• Proceedings of the IEEK Conference
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• 1999.06a
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• pp.946-949
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• 1999

In this research we have developed a reliable, effective and feasible HEI(High-Energy Ion Implantation) process 3D-simulation tool, and then by using it we can predict and analyze the effect of HEI process on characteristics of the standard CMOS device. high-energy ion implantation above 200 keV is inevitable process to form retrograde well and buried layer to prevent leakage current, to conduct field implant for field isolation, and to perform after-gate implantation. The feasible analysis tool is a product of the HEI process modeling verified by comparison of the SIMS experiments with the simulation results. Especially, in this paper, we present the predicting capability of HEI-induced impurity and damage profiles compared with the published SIMS data in order to acquire the reliability of our results ranging from few keV to several MeV for phosphorus and boron implantation.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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• v.35D no.7
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• pp.94-101
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• 1998

To form 0.2 .mu.m p$^{+}$-n junctions, BF$_{2}$ ions with the energy of 20keV and the dose of 2*10$^{15}$ cm$^{-2}$ were implanted into the crystalline and preamorphized silicon substrates. Th epreamorphization was performed using 45keV, 3*10$^{14}$ cm$^{-2}$ As or Ge ions. Th efurnace annealing and rapid thermal annealing were empolyed to annihilate the implanted damage and to activate the implanted boron ions.The junction properties were analyzed with the measured values of the junction depth, sheet resistances, residual defects, and leakage currents. The thermal cycle of furnace annela followed by rapid thermal annela shows better characteristics than the annealing sequence of rapid thermal anneal and furnace annela.Among the premorphization species, Ge ion exhibited the better characteristics than the As ion.n.

• Journal of the Korean Society of Radiology
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• v.2 no.1
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• pp.31-34
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• 2008

The neutron capture spectrum for the light nuclide was very useful to study the nuclear structure. In the present study, the capture gamma-ray from the 27-keV resonance of $^{19}F(n,g)^{20}F$ reaction were measured with an anti-Compton NaI(Tl) spectrometer and the 3-MV Pelletron accelerator of the Research Laboratory for Nuclear Reactors at the Tokyo institute of technology. A neutron Time-of-Flight method was adopted with a 1.5 ns pulsed neutron source by the $^7Li(p,n)^7Be$ reaction. In the present experiment, a Teflon(($CF_2$)n) sample was used The sample was disk with a diameter of 90mm. The thickness of sample was determined so that reasonable counting rates could be obtained and the correction was not so large for the self-shielding and multiple scattering of neutrons in the sample, and was 5mm. The primary gamma-ray transitions were compared with previous measurement of Kenny.

• Journal of Chest Surgery
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• v.28 no.10
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• pp.951-953
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• 1995

A male 17-year-old boy was tranferred from a private hospital for persistent bilateral pleural effusion.The effusion was confirmed　as bilateral chylothorax by chest CT and lymphangiography. Persistent accumulation of the chylothorax was uncontrollable more 1000cc daily ever after pleuroperitoneal shunt operation and thoracoscopic thoracic duct ligation at Rt. side. Chemical pleurodesis with OK 432 into pleural cavity through thoracostomy tube was attempted as 1.5 KE-3 KE diluted in 50ml of normal saline for 3 consecutive days resulted dramatic reduction of the drainage amount. Chemical pleurodesis with OK 432 appeared to be very helpful for management idiopathic bilateral chylothorax.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.97-97
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• 1999

이온빔 스퍼터링을 이용해 유리 기판위에 Tin-doped Indium Oxide (ITO) 투명 전도성 박막을 성장시켜 이온빔의 전류밀도와 에너지 그리고 기판 온도에 따르는 ITO박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성을 분석하였다. 또한, 반응성 가스인 산소의 아르곤에 대한 유량비를 변화시켜 이온 빔 스퍼터링시에 산소 분압이 ITO 박막의 물성에 미치는 영향을 조사하였다. 이온 소스는 직경 5-cm인 cold hollow cathode ion gun을 이용하였으며 base pressure는 2$\times$10-5 Torr이며 가스 주입 후의 3$\times$10-4 Torr이하의 working pressure에서 박막을 증착하였다. 이온 전류 밀도는 5$\mu$A~15$\mu$A까지 변화시켰으며 이온 에너지는 0.7keV~1.3keV까지 변화시켰다. 반응성 가스는 아르곤에 대하여 Zmrp 0, 50, 100%까지 변화시켰으며 기판 온도는 50, 100, 150, 20$0^{\circ}C$로 변화시켰다. ITO 박막의 결정구조는 Ar 이온만으로 스퍼터링한 경우에는 XRD 상에서 [400] 방향으로 우선성장하였으며 산소분압이 증가함에 따라 [222] 방향으로 우선 성장함을 확인 할 수 있었다. 전기적 특성은 Ar ion에 Oxygen ion의 비율이 약간만 증가하여도 비저항의 큰 증가를 보여 주었다. 이는 산소 vacancy의 감소에 의한 것으로 여겨진다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2017.05a
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• pp.87.2-87.2
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• 2017

