근래에 들어 정보보안 환경이 ICT와 융합됨에 따라 새로운 취약성 지속적으로 증가하고 있다. 이에 따라 새로운 유형의 사이버범죄가 대두되고 있으며 사이버 공격, 내부자 유출 등 보안문제로 인하여 보안사고 사례가 급증하고 있다. 또한 기존의 기술적인 보안위협처럼 취약점을 악용한 외부의 해킹이 아닌 내부직원에 의한 정보유출 등의 신종 보안위협이 등장하고 있으며 산업과 기술이 융합되는 새로운 환경으로 발전함에 따라 그 위협은 더욱 증가하고 있는 실정이다. 따라서, 본 논문에서는 고도화된 정보위협에 능동적으로 대처하기 위한 전문보안관리 인재를 양성하기 위해 균형있는 정보보호 교과목을 설계하여 정보보호 교과목 분류체계를 도출하고자 하였다. 이를 위해 선행연구조사 분석과 전문가 자문위원회의 회의를 통해 기술적인 교육과 경영 관리적인 교육이 적절히 배분된 정보보호 교과목을 도출하고 국내실정에 적합한 형태로 분류된 정보보호 직업분류체계와의 연결을 통해 균형감있는 정보보호교과목 분류체계를 도출하였다. 본 연구결과는 미래 산업융합 환경의 신종 보안위협을 막아낼 수 있는 지능형 보안인재를 양성하는데 긍정적인 효과를 미칠 것으로 기대된다.
피혁 제조 공정에서 발생되는 각종 피혁 가공 폐기물의 발생율은 원료피 기준 거의 50% 이상이며 배출되는 피혁 가공 폐기물들은 50% 이상의 수분을 함유한 동물성 유지 및 섬유상 단백질로 구성되어 있어 귀중한 유지 및 단백질 자원임에도 불구하고 다른 용도로의 재활용 적용 없이 대부분 산업 폐기물로 소각하거나 단순 매립 처리하고 있다. 이로 인해 이들 피혁 가공 폐기물에 의한 환경오염 문제가 날로 심각해져 가고 있는 실정이며 피혁 가공 폐기물에 대한 과다한 처리비용(4만원~6만원/Ton)으로 생산 원가 측면에서도 큰 부담이 되고 있다. 더욱이 Fleshing scrap, Pelt scrap과 같은 유기성 폐기물의 경우는 부패성이 높아 적절하게 처리되지 않고 불법투기될 경우에 발생하는 악취, 오수 누출 등에 의한 2차 오염이 발생됨으로 이러한 문제점을 해결하고자 재자원화 실험을 실시하여 유지 및 단백질의 재회수 기술 개발과 이를 이용한 재 자원화 기술 개발로 피혁 처리용 약품을 제조하였다.
Jo, Yoo Jin;Moon, Jeong Hyun;Seok, Ogyun;Bahng, Wook;Park, Tae Joo;Ha, Min-Woo
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제17권2호
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pp.265-270
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2017
4H-SiC has attracted attention for high-power and high-temperature metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) for industrial and automotive applications. The gate oxide in the 4H-SiC MOS system is important for switching operations. Above $1000^{\circ}C$, thermal oxidation initiates $SiO_2$ layer formation on SiC; this is one advantage of 4H-SiC compared with other wide band-gap materials. However, if post-deposition annealing is not applied, thermally grown $SiO_2$ on 4H-SiC is limited by high oxide charges due to carbon clusters at the $SiC/SiO_2$ interface and near-interface states in $SiO_2$; this can be resolved via low-temperature deposition. In this study, low-temperature $SiO_2$ deposition on a Si substrate was optimized for $SiO_2/4H-SiC$ MOS capacitor fabrication; oxide formation proceeded without the need for post-deposition annealing. The $SiO_2/4H-SiC$ MOS capacitor samples demonstrated stable capacitance-voltage (C-V) characteristics, low voltage hysteresis, and a high breakdown field. Optimization of the treatment process is expected to further decrease the effective oxide charge density.
