Journal of the Korean Applied Science and Technology
/
v.32
no.2
/
pp.312-319
/
2015
In this study, n-butanol and ethyl acetate extracts were prepared from raw yam (Dioscorea batatas DECNE.). Their antioxidative potencies were investigated employing various in vitro methods, such as ferrous ion chelating, ${\beta}$-carotene bleaching assay, lipid peroxidation inhibition and nitric oxide (NO) radical scavenging and nitrite scavenging activity. The n-butanol fraction was assayed to possess stronger antioxidant activity by ${\beta}$-carotene bleaching assay, lipid peroxidation inhibition and NO radical scavenging activity. However, ethyl acetate extract was more effective in chelating ferrous ion and scavenging nitrite. Based on the results obtained, yam is a potential active ingredient that could be applied in antioxidation as well as bio-health functional food to take a good part in prevention of human diseases and aging.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
/
v.28
no.11
/
pp.698-703
/
2015
In this study, we fabricated the dual gate (DG) ion-sensitive field-effect-transistor (ISFET) with flexible polyimide (PI) extended gate (EG). The DG ISFETs significantly enhanced the sensitivity of pH in electrolytes from 60 mV/pH to 1152.17 mV/pH and effectively improved the drift and hysteresis phenomenon. This is attributed to the capacitive coupling effect between top gate and bottom gate insulators of the channel in silicon-on-transistor (SOI) metal-oxide-semiconductor (MOS) FETs. Accordingly, it is expected that the PI-EG based DG-ISFETs is promising technology for high-performance flexible biosensor applications.
Electrical properties of ZrF4-based heavy metla fluoride glasses were measured by the ac complex impedance method. The effects of alkali and chloride ions addition into fluoro zirconate glasses on the electrical conductivity were examined. The electrical conductivities of fluoride glasses show Arrhenian behavior in the temperature range of the experiment and were decreased by the addition of sodium fluoride up to 15mol%. Mixed alkali substitution resulted in conductivity minimum at intermediate composition which is commonly observed as mixed alkali effect' in alkali oxide glasses. Chloride ion substituted for fluoride ion was found to lower the conductivity.
The panels were fabricated to characterize the contamination of Magnesium Oxide (MgO) thin films by phosphors and ion bombardments in AC-PDPs. Forty-six inch WVGA panels of the surface and vertical discharge type were manufactured. The experiment was designed to investigate the relationship between the MgO thin films and phosphor contamination caused by ion bombardments in a plasma environment to produce a life time test. The contamination of MgO thin films by phosphors was investigated by way of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS).
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
/
v.18
no.5
/
pp.22-29
/
1981
An ion sensitive field effect transistor employing a special HCI heat treatment for the gate oxide layer along with tungsten metallization and multilayer encapsulation using fumed silica epoxy mixture was fabricated and its performance characteristics have been investigated. A theoretical model for the device operation is discussed, and it is shown that the experimental results are in good agreement with the theory. The fabricated device has excellent performance characteristics showing the fast response, long operation-life, small pH hysteresis, high sensitivity, etc. Especially, its stability has been greatly improved.
Zirconium oxide films have been synthesized by radio-frequency magnetron sputtering deposition on n-Si(001) substrate with metal zirconium target at variant $O_2$ partial pressures. The influences of $O_2$ partial pressures of the morphology, deposition rate, microstructure, and the dielectric constant of $ZrO_2$ have been discussed. The results show that deposition rate of $ZrO_2$ films decreases, the roughness, and the thickness of the native $SiO_2$ interlayer increases with the increase of $O_2$ partial pressure. $ZrO_2$ films synthesized at low $O_2$ partial pressure are amorphous and monoclinic polycrystalline in nanometer scale at low $O_2$ partial pressure. The relative dielectrics of $ZrO_2$ films are in the range of 12 to 25.
Kim, Seung-Kook;Chang, Jong-Hyeon;Kim, Byoung-Min;Yang, Sang-Sik;Hwang, In-Sik;Pak, Jung-Ho
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
/
v.56
no.12
/
pp.2221-2225
/
2007
Hollow-type microneedle array can be used for painless, continuous and stable drug delivery through a human skin. The needles must be sharp and have sufficient length in order to penetrate the epidermis. An array of hollow-type silicon microneedles was fabricated by using deep reactive ion etching and HNA wet etching with two oxide masks. Isotropic etching was used to create tapered tips of the needles, and anisotropic etching of Bosch process was used to make the extended length and holes of microneedles. The microneedles were formed by three steps of isotropic, anisotropic, and isotropic etching in order. The holes were made by one anisotropic etching step. The fabricated microneedles have $170{\mu}m$ width, $40{\mu}m$ hole diameter and $230{\mu}m$ length.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
/
2010.08a
/
pp.90-90
/
2010
We investigated the modification of optical response properties of titanium dioxide (TiO2) coatings on the ceramic water-purification filters by using ultraviolet-visible absorption spectroscopy and X-ray diffraction. The TiO2 coatings were prepared on ceramic substrate by e-beam evaporation method. These amorphous TiO2 were turned into anatase phase by heat treatment at $700^{\circ}C$ for 2 hours. The doping of N atoms into the TiO2 coatings was done by using 70KeV of N+ ion implantation with the dose of $1.0{\times}1017$ ions/cm2, followed by post-irradiation heat treatment at $550^{\circ}C$ for 2 hours. Methylene blue test of TiO2 coatings to solar irradiation showed that the post-evaporation heated TiO2 was photocatalytic and N-doped TiO2 reacted to the visible part of solar irradiation.
To use polycrystalline Si Thin Film Transistor (poly-Si TFT) in high density SRAM instead of High Load Resistor (HLR), TFT is needed to show good electrical characteristics such as large carrier mobility, low leakage current, high driver current and low subthreshold swing. To satisfy these electrical characteristics, the trap state density must be reduced in the channel poly. Technological issues pertinent to the channel poly fabrication process are investigated and discussed. They are solid phase growth (SPG), Si-ion implantation, laser annealing and hydrogenation. The electrical properties of several CVD oxides used as the gate oxide of TFT are compared. The dependence of the electrical characteristics of TFT on source-drain ion-implantation dose, drain offset length and dopant lateral diffusion are also described.
The micro Vickers hardness and internal stress of Ni-Fe metal thin film synthesized by electrodeposition method at $25^{\circ}C$ were studied as a function of bath composition, and surface microstructure and atomic compositions of thin films were investigated by SEM and EDS. And the shape change of $200\;{\AA}$ Ni-Fe nanowires made using anodic aluminum oxide(AAO) templates by electrodeposition method were observed by SEM as a function of ultrasonic treatment time and bath composition. The Fe deposition contents on the substrate non-linearly increased with Fe ion concentration over total metal ion concentration. In case of low Fe contents film, the grain size is smaller and denser than high Fe contents deposited films, and the micro Vickers hardness increased with Fe contents of electrodeposited films. These results affected the shape change of nanowire after ultrasonic treatments.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.