Ferroelectric $Sr_xBa_{1-x}Nb_2O_6(0.25{\leq}x{\leq}0.75)$ thin films were prepared by the Ion Beam Sputtering method. Deposit onto Pt/Ti/$SiO_2$/Si(100) substrates. The deposited thin films were heat-treated for crystallization. Microstructure and crystallization behavior were examined using FE-SEM, XRD. Ferroelectric hysteresis were measured. The measured remanent polarization and coercive field values were $38{\mu}C/cm^2$ and 120kV/cm, respectively.
$Bi_2Sr_2Ca_nCu_{n+1}O_y$($n{\geq}0$; BSCCO)thin film is fabricated via two different processes using an ion beam sputtering method i.e. co-deposition and layer-by-layer deposition. A single phase of Bi2212 can be fabricated via the co-deposition process. While it cannot be obtained by the layer-by-layer process. Ultra-low growth rate in our ion beam sputtering system brings out the difference in Bi element adsorption between the two processes and results in only 30% adsorption against total incident Bi amount by layer-by-layer deposition, in contrast to enough Bi adsorption by co-deposition.
Bi$_2$Sr$_2$Ca$_{n}$Cu$_{n+1}$ O$_{y}$(n$\geq$0; BSCCO) thin film is fabricated via two different processes using an ion beam sputtering method i.e. co-deposition and layer-by-layer deposition. A single phase of Bi2212 can be fabricated via the co-deposition process. While it cannot be obtained by the layer-by-layer process. Ultra-low growth rate in our ion beam sputtering system brings out the difference in Bi element adsorption between the two processes and results in only 30% adsorption against total incident Bi amount by layer-by-layer deposition, in contrast to enough Bi adsorption by co-deposition.on.n.
Bi$_2$Sr$_2$Ca$_{n}$Cu$_{n+1}$ O$_{y}$(n$\geq$0; BSCCO)thin film is fabricated via two different processes using an ion beam sputtering method i.e. co-deposition and layer-by-layer deposition. A single phase of Bi2212 can be fabricated via the co-deposition process. While it cannot be obtained by the layer-by-layer process. Ultra-law growth rate in our ion beam sputtering system brings out the difference in Bi element adsorption between the two processes and results in only 30% adsorption against total incident Bi amount by layer-by-layer deposition, in contrast to enough Bi adsorption by co-deposition.on.n.
$Bi_2Sr_2CuO_x$(Bi-2201) thin films have been fabricated by atomic layer-by-layer deposition using ion beam sputtering (IBS) method. During the deposition, 14 wt%-ozone/oxygen mixture gas of typical pressure of $5.0\times10^{-5}$ Torr is supplied with ultraviolent light irradiation for oxidation. XRD and RHEED investigations reveal that a buffer layer with compositions different from Bi-2201 is formed at the early deposition stage of less than 10 units cell and then Bi-2201 oriented along the c-axis is grown.
BSCCO thin films have been fabricated by co-deposition at an ultralow growth rate using ion beam sputtering(IBS) method. Bi 2212 phase appeared in the temperature range of 750 and $795^{\circ}C$ and single phase of Bi 2201 existed in the lower region than $785^{\circ}C$. Whereas, $Po_3$ dependance on structural formation was scarcely observed regardless of the pressure variation. And high quality of c-axis oriented Bi 2212 thin film with $T_c$ (onset) of about 90 K and $T_c$(zero) of about 45 K is obtained. Only a smd amount of CuO in some films was observed as impurity, and no impurity phase such as $CaCuO_2$ was observed in d of the obtained films.
We applied N-ion bombardment and heat treatment to the Cu thin films deposited on aluminum oxide layer for the enhancement of adhesion. With e-beam evaporation method. $1,000{\AA}$ thick Cu pre-bombardment layer was deposited on the aluminum oxide surface and then N-ion beam was bombared in order to mix the atoms at the film/substrate interface. Additional $4,000{\AA}$-thick Cu film was the coated. Subsequently, the ion mixide Cu on aluminum oxide was annealed at $200^{\circ}C$ and $300^{\circ}C$ in vacuum.
Ion beam assisted deposition(IBAD) technique was used to synthesize hard coatings including diamond-like carbon(DLC), carbon nitride(CN) and metal-ceramic multilayered films. It was found that DLC films formed at low energy ion bombardment possess more $Sp^3$ bonds and much higher hardness. The films exhibited an excellent wear resistance. Nanometer multialyered Fe/TiC films was deposited by ion beam sputtering. The structure and properties were strongly dependent on the thickness of the individual layers and modulation wave length. It was disclosed that both hardness and toughness of the films could be enhanced by adjusting the deposition parameters. The CN films synthesized by IBAD method consisted of tiny crystallites dispersed in amorphous matrix, which were identified by electron diffraction pattern to be $\beta -C_3N_4$.
The residual stress in axial stress in the axial direction of the steel filaments has been measured by using a method based on the combination of the focused ion beam (FIB) and high resolution strain mapping program (VIC-2D). That is, the residual stress was calculated from the measured displacement field before and after the introduction of a slot along the steel filaments. The displacement was obtained by the digital correlation analysis of high-resolution scanning electron micrographs, while the slot was introduced by FIB milling with low energy beam. The present measurement revealed that the residual stress within 8% of the magnitude was persistent in the steel filaments fabricated.
이온성 고분자-금속 복합체(ionic polymer metal composite, IPMC)는 낮은 구동 전압에서도 비교적 빠른 응답 속도를 갖는 전기활성고분자(electro active polymer, EAP) 재료이다. IPMC는 인간의 근육과 유사한 인성 및 변형 특성을 나타내므로 최근 인공근육용 구동체 개발을 위한 많은 연구들이 진행되어 왔으며, 또한 우주항공, 센서 및 펌프 등의 다양한 분야에서 적용가능성이 조사되고 있다. 본 연구에서는 액상 내피온을 이용하여 용액 캐스팅 방법으로 다양한 두께의 내피온 막을 제조하는 방법을 도입하였다. IPMC 제조방법은 Oguro가 제안한 방법을 기초로 하여 도금온도를 변화시켜 무전해 도금법을 이용하여 내피온 내부로의 1차 전극을 형성시켰으며, 형성된 1차 전극의 안정성과 표면전기저항을 낮추기 위하여 이온빔보조증착법(ion beam assisted deposition, IBAD)을 도입하여 금과 이리듐을 1차 전극표면 위에 증착하여 2차 전극을 형성시켰다. 1, 2차 무전해 도금한 IPMC와 2차 IBAD 코팅한 IPMC 전극의 표면과 단면 형상을 SEM으로 관찰하였으며, 전압을 인가할 때 IPMC 내부의 수분증발 및 이온전도도의 변화를 조사하였다. 또한 다양한 두께의 IPMC를 제조하여 두께변화에 따른 변위와 구동력을 측정하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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