• 정보처리학회논문지D
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• 제16D권5호
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• pp.729-736
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• 2009

소프트웨어 공학에서 정확한 개발 비용 예측은 성공적인 개발 프로젝트를 위한 필수적인 요소로, 현재까지 많은 소프트웨어 비용산정을 위한 모델들이 개발되어 왔다. 전통적인 통계적 기법부터 기계학습을 적용한 알고리즘까지 다양한 분야의 아이디어를 접목하고 있다. 본 논문에서는 소프트웨어 개발 비용 예측을 위한 방법으로 유전 알고리즘과 서포트 벡터 머신의 회귀모델인 서포트 벡터 회귀를 결합한 GA-SVR 모델을 제안한다. 제안된 모델은 기존의 연구에 비해 향상된 결과를 보이고 있다.

• Journal of Computing Science and Engineering
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• 제2권3호
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• pp.274-300
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• 2008

Software testing cost can be reduced if the process of testing is automated. However, the test data generation task is still performed mostly by hand although numerous theoretical works have been proposed to automate the process of generating test data and even commercial test data generators appeared on the market. Despite prolific research reports, few attempts have been made to evaluate and characterize those techniques. Therefore, a lot of works have been proposed to automate the process of generating test data. However, there is no overall evaluation and comparison of these techniques. Evaluation and comparison of existing techniques are useful for choosing appropriate approaches for particular applications, and also provide insights into the strengths and weaknesses of current methods. This paper conducts experiments on four representative test data generation techniques and discusses the experimental results. The results of the experiments show that the genetic algorithm (GA)-based test data generation performs the best. However, there are still some weaknesses in the GA-based method. Therefore, we modify the standard GA-based method to cope with these weaknesses. The experiments are carried out to compare the standard GA-based method and two modified versions of the GA-based method.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.146-147
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• 2008

In this paper we report upon an investigation into the effect of sputter RF power on the electrical properties of Gallium doped zinc oxide (ZnO:Ga) film. Structural, electrical and optical properties of the ZnO:Ga films were investigation in terms of the sputtering power. Working pressure fixed in 5 mtorr and RF powers the variable did with 50~100 W. The result, We were able to without substrate temperature obtain resistivity of $9.3\times10^{-4}{\Omega}cm$ and optical transmittance of 90%.

• 한국진공학회지
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• 제17권3호
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• pp.211-214
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• 2008

Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)를 이용하여 사파이어 기판 위에 405 nm의 파장을 갖는 GaN light-emitting diode (LED)를 제작하였다. LED의 InGaN 활성층에서 생성되어 칩의 후면으로 향하는 광자를 전면으로 반사시키기 위하여, 사파이어 기판 후면에 반사막을 증착하였다. 반사막으로는 Al을 사용하였으며, 사파이어 기판에 대한 Al 박막의 접착력을 개선하기 위하여 사파이어 기판 후면에 Ti를 먼저 증착한 후에 Al을 증착하였다. Ti-Al 반사막을 채용한 결과, 광추출 효율이 52 % 향상되었다.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제16권1호
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• pp.44-51
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• 2016

A commercial $0.25{\mu}m$ GaN process is used to implement 6-18 GHz wideband power amplifier (PA) monolithic microwave integrated circuits (MMICs). GaN HEMTs are advantageous for enhancing RF power due to high breakdown voltages. However, the large-signal models provided by the foundry service cannot guarantee model accuracy up to frequencies close to their maximum oscillation frequency ($F_{max}$). Generally, the optimum output load point of a PA varies severely according to frequency, which creates difficulties in generating watt-level output power through the octave bandwidth. This study overcomes these issues by the development of in-house large-signal models that include a thermal model and by applying distributed L-C output load matching to reactive matched amplifiers. The proposed GaN PAs have successfully accomplished output power over 5 W through the octave bandwidth.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제16권12S호
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• pp.1242-1247
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• 2003

In order to passivate the GaAs surface, silicon-nitride films were fabricated by using laser CVD method. SiH$_4$ and NH$_3$ were used to obtain SiN films in the range of 100∼300$^{\circ}C$ on p-type (100) GaAs substrate. To determine interface characteristics of the metal-insulator-GaAs structure, electrical measurements were performed such as C-V curves and deep level transient spectroscopy (DLTS). The results show that the hysteresis was reduced and interface trap density was lowered to 1,012 ∼ 1,013 at 100 ∼ 200$^{\circ}C$. According to the study of surface leakage current, the passivated CaAs has less leakage current compared to non-passivated substrate.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1993년도 제4회 학술발표회 논문개요집
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• pp.27-28
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• 1993

