Flexible displays such as plastic based LCDs and organic light-emitting diodes for mobile communication devices have been researched and developed at KETI in KOREA since 1997. The Plastic film substrate has so poor thermal tolerance and non-rigidness that the fabrication of active devices and panel assembly have to perform at low temperature and pressure. In addition, high thermal expansion of the substrate is also a serious problem for reliable metallic film deposition. In this paper, we investigated particularly on the fundamental characteristics of various plastic substrates and then, suggested novel methods that improve the fabrication processes of plastic LCD panel. In order to maintain stable substrate surface and uniform cell gap during panel assembly, we utilized newly-invented iii and vacuum chuck. Electro-optical characteristics of fabricated plastic LCD are better than or equivalent to those of typical glass based LCDs though it is thinner, lighter-weight and more robust.
한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
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pp.913-918
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2005
It is expected that the inkjet technology offers prospect for reliable and low cost manufacturing of FPD (Flat Panel Display). This inkjet technology also offers a more simplified manufacturing process for various part of the FPD than conventional process. For example, recently the novel manufacturing processes of color filter (C/F) in LCD, or RGB patterning in OLED by inkjet printing method have been developed. This elaborates will be considered as the precious point of manufacturing process for the mass production of enlarged-display panel with a low price. On this point of view, we would like to review the status of inkjet technology in FPD, with some results on forming micro line by inkjet patterning of suspension type silver nano ink as below. We have studied the inkjet patterning of synthesized aqueous silver nano-sol on interface-controlled ITO glass substrate. Furthermore, we designed the conductive ink for direct inkjet patterning on bare ITO glass substrate. The first, the highly concentrated polymeric dispersant-assisted silver nano sol was prepared. The high concentration of batch-synthesized silver nano sol was possible to 40 wt%. At the same time the particle size of silver nanoparticles was below $10{\sim}20nm$. The second, the synthesized silver nano sol was inkjet - patterned on ITO glass substrate. The connectivity and width of fine line depended largely on the wettability of silver nano sol on ITO glass substrate, which was controlled by surfactant. The relationship was understood by wetting angle. The line of silver electrode as fine as $50{\sim}100\;{\mu}m$ was successfully formed on ITO glass substrate. The last, the direct inkjet-patternable silver nano sol on bare ITO glass substrate was designed also.
In recent years, flexible display devices such as liquid crystal display (LCD), organic light emitting diode (OLED), etc. have attracted considerable interest in a wide variety of applications. Polymer substrate is absolutely necessary to realize this kind of flexible display devices. Using the polymer as a substrate, there are lots of advantages including not only mechanical flexibility such as rolling and bending characteristics but also light weights, low cost and so on. In detail, thickness and weights is only one forth and one second of glass substrate, respectively. However, it needs low temperature below $150^{\circ}C$ in the fabrication process comparing to conventional deposition process. The polymer substrate is not thermally stable as much as the glass substrate so that some deformation can be occurred according to variation of temperature. In particular, performance of devices can be easily deteriorated by shrinkage of substrate when heating it. In this paper, pre-annealing and deposition of buffer layer was introduced and studied to solve previously mentioned problems of the shrinkage and followed shear stress.
After LeComber et al. reported the first amorphous hydrogenated silicon (a-Si: H) TFT, many laboratories started the development of an active matrix LCDs using a-Si:H TFTs formed on glass substrate. With increasing the display area and pixel density of TFT-LCD, however, high mobility TFTs are required for pixel driver of TF-LCD in order to shorten the charging time of the pixel electrodes. The most important of these drawbacks is a-Si's electron mobiliy, which is the speed at which electrons can move through each transistor. The problem of low carier mobility for the a-Si:H TFTs can be overcome by introducing polycrystalline silicon (poly-Si) thin film instead of a-Si:H as a semiconductor layer of TFTs. Therefore, poly-Si has gained increasing interest and has been investigated by many researchers. Recnetly, fabrication of such poly-Si TFT-LCD panels with VGA pixel size and monolithic drivers has been reported, . Especially, fabricating poly-Si TFTs at a temperature mach lower than the strain point of glass is needed in order to have high mobility TFTs on large-size glass substrate, and the monolithic drivers will reduce the cost of TFT-LCDs. The conventional methods to fabricate poly-Si films are low pressure chemical vapor deposition (LPCVD0 as well as solid phase crystallization (SPC), pulsed rapid thermal annealing(PRTA), and eximer laser annealing (ELA). However, these methods have some disadvantages such as high deposition temperature over $600^{\circ}C$, small grain size (<50nm), poor crystallinity, and high grain boundary states. Therefore the low temperature and large area processes using a cheap glass substrate are impossible because of high temperature process. In this study, therefore, we have deposited poly-Si thin films on si(100) and glass substrates at growth temperature of below 40$0^{\circ}C$ using newly developed high rate magnetron sputtering method. To improve the sputtering yield and the growth rate, a high power (10~30 W/cm2) sputtering source with unbalanced magnetron and Si ion extraction grid was designed and constructed based on the results of computer simulation. The maximum deposition rate could be reached to be 0.35$\mu$m/min due to a high ion bombardment. This is 5 times higher than that of conventional sputtering method, and the sputtering yield was also increased up to 80%. The best film was obtained on Si(100) using Si ion extraction grid under 9.0$\times$10-3Torr of working pressure and 11 W/cm2 of the target power density. The electron mobility of the poly-si film grown on Si(100) at 40$0^{\circ}C$ with ion extraction grid shows 96 cm2/V sec. During sputtering, moreover, the characteristics of si source were also analyzed with in situ Langmuir probe method and optical emission spectroscopy.
