• 제목/요약/키워드: LCL, Latching Current Limiter

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위성전원분배를 위한 LCL 동작 파라미터 설정분석 (The Analysis of the LCL Set-up Parameters for Satellite Power Distribution)

  • 임성빈;전현진;김경수;김태윤
    • 항공우주기술
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    • 제10권2호
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    • pp.56-64
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    • 2011
  • 최근 위성 시스템의 전력분배는 기존의 퓨즈와 릴레이로 구성된 것과는 달리 LCL(Latching Current Limiter) 회로로 구현되어, 각각의 부하전원을 단속한다. LCL은 부하에서 생기는 과전류를 제한함으로서 고장 의심이 있는 부하를 물리적으로 차단하는 기존 방법에 비하여 고장의 원인을 분석하고, 일시적인 고장인 경우 부하를 재사용할 수 있는 장점이 있다. 그러나 LCL 회로는 전자소자로 구현되는 만큼 주변회로(부하회로)와의 연동성과 회로 자체의 특성을 이해해야 하며, 무엇보다 과전류를 차단하기 위하여 설정하는 LCL 동작 파라미터의 정의를 위한 기술적인 접근이 요구된다. 따라서 본 논문에서는 전력분배 모듈의 LCL 동작 파라미터를 정의하기 위한 분석을 수행했고, 회로구현 및 특성 시험결과를 나타냈다.

인공위성 전력 시스템 보호를 위한 퓨즈 선정 기법 연구 (A Study on the Fuse Sizing Technique for the Protection of Satellite Power System)

  • 전현진;임성빈;이상록
    • 항공우주기술
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    • 제11권1호
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    • pp.1-6
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    • 2012
  • 인공위성의 전력 시스템을 보호하기 위해서 퓨즈나 LCL (Latching Current Limiter) 등을 부하와 전원 공급 장치 사이에 연결한다. 본 논문에서는 인공위성에서 장착되는 퓨즈의 용량 선정 기법에 대해 논하였다. 퓨즈 용량 선정 방법에 대해 기술하였고, 병렬 (Parallel) 퓨즈 연결 방식을 수학식으로도 단일 (Single) 퓨즈 연결 방식으로 나타낼 수 있음을 보였다. 또한, 퓨즈에 연결되는 부하의 정확한 전류 특성이 알려지지 않은 상태에서 적절한 퓨즈 선정 기법을 새롭게 제시하였다.

WBG 소자를 적용한 위성 전력 시스템용 LCL 회로에 관한 연구 (A Study on LCL Circuit for Satellite Power System Applying WBG Device)

  • 유정상;안태영;길용만;김현배;박성우;김규동
    • 반도체디스플레이기술학회지
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    • 제21권2호
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    • pp.101-106
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    • 2022
  • In this paper, WBG semiconductor such as SiC and GaN were applied as power switches for LCL circuit that can be applied to satellite power systems and the test results of the LCL circuit are reported. P-channel MOSFET and N-channel MOSFET, which were generally used in the conventional LCL circuit, were applied together to expand the utility of the test results. The design and stability evaluation were performed using a Micro Cap circuit simulation program. For the test circuit, a module using each switch was manufactured, and a total of 5 modules were manufactured and the steady state and transient state characteristics were compared. From the experimental results, the LCL circuit for power supply of the satellite power system constructed in this paper satisfied the constant current and constant voltage conditions under various operating conditions. The P-channel MOSFET showed the lowest efficiency characteristics, and the three N-channel switches of Si, SiC and GaN showed relatively high efficiency characteristics of up to 99.05% or more. In conclusion, it was verified that the on-resistor of the switch had a direct effect on the efficiency and loss characteristics.