In this paper, we intend to make fringe-field switching (FFS) mode cell by the ion beam (IB) alignment method on the a-C:H thin film, to analyze electro-optical characteristics in this cell. We studied on the suitable inorganic thin film for fringe-field switching (FFS) cell and the aligning capabilities of nematic liquid crystal (NLC) using the alignment material of a-C:H thin film as working gas at 30 W rf bias condition. A high pretilt angle of about 5 $^{\circ}C$ by ion beam (IB) exposure on the a-C:H thin film surface was measured. Consequently, the high pretilt angle and the good thermal stability of LC alignment by the IB alignment method on the a-C:H thin film surface as working gas at 30 W rf bias condition can be achieved. An excellent voltage-transmittance (V -T) and response time curve of the IE-aligned FFS-LCD was observed with oblique IB exposure on the a-C:H thin films. Also, AC V-T hysteresis characteristics of the IB-aligned FFS-LCD with IE exposure on the a-C:H thin films is almost the same as that of the rubbing-aligned FFS cell on a polyimide (PI) surface.
In this study, we investigated the genetic variation in the general of monocot model plant (rice) in response to various ionizing irradiations including gamma-ray, ion beam and cosmic-ray. The non-irradiated and three irradiated (200 Gy of gamma-ray and 40 Gy of ion beam and cosmic-ray) plants were analyzed by AFLP technique using capillary electrophoresis with ABI3130xl genetic analyzer. The 29 primer combinations tested produced polymorphism results showing a total of 2,238 bands with fragments sizes ranged from 30 bp to 600 bp. The number of polymorphism generated by each primer combinations was varied significantly, ranging from 2 (M-CAC/E-ACG) to 158 (M-CAT/E-AGG) with an average of 77 bands. Polymorphic peaks were detected as 1,269 with an average of 44 per primer combinations. By UPGMA (Unweighted Pair Group Method using Arithmetic clustering) analysis method, the clusters were divided into non-irradiated sample and three irradiated samples at a similarity coefficient of 0.41 and three irradiation samples was subdivided into cosmic-ray and two irradiation samples (200 Gy of gamma-ray and 40 Gy of ion beam) at similarity coefficient of 0.48. Similarity coefficient values ranged from 0.41 to 0.55.
Diamond-like carbon (DLC) lims were deposited by using end hall type ion gun. Benzene gas was used for the generation of carbon ions. In order to systematically control the ion energy, we applied to the substrate DC, pulsed DC or 250 kHz medium frequency bias voltage, DLC films of superior mechanical properties of hardness 39$\pm$4 GPa and elastic mudulus 290$\pm$50GPa (2 to 6 times better than those of the films deposited by plasma assisted CVD method) could be obtained. Deposition rate was much higher than when using Kaufman type ion source, which results from higher ion beam current of end hall type ion gun. The mechanical properties and atomic bond structure were independent of the bias voltage type ion gun. The mechanical properties and atomic bond structure were independent of the bias voltage type but intimately related with the magnitude of the bias voltage. With increasing the negative bias voltage, the structure of the films changed to graphitic one resulting in decreased content of three dimensional inter-links. Degradation of the mechanical properties with increasing bias voltage could be thus understood in terms of the content odf three dimensional inter-links.
Son, Chang-Gil;Song, K.B.;Jeoung, S.J.;Park, E.Y.;Kim, J.S.;Choi, E.H.;J, S.
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
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pp.1380-1383
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2007
The secondary electron emission coefficient (${\gamma}$) of the cathode is an important factor for improving the discharge characteristics of AC-PDP, because of its close relationship to discharge voltage. In this experiment, we have investigated the electronic structure of the energy band in the MgO layer responsible for the high ${\gamma}$. We used three kinds of MgO pellet that have another component, and each MgO layers have been deposited by electron beam evaporation method. The work-functions of MgO layer have been investigated from their ion-induced secondary electron emission coefficient (${\gamma}$), respectively, using various ions with different ionization energies in a ${\gamma}-FIB$ (Focused Ion Beam) system. We have compared work-function with ${\gamma}-FIB$ system current signal for measurement defect energy level in MgO layer. MgO-A in the three types has lowest work-function value (4.12eV) and there are two defect energy levels.
Micro/nano tribological characteristics of PTFE coating films were experimentally studied. PTFE (polytetrafluoroethylene) modified polyethylene and low molecular weight PTFE were used as a coating materials. These films were deposited on Si-wafer (100) by IBAD (ion beam assisted deposition) method. The Ar ion beam sputtering was performed to change the surface topography of films using a hollow cathode ion gun under different Ar ion dose conditions in a vacuum chamber. Micro/nano tribological characteristics, water wetting angles and roughness were measured with a micro tribotester, SPM (scanning probe microscope), contact anglemeter and profilometer, respectively. The durability of the films were measured with macro tribotester. Results showed that the PTFE coating surfaces were converted to hydrophobic. The water contact angle of coated surfaces and surface roughness increased with the coating thickness. Adhesion and friction in micro and nano scale were governed by magnitude of normal load in soft material such as PTFE films. As the increase of sputtering time on low molecular weight PTFE films, the surface roughness was increased and nano adhesion and friction were decreased. The nano tribological characteristics of surfaces are mainly improved by chemical modification such as PTFE coating and given a synergy effect by the physical modification such as topographic modification.
