al plate was 5.55 K/W. The smaller the thermal resistance, the better the heat emission. From structure function analysis, the differences between junction and ambient temperatures were $12.1^{\circ}C$ for NCD/Al plate and $15.5^{\circ}C$ for Al plate. The hot spot size of infrared images was larger on NCD/Al than Al plate for a given period of LED operation. In conclusion, NCD coated Al plate exhibited better thermal spreading performance than conventional Al heat sink.