• 제목/요약/키워드: LCD waste acid

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폐 LCD판넬의 유가성분 회수를 위한 폐 LCD유리의 발포공정 (Foaming Process of Waste LCD Glass for the Recovery of Valuable Materials from Waste LCD Pannel)

  • 이철태;박태문;김정민
    • 공업화학
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    • 제23권2호
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    • pp.195-203
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    • 2012
  • 폐 LCD유리의 재활용 방안은 평판 디스플레이용 폐 LCD판넬의 전체 재활용 공정의 확립을 위한 중심요건이다. 본 연구는 폐 LCD유리를 보온단열재, 흡음차음제, 토목용 경량골재 또는 수처리용 담체 등의 원료로 재활용하기 위한 발포공정의 기초공정으로서 폐 LCD유리의 분쇄특성, 적절한 탄소발포제의 선정, 유가물 회수를 위한 산침출 후 잔유된 유리질의 물성 및 이들의 발포화의 문제점을 조사하였다. 폐 LCD유리의 분쇄공정을 통해 발포용 원료로 사용가능한 미분화가 가능하였으며, 고융점을 갖는 LCD 유리의 발포화를 위해서는 결정성 천연흑연이 적절하였으며, 산 침출 후 잔사인 슬러지 상태의 폐유리성분도 발포체의 원료로 재활용될 수 있음을 확인하였다.

LCD 식각폐액으로부터 질산과 초산의 분리 (Separation of Nitric Acid and Acetic Acid from the Waste Acid in LCD Etching Process)

  • 전희동;노유미;박성국;김주한;신창훈;김주엽;안재우
    • 청정기술
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    • 제14권2호
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    • pp.123-128
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    • 2008
  • LCD 제조공정에서 배출되는 폐에칭액으로부터 조(粗)인산 회수 후 잔류하는 질산, 초산 혼산폐액을 분리하여 자원화함으로써 고부가가치화하고 2차 폐수의 발생이 없는 친환경적인 청정 재활용기술을 개발하고자 진공증발을 이용하여 혼산폐액을 분리하였다. 진공도 -760 mmHg 조건에서 온도의 따른 진공증발 결과 $33^{\circ}C$ 이하에서는 초산만 증발되었으나 $33^{\circ}C$ 이상에서는 초산과 함께 질산이 미량 증발되었다. 초산 회수율을 높이고 질산 증발을 억제하기 위하여 -760 mmHg, $40^{\circ}C$ 조건으로 증발시간에 따른 증발거동을 조사하고 회수되는 증발량을 고려하여 추가로 물과 원액을 공급하였다. 또한 질산만 선택적으로 반응하도록 20 g/L NaOH를 소량씩 단계적으로 공급하였다. 질산 증발은 batch type 에서는 7%이었으나, 물 추가 시 0.78%, 원액 추가 시 0.25%까지 감소하였다. 20 g/L NaOH를 소량씩 단계적으로 공급한 결과 초산 회수율은 100%까지 증가하였으며, 질산은 6.22%까지 증발하였다.

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LCD 제조공정의 혼합폐산으로부터 일인산암모늄 제조 기술 (Manufacture Technology of Monoammonium phosphate from LCD Waste Acid)

  • 이하영;이상길;박성국;김주한;김주엽;김준영
    • 청정기술
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    • 제15권4호
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    • pp.253-257
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    • 2009
  • LCD 제조공정에서 배출되는 질산과 초산, 인산, 그리고 Al과 같은 금속이온을 함유한 폐에칭액으로부터 진공증발과 확산투석을 이용하여 고순도 인산을 회수하여 인산암모늄을 제조하고자 하였다. 진공증발을 이용하여 질산과 초산을 제거하였다. 진공도가 -650 mmHg인 경우에는 온도 413 K 이상에서 완전 분리되었고, 진공도가 -700 mmHg인 경우에는 온도 393 K 이상의 영역에서 완전히 분리되었다. 그리고 진공도 -730 mmHg의 경우는 온도 383 K 이상에서도 완전 분리가 가능하였다. 99%의 질산과 초산을 제거하였으며, 확산투석을 이용하여 약 97.5% 이상의 Al을 제거하였다. 이렇게 얻어진 고순도 인산과 수산화암모늄을 이용하여 일인산암모늄을 제조하는 공정에서 급격한 발열반응을 제어하고 안정된 적정조건을 도출하기 위하여 수산화암모늄의 농도, 적정 몰비, pH, 온도 등의 반응인자를 조절하여 회수율 약 90%의 일인산암모늄을 제조하였다.

반도체 제조공정에서 발생하는 혼산폐액으로부터 고순도 인산 회수 (Recovery of phosphoric acid from the waste acids in semiconductor manufacturing process)

  • 박성국;노유미;이상길;김주엽;신창훈;안재우
    • 한국자원리싸이클링학회:학술대회논문집
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    • 한국자원리싸이클링학회 2006년도 춘계임시총회 및 제27회 학술발표대회
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    • pp.90-94
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    • 2006
  • 액정(LCD)과 반도체 제조공정에서 발생하는 인산, 질산, 초산, Al, Mo 등이 혼재하고 있는 인산계 혼산폐액을 액정제조공정에서 사용할 수 있는 고순도 에칭액으로 재활용하기 위해서 용매추출법, 진공 증발법, 확산투석법 및 이온교환법의 각각의 기술적 특성을 살린 혼합 처리공정을 이용하여 고순도 인산 회수 기술을 확립하고 상용화 시스템을 개발하고자 하였다. 시험 결과 진공증발에 의해 질산과 초산을 100% 제거할 수 있었고, TOP를 사용한 용매추출에서도 추출 4단, 탈거 6단, 상비 1/3으로 완벽하게 제거할 수 있었다. 이온교환의 전단계로 적용한 확산투석에서 Al 97%, Mo 75% 제거할 수 있었고 이온교환공정에서 Al 및 Mo를 각각 1ppm 이하로 정제할 수 있었다.

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반도체(半導體) 제조공정(製造工程)에서 발생하는 혼산폐액(混酸廢液)으로부터 고순도(高純度) 인산회수(燐酸回收) (Recovery of high-purity phosphoric acid from the waste acids in semiconductor manufacturing process)

  • 박성국;노유미;이상길;김주엽;신창훈;김준영;안재우
    • 자원리싸이클링
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    • 제15권5호
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    • pp.26-32
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    • 2006
  • LCD와 반도체 제조공정에서 발생하는 인산, 질산, 초산, Al, Mo 등이 혼재하고 있는 인산계 혼산폐액을 액정제조공정에서 사용할 수 있는 고순도 에칭액으로 재활용하기 위해서 용매추출법, 진공증발법, 확산투석법 및 이온교환법의 각각의 기술적 특성을 살린 혼합 처리공정을 이용하여 고순도 인산회수 기술을 확립하고 상용화 시스템을 개발하고자 하였다. 시험 결과 진공증발에 의해 질산과 초산을 100% 제거할 수 있었고, TOP를 이용한 용매추출에서도 추출 4단, 탈거 6단으로 완벽하게 제거할 수 있었다. 이온교환의 전단계로 적용한 확산투석에서 Al 97.5%, Mo 36.7% 제거할 수 있었고 이온교환공정에서 Al 및 Mo를 각각 1ppm이하로 정제할 수 있었다.