포화 수증기압이 고출력 형광체 변환 백색 LED 패키지의 열화현상에 미치는 주요 스트레스 인자임을 확인하였다. 또한 LED 패키지의 가속 수명시험을 통하여 포화 수증기압이 효과적인 가속 스트레스 인자임을 확인하였다. 실험조건은 350 mA 전류를 인가한 것과 인가하지 않은 2가지 조건에 대해 $121^{\circ}C$, 100% R.H. 환경에서 최대 168 시간동안 진행하였다. 실험결과 두 실험 모두 광 출력 감소, 스펙트럼 세기의 감소, 누설전류 및 열 저항이 증가하였다. 고장분석 결과 광 특성의 열화는 봉지재의 변색과 기포에 의해 발생한 것으로 나타났다. LED 패키지의 변색과 흡습에 의해 유발되는 기계적 (hygro-mechanical) 스트레스에 의한 기포 발생은 패키지 열화의 중요한 인자로써, 포화 수증기압이 고출력 LED의 수명시험 시간을 단축하기 위한 스트레스 인자로 적합함을 알 수 있었다.
이 글은 저작권법상 법인에게 저작자 지위를 귀속시키는 업무상저작물제도를 보완하여 게임 개발자의 권리를 강화함으로써 개발자의 창작의욕을 고취하고 이직 및 기술유출과 관련된 분쟁을 미연에 방지하여 산업발전을 촉진할 수 있는 방안을 찾는 것을 목적으로 하였다. 이를 위해 기능성저작물과 문예저작물의 복합적 성격을 띤 게임의 특성에 비추어 일반적인 산업저작권의 개발자와 비교하여 두텁게 보호될 필요가 있는지 그리고 보호의 필요가 있다면 어떠한 방법이 가능할 것인지를 검토하였다. 구체적으로 그 보완 방법을 세 측면으로 나누어 분석하였다. 첫번째 측면은 업무상저작물제도를 엄격하고 제한적으로 적용해야 한다는 해석론적 관점과 법적으로 저작인격권의 보호를 인정하여야 한다는 입법론적 관점을 살펴보았다. 두 번째 측면은 다수의 저작자가 관여하는 온라인게임 개발에 있어서 저작인격권을 인정하고자 하였을 때 문제가 되는 부분인 공동저작자 인정 여부와 관련된 학설과 판례를 검토하였다. 끝으로, 현실적으로 저작인격권을 보호하는 것이 용이하지 않을 때에 직무발명의 보상청구권 청구 규정을 유추하여 개발자의 경제적 이익을 확보할 수 있을 것인지 검토하였다.
(Ba, Sr) TiO$_3$(BST) thin films were prepared on RuO$_2$/Si substrates by rf magnetron sputtering and annealing was followed at temperatures ranging from 550 to 80$0^{\circ}C$ in $N_2$or $O_2$atmosphere. The effects of annealing conditions on the properties of BST film deposited on RuO$_2$bottom electrodes were investigated. It was found that the crystallinity. surface roughness, and grain size of BST films vary with the annealing temperature but they are not dependent upon the annealing atmosphere. The flat region in the current-voltage (I-V) curves of BST capacitors shortened with increasing annealing temperature under both atmospheres. This is believed to be due to the lowering of potential barrier caused by unstable interface and the increase of charge The shortening of the flat region by $O_2$annealing was more severe than that by $N_2$-annealing. As a result, there was no flat region when the films were annealed at 700 and 80$0^{\circ}C$ in $O_2$atmosphere. The dielectric properties of BST films were improved by annealing in either atmosphere. however, a degradation with frequency was observed when the films were annealed at relatively high temperature under $O_2$atmosphere.
This study was aimed to find the storage potential of low temperature adapted shiitake mushroom under freezing temperature ($-3^{\circ}C$). Fresh shiitake mushroom was harvested at late Feb. and cooled to target temperature, $-3^{\circ}C$ in the cooling room for 24 hr. Cooled mushroom were then placed in plastic boxes, wrapped with plastic film ($30{\mu}m$), and stored at $-3^{\circ}C$ for 2 months. Weight loss of mushroom was ranged from 2.1 to 3.2%. Dry weight per unit fresh weight, however, was slightly increased because of moisture loss. Firmness of fruit body increased from $0.95kg/cm^{-2}$ (before storage) to $1.13kg/cm^{-2}$ (after 2 month storage). About half amount of starch was lost during 2 month storage. The amount of total and reducing sugars remained relatively constant. After storage, freshness of mushroom was recovered by thawing treatment. When recovered mushroom were packaged with styrofoam tray and PVC wrapping, and exposed to ambient and $10^{\circ}C$, respectively, brown spot on the gill of fruit body was found and slight decay symptom was also found at ambient temperature only but not at $10^{\circ}C$. Results indicated that low temperature adapted shiitake mushroom has a storage potential under freezing temperature ($-3^{\circ}C$). Freezing storage technology of fresh shiitake mushroom will contribute the increase of storability up to 2 months.
