Advanced hard materials based on diamond are in common use. In this study our main goal was employed to analyze, the mechanisms for the rich phases and chromium carbide, interface of a diamond grits brazed to a Ni-based brazing filler metal matrix. When Ni-7Cr-3Fe-3B-4Si (wt. %) was utilized as the brazing alloy, an isothermal holding resulted in the various products(Ni-rich/Cr-rich domains, carbide). According to these results, the chemical compounds and chromium carbides products is considered to play an important role in brazing temperature and time. Especially chromium carbide has an influence on brazing junction properties.
본 논문에서는 W-대역에서 동작하는 턴스타일(Turnstile) 구조를 갖는 직교모드 편파기(Ortho-Mode Transducer: OMT)를 설계하고 제작하였다. 턴스타일 구조는 도파관의 대칭구조로 인하여 도파관 내에서 발생하는 불필요한 고차모드는 서로 상쇄되므로 광대역에서 높은 전달특성과 낮은 반사손실을 가지는 장점이 있으며, 공통포트에서 2개의 모드가 서로 직교하므로 이중편파 특성을 최대한 구현 가능하도록 해 준다. 제안한 직교모드 편파기는 레이다 탐색기에 적용 가능하며, 밀리미터파 대역인 W-대역(94 GHz)에서 동작한다. 또한, 제작한 결과, 동작 주파수 범위에서 평균적으로 -20 dB보다 낮은 반사손실 값을 가지며, 500 MHz 이상의 대역폭 특성을 보인다.
본 연구에서는 터널링 자기저항 소자에서 절연층을 중심으로한 접합면의 정전 용량이 이를 메모리 소자로 사용하였을 때 접근시간에 미치는 영향을 알아보았다. 여기에서 얻어진 결과는 자장을 인가하지 않고 전기적 신호만을 입력하여 측정하였다. 이를 위해 시편에 1 MHz의 양극성 구형파를 인가하고 응답 파형을 오실로스코프로 관찰하여 시정수를 계산하였다. 그리고 각 cell의 접합면 면적에 따라 시정수를 비교하였다. 이렇게 측정된 시정수와 시편에서 각 부분의 전기적 저항 측정자료들을 기초로 전기 패드 리드 그리고 접합면과 같은 시편의 각 부위가 전기적 회로로 모델링 되었다. 그 결과 200$\mu\textrm{m}$$\times$200$\mu\textrm{m}$ cell에서 약 90 pF의 접합면 정전용량이 존재함을 유추할 수 있었다. 또한 모델링 결과와 실제 측정한 결과를 서로 비교하여 그 특성이 매우 유사함을 보였다.
일반적으로 통행지체란 어느 도로구간을 정상속도로 이동하는 차량의 평균주행시간과 차량 정체로 인해 감속되는 차량의 평균통행시간 사이의 시간차이를 의미하고, 도로의 접속지점이나 병목지점을 통과하는데 발생하는 지체시간으로 사용되고 있다. 외국의 도시고속도로는 제한속도 80Km/h 이상의 고속화도로로서 흔히 출퇴근시간대에 유출입연결로의 접속영향권역내에서 출퇴근통행수요의 집중으로 교통정체를 겪고 있으나, 국내 도시고속도로는 제한속도 80Km/h이하의 고속화도로로서 출근시간대에 관계없이 유출입연결로 접속영향권역내 뿐만 아니라 본선구간에서도 극심한 교통체증을 겪고 있다. 따라서 본 연구의 목적은 고속도로와는 다른 지리적 특성을 가진 도시고속도로의 유출입연결로 접속영향권역내에서 통행지체를 추정할 수 있는 모델을 개발하고 그 타당성을 검토하는데 있다.
MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) is a promising candidate for a universal memory that meets all application needs with non-volatile, fast operational speed, and low power consumption. The simplest architecture of MRAM cell is a series of MTJ (Magnetic Tunnel Junction) as a data storage part and MOS transistor as a data selection part. This paper is for testing the actual electrical parameters to adopt MRAM technology in the semiconductor based memory device. The discussed topics are an actual integration of MRAM core cell and its properties such as electrical tuning of MOS/MTJ for data sensing and control of magnetic switching for data writing. It will be also tested that limits of the MRAM technology for a high density memory.
This paper presents to generate 3D building model using estimation of rooftop surface after 3D line segment extraction using hybrid stereo matching techniques in terms of the co-operation of area-based stereo and feature-based stereo. we first performed a junction extraction from 3D line segment data which was obtained by stereo images, and finally generated building's reliable rooftop surface model using LSE(Least Square Error) method after creating surfaces by grouped and fixed junction points. we generated synthetic images for experimentation by photo-realistic simulation on Avenches data set of Ascona aerial images.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제14권3호
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pp.339-344
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2014
This paper presents a novel bipolar junction transistor (BJT) based electrostatic discharge (ESD) protection device. This protection device was designed for 20V power clamps and fabricated by a process with Bipolar-CMOS-DMOS (BCD) $0.18{\mu}m$. The current-voltage characteristics of this protection device was verified by the transmission line pulse (TLP) system and the DC BV characteristic was verified by using a semiconductor parameter analyzer. From the experimental results, the proposed device has a trigger voltage of 29.1V, holding voltage of 22.4V and low on-resistance of approximately $1.6{\Omega}$. In addition, the test of ESD robustness showed that the ESD successfully passed through human body model (HBM) 8kV. In this paper, the operational mechanism of this protection device was investigated by structural analysis of the proposed device. In addition, the proposed device were obtained as stack structures and verified.
This paper presents plastic limit loads of piping branch junctions with local wall thinning under combined pressure and in-plane bending, based on systematic three-dimensional finite element limit analyses using elastic-perfectly plastic materials. An ideal branch junction without weld or reinforcement around the intersection is considered with two locations of wall thinning; one in the run pipe, and the other in the branch pipe. Based on FE results, effects of thinning geometries on plastic limit moments are quantified and simple approximations of plastic limit loads are proposed.
Mirfazli, Seyed Kourosh;Giahi, Mohammad Hossein;Dehkordi, Ali Jafarian
Wind and Structures
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제28권3호
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pp.191-201
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2019
In this paper, the aerodynamic analysis of a vertical axis wind turbine was carried out by CFD approach to optimize the turbine performance. To perform numerical simulation, SST-Transition turbulence model was used, which demonstrated more precise results compared to non-transition models. A parametric study was conducted to optimize the VAWT performance based on the selected model. The investigation of pitch angle changes showed that the highest power produced by the turbine occurs at $2^{\circ}$ angle. Considering the effect of the rotor's arm junction to the airfoil showed that by increasing the distance of the junction from the edge of the airfoil from 25 cm to 40 cm, the power of the turbine increases by 60%. However, further increase in this distance results in power decrease. Based on the proposed numerical model, a case study was conducted to consider the installation of four VAWTs in the southwest corner of the medical science building at TMU campus with a height of 42m. The results of the simulation showed that 8.27 MWh energy is obtainable annually.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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