폴리머 필름에 표면처리 및 코팅, 필름의 다층화, 원료 소재의 하이브리드화 등을 통해서 기능성을 부여한 기능성 고분자 필름은 디스플레이, 반도체, 자동차, 에너지, 포장재 등 다양한 분야에 응용되고 있다. 기능성 고분자 필름의 산업화를 위해 대면적 연속 공정기술 개발이 필요하며, 본 연구에서는 roll to roll 시스템을 이용하여 폴리머 기판상 나노 구조 형성을 위한 공정연구를 수행하였다. 재료연구소 자체 개발 선형이온소스는 0.25 keV에서 1 keV까지 에너지 조절이 용이하며, 이온빔 조사를 통해서 PET, PMMA, PDMS 등 다양한 폴리머 기판의 표면에 나노 구조화 공정을 개발하였다. 표면 나노 구조 형성을 통해서 폴리머 필름의 투과도와 Haze 제어가 가능하며, 공정 기술을 통해 저반사 및 고굴절 특성의 기능성 필름을 제작하였다. 이러한 나노 구조화 필름은 플렉서블 디스플레이의 광추출효율 향상을 위한 광추출층, 저반사 디스플레이 패널 필름 등에 적용 가능한 기술이다.

• The Bulletin of The Korean Astronomical Society
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• v.36 no.2
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• pp.149.2-149.2
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• 2011

We performed the cross-correlation analysis on energy-dependent light curves of the Z-type source GX 5-1. We observed X-ray delays of a few hundred seconds between hard (16-30 keV) and soft (2-5 keV) X-ray light curves. During these phenomena, the centroid frequency of horizontal branch oscillation (HBO) was found to shift to lower or higher frequency indicating towards the dynamical movement of a Compton cloud or an inner disk front. Both eastern and western approaches were used to unfold the X-ray continuum and systematic changes were observed in soft and hard X-ray spectral components. Simultaneous energy spectral and power density spectral study shows that the production of HBOs is closely related to the Comptonizing region rather than the accretion disk. We discuss the results in the context of re-condensation of coronal material in the inner accretion disk region.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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• v.28A no.9
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• pp.729-735
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• 1991

To form shallow $p^+$ -n junctions, Ge and As ions were employed for preamorphization, and B or BF2 was implanted for doping. Same B and BF$_2$ implantations were performed into single crystalline silicon to compare the material and electrical characteristics with the preamorphized samples. SIMS measurements for 10KeV B implanted samples revealed the somilar boron distribution for two preamophized cases, but the ASR profiles indicated that the shallower junctions could be formed by Ge preamorphzation. Sheet resostance of Ge preamorphized sample was lower than the As preamorphized sample, and the diode leakage current characteristics were similar for the preamorphized and non-preamorphized samples. Among the samples implanted with BF ions into the substrates preamorphized with 25keV Ge or As ions, high sheet resistance and leaky diode characteristics were observed for the As preamorphized samples. It was found that Ge preamorphization is more useful than As preamorphization for the purpose of forming shallow $p^+$ -n junctions using low energy BF$_2$ implantation.

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 1995.05b
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• pp.883-888
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• 1995

본 연구에서 말단선량계에 대한 선량평가시 선량환산인자를 산출하기 위해 1995년의 ANSI N13.32 기준인 “말단선량계의 성능평가를 위한 기준”에서 제안된 기준 팬덤을 가지고 MCNP 전산코드를 이용하여 커마근사법에 의해 수행하였다. ANSI N13.32의 기준팬텀은 손·발 그리고 손가락을 대표하는 원통형으로서 특히 손·발 팬텀에 대해서는 뼈등가물질로 알루미늄을 삽입한 것을 제안함에 따라 본 계산 목적을 위하여 팬텀설계를 똑같이 모사하였으며 사용된 광자빔 에너지는 20keV에서부터 1.5MeV에 걸쳐 14개의 단일에너지를 선택하여 수행하였다. 본 연구에서 전산수행한 결과를 ANSI N13.32의 실험적 결과와 비교해 볼 때 50keV에서부터 1.5 MeV까지의 에너지 영역에서는 최대오차 6% 이내에서 거의 일치함을 보였다.

• ETRI Journal
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• v.11 no.1
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• pp.75-88
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• 1989

액체금속 이온원에서 추출된 이온빔을 웨이퍼 위에 접속하기 위한 이온광학계에 있어서 축대칭 판형 전극의 전위분포를 계산하는 해석적인 방법을 제시하였다. 이 방법은 이온궤적, 수차 및 이온빔 직경등의 광학 특성을 보다 빠르게 계산할 수 있는 computer code의 개발에 이용되었다. 계산된 광학특성은 Burghard의 결과와 잘 일치하였으며, 기존의 Orloff.lens,Kurihara lens의 aperture 직경을 변화시켜 색수차를 줄이면 이온빔의 직경이 20% 정도 감소되었다. 또한 두개의 렌즈로 이루어진 이온광학계에 대한 전산모사를 통하여 일반적으로 collimated mode가 crossovered mode에 비해 작은 빔직경을 가지며, 5KeV, 50keV의 빔에너지에서 각각 Orloff lens/Orloff-reversed lens, Kurihara lens/Orloff-reversed lens로 조합된 경우가 빔직경의 관점에서 유리함을 알 수 있었다.