This work shows the experimental results obtained from ageing at a temperature of 100 C for 48, 70 and 312 h, although the application of AC electrical tension in samples and the measuring of current leakage are presented. The measurements in samples were carried out with samples prepared from the deformulated commercial materials and respectively reformulated into thin films. The obtained results showed the mechanisms of conduction of samples in low and high electric fields. It was also identified an electric tension transition showing that in low fields it prevails the Ohm's law conduction, and in high electric fields it prevails the conduction of space charge limited current (SCLC). These results can support the natural rubber formulation process having as their main objective the reducing of the mechanisms that occur under high conduction current in high electric fields, which leads the material to a dielectric breakdown. Raw Natural rubber in Brazil is extracted from rubber trees (Hevea brasiliensis) in farms in So Paulo State by using some new plantation technology in smaller spaces, with trees placed a few meters from each other. In the Amazon rain forest the rubber trees are found naturally and their spacing may be of hundreds of meters or even kilometers between them. It is necessary to research this raw material from different internationally standard clones to characterize dielectric and electric properties for industrial applications. Moreover, this natural material has a low commercial price when compared to the synthetic ones.
The efficiency of such work highly depend on the worker's safety, who is protected by tools such as gloves, sleeves, blankets and flexible coverings among other manufactured natural-rubber goods. Use, storage and maintenance of these tools guarantee the quality and durability of the material. However, it might be observed that good tools made of such material are disapproved of when received from manufacturers or when they are removed from the warehouse for replacement. This work shows the experimental results obtained from ageing at a temperature of $100^{\circ}C$ for 48, 70 and 312 h, although the application of AC electrical tension in samples and the measuring of current leakage are presented. The measurements in samples were carried out with samples prepared from the deformulated commercial materials and respectively reformulated into thin films. The obtained results showed the mechanisms of conduction of samples in low and high electric fields. It was also identified an electric tension transition showing that in low fields it prevails the Ohm's law conduction, and in high electric fields it prevails the conduction of space charge limited current (SCLC). These results can support the natural rubber formulation process having as their main objective the reducing of the mechanisms that occur under high conduction current in high electric fields, which leads the material to a dielectric breakdown. It is necessary to research this raw material from different internationally standard clones to characterize dielectric and electric properties for industrial applications. Moreover, this natural material has a low commercial price when compared to the synthetic ones.
드론은 지상에서 전파를 사용하여 조종, 제어가 가능한 무인 항공기로 조종사가 탑승하지 않고 무인으로 움직인다. 무인항공기의 역사는 군사용에서 시작되었는데 1917년 미국에서 제작된 '스페리 에어리얼 토페도' 드론이 폭탄을 싣고 최초로 비행에 성공한 것이 첫 무인항공의 시작이었다. 무인항공 기술의 발달로 군사용 드론의 용도는 더욱 넓은 분야로 확대되었다. 최근 드론의 용도는 농업, 산업, 물류, 방송, 안전 등 다양한 분야에서 활용되고 있으며 그에 따른 시장의 규모도 점차 확대되고 있다. 드론은 우리의 실생활에 깊이 파고들어 없어서는 안 될 존재로 부각되고 있지만 사용자의 용도에 따라 나쁜 목적으로 사용될 수 있고 이로 인한 위험요소는 간과되고 있는 현실이다. 따라서 드론과 관련한 기술적인 결함과 조종자의 실수로 발생될 수 있는 사고까지 완벽하게 예방할 수 없지만 드론을 불법하게 사용하여 발생될 수 있는 사생활 침해, 보안 유출, 테러 등은 사전에 차단되어야만 드론산업 발전의 저해가 되지 않고 가속화를 가져올 것으로 본다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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