Hot carrier induced device degradation in amorphous InGaZnO thin film transistors with source and drain electrode materials (소스 및 드레인 전극 재료에 따른 비정질 InGaZnO 박막 트랜지스터의 소자 열화)
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- Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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- v.21 no.1
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- pp.82-89
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- 2017