• 제목/요약/키워드: LDO Regulator

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우수한 IR Drop 특성을 갖는 저전력 LDO에 관한 연구 (A Study on the Low Power LDO Having the Characteristics of Superior IR Drop)

  • 이국표;표창수;고시영
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제12권10호
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    • pp.1835-1839
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    • 2008
  • 파워 매니지먼트는 휴대용 전자 기기에서 매우 중요한 역할을 한다. 휴대용 전자 기기는 배터리의 수명을 증가시키기 위해 LDO와 같은 파워 효율적인 파워 매니지먼트를 요구한다. 그래서 배터리 전원을 사용하는 휴대폰, 카메라 레코더, laptop, 자동차 전장용, 산업용 기기 등의 응용에서는 배터리의 전압변동이 크기 때문에, 배터리 전원을 그대로 사용하지 않고 내부회로의 전원을 제공해 주는 LDO를 이용한다. 레귤레이터는 배터리 전원전압 보다 낮은DC전압을 내부회로에 제공하며, 큰 변동을 보이는 배터리 전압에 관계없이 일정한 DC전압을 제공할 수 있다. 본 연구에서는 0.18um CMOS 공정기술로 제작된 온칩 LDO의 파워 세이브 모드 전류 특성과 IR-Drop 특성을 파악해 보았다.

저전압 MEMS 마이크로폰용 초저잡음 LDO 레귤레이터 설계 (A Design of Ultra-low Noise LDO Regulator for Low Voltage MEMS Microphones)

  • 문종일;남철;유상선
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2021년도 추계학술대회
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    • pp.630-633
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    • 2021
  • 전달받은 음성신호를 전기신호로 바꾸어주는 마이크로폰은 라디오, 스마트 기기, 차량 등의 다양한 산업 분야에 널리 사용되어왔다. 최근 스마트폰 기술의 발달과 무선이어폰의 소형화에 따라 초소형 고감도 마이크로폰에 대한 요구가 증가하고 있다. 차세대 초소형 마이크로폰 시스템의 후보로 MEMS 센서가 개발되고 있으며 이를 지원하는 ROIC 대한 개발 또한 활발하다. 마이크로폰 시스템은 주변의 잡음뿐만 아니라, 함께 사용되는 전자회로의 잡음에 대해서도 민감하므로, 낮은 노이즈를 갖는 전원을 공급할 수 있는 전원장치와 노이즈를 최소화할 수 있는 설계 방법들이 필요하다. 이에 본 논문은 MEMS 마이크로폰 센서 모듈에 사용 가능한 낮은 전원 노이즈를 갖는 LDO(low drop output) 레귤레이터 IC 구조를 제안한다. 제안한 회로는 2.0~3.6V를 공급받아 1.3V의 출력을 내보낼 수 있으며 라이트 로드에서 10mA까지 드라이브할 수 있다. 제안하는 LDO는 1.2mV/V의 line regulation, 0.63mV/mA의 load regulation 특성을 가지며 20Hz~20kHz까지 누적 적분 출력 잡음은 13uV 이하의 특성을 가진다. TSMC 180nm 공정으로 post layout simulation을 진행하였으며 설계한 칩의 면적은 325㎛ × 165㎛다.

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빛 에너지 수확을 이용한 센서 노드 회로 (Sensor Node Circuit with Solar Energy Harvesting)

  • 서동현;조용민;우대건;윤은정;유종근
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2013년도 추계학술대회
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    • pp.371-374
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    • 2013
  • 본 논문에서는 빛 에너지 하베스팅을 이용한 센서 노드 회로를 제안한다. 솔라셀에서 변환된 에너지는 PMU(Power Management Unit)를 통해 관리되고, 일정한 전압을 공급하기 위해 LDO(Low Drop Out Regulator)를 사용한다. LDO를 통해 공급된 전압으로 온도센서와 SAR ADC(Successive Approximate Register Analog-to-Digital Converter)를 구동시킨다. 이 회로는 0.35um CMOS 공정으로 설계되었다.