The in-situ scanning electron microscopy observation of real-time hillock evolution in pure hi thin films on glass substrate during Isothermal annealing was analyzed quantitatively to understand the compressive stress relaxation mechanism by focusing on the effect of Mo interlayer between Al film and glass substrate. There is a good correlation between the hillock-induced stress relaxation by in-situ scanning electron microscopy observation ana the measured stress relaxation by wafer curvature method. It is also clearly shown that the existence of Mo interlayer plays an important role in hillock formation probably due to the large difference in interfacial diffusivity of Al films.
In the display industry, the residual vibration of the transfer robot can increase the process time and cause the breakage of the glass substrate, which is critical to productivity of display manufacturing. In this paper, the natural frequencies of transfer robot are analyzed by finite element method. On the basis of the analyzed data, we investigated the response characteristics of input shaping control with or without the glass presence on the hand of the transfer robot using MATLAB program, and compared with the current response characteristics of input shaping control applied to the industry. Based on this, we suggest an optimal residual vibration control method for the practical application in display industry.
Recently FPD(Flat Panel Display) is used in various field to display enormous information. So cutting technique of flat panel display is needed for producing variety display merchandises. In present, cutting methods of flat panel glass includes breaking process. But this process occurs many glass particles. This glass particles are directly related badness of merchandise and falling productivity. In this paper, to cut front substrate glass of LCD and to get optimized cutting condition are tried fur eliminating breaking process with developed glass cutting machine using a Piezoelectric ceramics actuator. It is known that the vibration of Piezoelectric Ceramic have effect in crack proceeding through the analysis of fracture section.
강화유리를 제조하기 위해서, 디스플레이 기판으로 사용되는 soda-lime-silicate 유리를 대상으로 단일이온교환 특성에 대하여 3점곡강도와 잔류응력을 조사하였다. 단일이온교환을 47$0^{\circ}C$에서 1시간 처리 후, 45$0^{\circ}C$에서 24시간 행하였을 때, 62.5$\times$10$_{6}$ kg/$m^2$의 최대 강도 값을 나타내었다. 또한, 곡강도 측정 후 얻어진 시편의 파단면에 존재하는 잔류응력층을 파괴분석을 통하여 관찰한 결과, 이 잔류응력층이 외부하중에 대한 탄성 변형에너지를 흡수하여 유연성을 증가시킴을 알 수 있었다 또한, 탄성변형에너지 흡수는 만곡변화, 균열가지수 및 취성특성 분석에서도 관찰되었다.
한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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pp.1640-1644
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2006
The first issue that should be overcome in copper process is its poor adhesive strength between pure copper film and glass substrate. In this study, defining the adhesive strength of pure copper film on various substrates and clarifying the key deposition parameters are presented for the investigation of copper process. First, using different kinds of surface plasma treatments were studied and the results showed that the adhesive strength was not improved even though the roughness of glass substrate surface was increased. Second, adding an adhesive layer between glass substrate and pure copper film was used to enhance the adhesion. Based on the data in the present paper, adopting copper alloy film as an adhesive layer can have capability preventing peeling problem in copper process. Besides, Cu/Cu alloy structure could be etched with the same etchant with better taper angle than the one with single layer of Cu. Unlike Cu/Mo structure, there is no residual problem for Cu/Cu alloy structure during etching process. Finally, this structure was examined in electrical test without significant difference in comparison with the conventional metal process.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제6권3호
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pp.106-109
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2005
We have investigated the generation of pretilt angle for a nematic liquid crystal (NLC) alignment with in-situ photoalignment method on polyimide (PI) surfaces using polymer films. Especially, we studied in-situ photoalignment changing heating temperature from $50^{\circ}C\;to\;120^{\circ}C$ on the polymer film. The LC aligning capabilities and pretilt angle on the polymer substrates were better than those on the glass substrate using in-situ photoalignment method. It is considered that this increase in pretilt angle may be attributed to the roughness of the micro-groove substrate induced by the in-situ photoalignment. As temperature of heated subtrate and UV exposure time increase, pretilt angle of the cell used polymer film increased. It is considered that the heating temperature of substrate is attributed to generate pretilt angle. Also, electro-optical performances of the in-situ photoaligned TN cell using the polymer substrate are almost the same as that of the TN cell using the glass substrate.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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