• 한국재료학회지
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• 제28권4호
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• pp.208-213
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• 2018

Epitaxial ($11{\bar{2}}0$) a-plane GaN films were grown on a ($1{\bar{1}}02$) R-plane sapphire substrate with photoresist (PR) masks using metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). The PR mask with striped patterns was prepared using an ex-situ lithography process, whereas carbonization and heat treatment of the PR mask were carried out using an in-situ MOCVD. The heat treatment of the PR mask was continuously conducted in ambient $H_2/NH_3$ mixture gas at $1140^{\circ}C$ after carbonization by the pyrolysis in ambient $H_2$ at $1100^{\circ}C$. As the time of the heat treatment progressed, the striped patterns of the carbonized PR mask shrank. The heat treatment of the carbonized PR mask facilitated epitaxial lateral overgrowth (ELO) of a-plane GaN films without carbon contamination on the R-plane sapphire substrate. Thhe surface morphology of a-plane GaN films was investigated by scanning electron microscopy and atomic force microscopy. The structural characteristics of a-plane GaN films on an R-plane sapphire substrate were evaluated by ${\omega}-2{\theta}$ high-resolution X-ray diffraction. The a-plane GaN films were characterized by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) to determine carbon contamination from carbonized PR masks in the GaN film bulk. After $Ar^+$ ion etching, XPS spectra indicated that carbon contamination exists only in the surface region. Finally, the heat treatment of carbonized PR masks was used to grow high-quality a-plane GaN films without carbon contamination. This approach showed the promising potential of the ELO process by using a PR mask.

• 한국자원식물학회지
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• 제36권5호
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• pp.508-516
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• 2023

왜당귀[Angelica acutiloba (Siebold & Zucc.) Kitagawa]를 대상으로 종자 발아 및 유묘 생육, 유용성분 함량과 관련된 GA₃ 처리 효과를 분석하여 왜당귀 재배시 기초자료를 제공하고자 하였다. 왜당귀 종자의 수분흡수율은 침지 2시간이 경과한 시점에서 62.07%를 나타냈고, 48시간이 경과한 시점에서 122.15%로 가장 높은 값을 나타냈다. 왜당귀 종자의 적정 발아온도는 10℃에서 25℃로 확인되었으며, 5℃에서는 발아가 진행되지 않았고, 30℃에서는 GA₃ 농도가 증가함에 따라 발아율이 유의하게 증가하였다. 또한 유묘 생육은 GA₃ 처리농도가 높아질수록 양호하였으나 유용성분 함량의 경우 실험구에 따른 유의성이 확인되지 않았다. 이러한 결과는 약용 및 식용으로 활용성이 높은 왜당귀에 대한 최적 재배와 생산기술 정립에 기초자료로 활용할 수 있을 것으로 판단된다.

• 디지털융복합연구
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• 제13권4호
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• pp.235-246
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• 2015

최근 다양한 불특정 다수의 해킹 및 반복되는 DDoS 사이버테러 공격을 이해하고, 그 해결책을 비로소 공격 기법에서 찾을 수 있었다. 공격자와 방어자, 공격 기법과 방어 기법의 접목이라는 자유로운 연구 방식은 항상 엉뚱함에서 가능성을 발견해가는 도전이라 할 수 있다. 본 논문에서는 "KWON-GA"라는 세계적인 화이트 해커들 개발진이 오랜 경험의 침투 및 진단을 통해, 공격이 최상의 방어라는 미명하에 방어의 목적으로 구현된 지식 정보 보안 솔루션을 고객이 운용 중인 시스템 환경에 맞추어 필요한 기술을 적용하는 커스터마이징 정책으로 맞춤 솔루션을 제공할 수 있으며, 독창적인 원천기술로 처리되어 탐색이 불가능하고 내부적으로 유출되는 경우에도 분석이 되지 않아 해커에게 분석되어 취약점을 노출하거나 해킹의 수단으로 악용되지 않는 ITC융합 보안 솔루션을 시험평가 하였다.