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능동 Replica LDO 레귤레이터를 위한 DC정합회로 설계 (Design of DC Matching Circuit for Active Replica LDO Regulator)

  • 유재영;방준호;유인호;이우춘
    • 한국산학기술학회:학술대회논문집
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    • 한국산학기술학회 2011년도 춘계학술논문집 1부
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    • pp.362-365
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    • 2011
  • 본 논문에서는 PSRR특성을 향상할 수 있는 능동 Replica LDO레귤레이터 회로를 설계하였고, 능동 Replica LDO레귤레이터의 Replica단과 출력단에서 발생할 수 있는 DC전압 부정합을 최소화하기 위하여 DC정합이 가능한 전압제어회로를 설계하였다. 설계된 회로에서 DC정합을 위한 전압제어회로를 사용함으로써 PSRR 특성향상과 함께 안정된 출력특성을 얻을 수 있었다. HSPICE 시뮬레이션 결과, 5V 가변입력할 때, DC출력특성은 3V∼3.12V까지 일정한 값을 유지함을 알 수 있었으며 PSRR특성은 -28@10HZ로 확인되었다.

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다중 에너지 수확을 이용한 자가발전 센서노드 회로 (A Multi-Harvested Self-Powered Sensor Node Circuit)

  • 서요한;이명한;정성현;양민재;윤은정;유종근
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2014년도 추계학술대회
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    • pp.585-588
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    • 2014
  • 본 논문에서는 빛 에너지와 진동에너지 하베스팅을 이용한 자가발전 센서노드 회로를 제안한다. 솔라셀과 진동소자(PZT)에서 변환된 에너지는 저장 커패시터에 저장된다. 저장된 에너지는 PMU(Power Management Unit)를 통해 관리되고, 일정한 전압을 공급하기 위해 LDO(Low Drop Out Regulator)를 사용한다. LDO를 통해 공급된 안정된 전압으로 온도센서와 SAR ADC(Successive Approximate Register Analog-to-Digital Converter)를 구동시켜서 10bit 디지털 신호에 해당하는 온도정보를 출력한다. 제안된 회로는 0.35um CMOS 공정으로 설계되었으며, 설계된 회로의 칩 면적은 패드를 포함하여 $1.1mm{\times}0.95mm$ 이다.

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파워 트랜지스터 사이즈 조절 기법을 이용한 LDO 내장형 DC-DC 벅 컨버터의 저부하 효율 개선 (Improving the Light-Load Efficiency of a LDO-Embedded DC-DC Buck Converter Using a Size Control Method of the Power-Transistor)

  • 김효중;위재경;송인채
    • 전자공학회논문지
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    • 제52권3호
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    • pp.59-66
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    • 2015
  • 본 논문에서는 4bit SAR-ADC(Successive Approximation ADC) 기반의 LDO(Low Drop-Out Regulator)와 파워 트랜지스터의 사이즈 선택을 통하여 DC-DC 벅 컨버터의 효율을 개선하는 방법을 제안한다. 제안하는 회로는 부하 전류에 따라서 파워 트랜지스터 사이즈를 선택하여 DC-DC 벅 컨버터의 효율을 개선한다. 이를 위해, 우리는 스위칭 손실과 전도 손실이 교차하는 지점을 파워 트랜지스터의 적절한 사이즈로 선택하였다. 또한, standby mode 또는 sleep mode로 동작 시에는 효율을 개선하기 위해 LDO로 동작하도록 하였다. 제안하는 회로는 4bit로 파워 트랜지스터 사이즈(X1, X2, X4, X8)를 선택하였고, 저부하에서 단일 사이즈를 이용한 기존의 방식보다 최대 25%의 효율 개선을 얻을 수 있었다. 입력 전압은 5V, 출력 전압은 3.3V, 최대 부하 전류는 500mA이다.