SCBF(Spherically Convergent Beam Fusion) device has been studied as a neutron source. Neutron production rate is a most important factor for the application of SCBF device and is proportional to the square of the ion current[1]. It is regarded generally that some correlations between the potential well structure and the ion current exist. In this paper, the ion current and potential distribution were calculated in a variety of grid cathode geometries using FEM-FCT method. Single potential well structure was certified inside the grid cathode. The deeper the potential well became, the higher the ion current due to the high electric field near the grid cathode became.
Background: The National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology-National Institute of Radiological Sciences (QST-NIRS) has continuously investigated the undesired radiation exposure in ion beam radiotherapy mainly in carbon-ion radiotherapy (CIRT). This review introduces our investigations on the secondary neutron dose in CIRT with the broad and scanning beam methods. Materials and Methods: The neutron ambient dose equivalents in CIRT are evaluated based on rem meter (WENDI-II) measurements. The out-of-field organ doses assuming prostate cancer and pediatric brain tumor treatments are also evaluated through the Monte Carlo simulation. This evaluation of the out-of-field dose includes contributions from secondary neutrons and secondary charged particles. Results and Discussion: The measurements of the neutron ambient dose equivalents at a 90#x00B0; angle to the beam axis in CIRT with the broad beam method show that the neutron dose per treatment dose in CIRT is lower than that in proton radiotherapy (PRT). For the scanning beam with the energy scanning technique, the neutron dose per treatment dose in CIRT is lower than that in PRT. Moreover, the out-of-field organ doses in CIRT decreased with distance to the target and are less than the lower bound in intensity-modulated radiotherapy (IMRT) shown in AAPM TG-158 (American Association of Physicists in Medicine Task Group). Conclusion: The evaluation of the out-of-field doses is important from the viewpoint of secondary cancer risk after radiotherapy. Secondary neutrons are the major source in CIRT, especially in the distant area from the target volume. However, the dose level in CIRT is similar or lower than that in PRT and IMRT, even if the contributions from all radiation species are included in the evaluation.
중성입자입사 장치의 효율적인 빔형성 구조를 목적으로 정전기장 내에서 하전 입자의 움직임을 시간의 흐름에 따라 계산해 볼 수 있는 프로그램을 만들어 입자 모사 모형을 찾았다. 가속관 내의 입자의 움직임은 일정 시간 간격으로 계산하였고 전위는 유한차분법에 의해 Poisson 방정식에서 구하였다. 행렬식은 반복해법인 successive overrelaxation법을 사용하였고 전하밀도와 임자에 미치는 전기장의 힘을 구할 때는 cloud-in-cell모델을 사용하였다. 이 전자계산 코드를 사용하여 가속관 내 전극의 여러 조건들을 변화시켜가면서 빔형성 구조의 최적 설계를 수행하였다. 중성자 입사 장치의 가속관에서 가속 감속-전극간의 간격변화, 감속전극의 두께 변화, 가속 전극의 형태변화 등을 통하여 이들이 빔의 모양에 끼치는 영향을 조사하여 몇 가지 경우에 있어서 일정한 시간 간격으로 나타나는 입자들의 움직임을 예시하였다. 이 입자 모사모형을 통하여 가속전극의 형태가 빔 퍼짐에 가장 주요한 역할을 하는 것을 알았다.
For various applications of liquid crystal displays (LCDs), the uniform alignment of liquid crystal (LC) molecules on treated surfaces is significantly important. Generally, a rubbing method has been widely used to align the LC molecules on polyimide (PI) surfaces. Rubbed PI surfaces have suitable characteristics, such as uniform alignment. However, the rubbing method has some drawbacks, such as the generation of electrostatic charges and the creation of contaminating particles. Thus, we strongly recommend a non contact alignment technique for future generations of large high-resolution LCDs. Most recently, the LC aligning capabilities achieved by ultraviolet and ion-beam exposures which are non contact methods, on diamond-like carbon (DLC) inorganic thin film layers have been successfully studied because DLC thin films have a high mechanical hardness, a high electrical resistivity, optical transparency, and chemical inertness. In addition, nitrogen-doped DLC (NDLC) thin films exhibit properties similar to those of the DLC thin films and a higher thermal stability than the DLC thin films because C:N bonding in the NDLC thin filmsis stronger against thermal stress than C:H bonding in the DLC thin films. Our research group has already studied the NDLC thin films by an ion-beam alignment method. The $SiN_x$ thin films deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition are widely used as an insulation layer for a thin film transistor, which has characteristics similar to those of DLC inorganic thin films. Therefore, in this paper, we report on LC alignment effects and pretilt angle generation on a $SiN_x$, thin film treated by ion-beam irradiation for various N ratios
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[게시일 2004년 10월 1일]
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