JFET 특성을 이용한 Power Management IC의 Pre-Regulator 설계 (Design of Power Management Pre-Regulator Using a JFET Characteristic)

  • 박헌;김형우;서길수;김영희
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2015년도 제46회 하계학술대회
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    • pp.1020-1021
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    • 2015
  • 본 논문에서는 상용전압 AC 220V를 인가전압으로 사용하여 PMIC(Power Management IC)의 구동에 적합한 전압을 인가해주는 Pre-Regulator를 설계하였다. 설계된 Pre-Regulator는 상용전압을 사용하기 때문에 Device의 내압이 700V인 Magnachip $0.35{\mu}m$ BCD 공정을 이용하여 설계되었으며, 회로의 구성은 저전압 입력 보호 기능 및 JFET의 구동 제어를 위한 Under Voltage Lock Out(UVLO)회로, 전압조정기(Regulator)의 기준전압을 생성해주는 밴드갭 기준전압 발생(Bandgap Reference)회로, LDO(Low Drop Out)회로로 구성되어있다.

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BCD 기술을 이용한 고전류 및 Low Drop Out-voltage Regulator IC 설계에 관한 연구 (A study on the design of High current and Low Drop Out-voltage Regulator IC using BCD Technology)

  • 박태수;최인철;이조운;구용서
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2005년도 추계종합학술대회
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    • pp.937-940
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    • 2005
  • In this paper, the design of high current and high performance Regulatior IC using BCD Technology are presented. We design the 5A class regulator IC including the VDMOS Pass Tr. of N-sink array structure. Also, to obtain the high current and low power characteristics, the PMOS and BJT device are adapted for the Pass Tr. It is shown that simulation results of Regulator IC with VDMOS Pass Tr. have the Iout=4.5092A, LDO=7.3mV.

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CDMA 단말기 RF 송신단의 Traffic Rho 성능 개선에 관한 연구 (The Study on Improvement of Traffic Rho Performance in RF Transmitter of CDMA Handset)

  • 박희봉;황승훈;황금찬
    • 한국통신학회논문지
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    • 제25권4B호
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    • pp.624-628
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    • 2000
  • 본 논문에서는 CDMA 단말기의 전기적 성능에 관한 최소의 요구 사항을 명기한 IS-98B의 항목에서 CDMA 파형의 질(Waveform Quality)을 규정하는 항목인 트래픽로(Traffic Rho)가 최소 성능에 만족하지 않을 경우 CDMA 단말기에 나타나는 현상을 분석하고, CDMA단말기 디자인시 단말기 송신부의 IF(Intermediate Frequency)단에서 TX IF SAW FILTER의 매칭회로를 개선하고 송신단 전원인 3.0V -TX를 발생시키는 LDO(Low Dropout Regulator)의 노이즈 발생을 차단하여 트래픽로 문제 해결방법을 제안한다. 제안 방법을 적용한 후의 파형과 적용전의 파형을 HP8924C 와 HP8595E을 이용하여 비교하여 성능을 개선됨을 보였다.

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단상 에너지 측정용 IC 구현 (Implementation of Single-Phase Energy Measurement IC)

  • 이연성;서해문;김동구
    • 한국통신학회논문지
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    • 제40권12호
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    • pp.2503-2510
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    • 2015
  • 본 논문에서는 전력 정보를 측정하기 위한 단상 에너지 측정용 IC의 구현 방법을 제안한다. 제안된 전력 측정용 IC는 2개의 PGA(Programmable Gain Amplifier), 2개의 ${\sum}{\Delta}$ modulator, reference 회로, LDO(Low-dropout) regulator, 온도 센서, 필터부, 계산 엔진, 보정 제어부, 레지스터, 외부 인터페이스로 구성된다. $0.18-{\mu}m$ CMOS 공정으로 제작되었고, 32-pin QFN package로 제작되었다. 구현된 IC는 3.3V 전원을 공급받아 동작하며, 동작 클럭 주파수는 4,096 kHz이고, IC 동작시 소비 전력은 10 mW이다.