• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제16권3호
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• pp.124-129
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• 2015

Organic electronics are the domain in which the components and circuits are made of organic materials. This new electronics help to realize electronic and optoelectronic devices on flexible substrates. In recent years, organic materials have replaced conventional semiconductors in many electronic components such as, organic light-emitting diodes (OLEDs), organic field-effect transistors (OFETs) and organic photovoltaic (OPVs). It is well known that organic light emitting diodes (OLEDs) have many advantages in comparison with inorganic light-emitting diodes LEDs. These advantages include the low price of manufacturing, large area of electroluminescent display, uniform emission and lower the requirement for power. The aim of this paper is to model polymer LEDs and OLEDs made with small molecules for studying the electrical and optical characteristics. The purpose of this modeling process is, to obtain information about the running of OLEDs, as well as, the injection and charge transport mechanisms. The first simulation structure used in this paper is a mono layer device; typically consisting of the poly (2-methoxy-5(2'-ethyl) hexoxy-phenylenevinylene) (MEH-PPV) polymer sandwiched between an anode with a high work function, usually an indium tin oxide (ITO) substrate, and a cathode with a relatively low work function, such as Al. Electrons will then be injected from the cathode and recombine with electron holes injected from the anode, emitting light. In the second structure, we replaced MEH-PPV by tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum (Alq₃). This simulation uses, the Poole-Frenkel -like mobility model and the Langevin bimolecular recombination model as the transport and recombination mechanism. These models are enabled in ATLAS- SILVACO. To optimize OLED performance, we propose to change some parameters in this device, such as doping concentration, thickness and electrode materials.

• Composites Research
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• 제23권6호
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• pp.1-6
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• 2010

복합재 항공기 동체의 낙뢰손상방지를 목적으로 탄소섬듐-주석 산화물(ITO) 나노입자를 코팅함으로써 탄소섬유강화플라스틱(CFRP) 복합재료의 전기전도도를 향상하였다. 탄소섬유에 코팅된 ITO 나노입자는 10~40%의 농도로 콜로이드 상태에서 분사되었다. CFRP의 전기전도도는 코팅 후 3배 이상 증가하였으며 현재 B-787 복합재 항공기 동체에 사용 중인 기술인 금속메쉬를 CFRP 외층에 매몰한 경우보다도 높은 전기전도도를 얻을 수 있었으며, 나노입자 코팅으로 섬유-기지 계면에 미지는 악영향은 발견되지 않았다. 모의 낙뢰에 의한 손상영역은 각각 다른 처리를 한 재료와 조건에 따라 초음파 C-scan 이미지로 확인하였다. ITO 40% 코팅 시편의 경우 전기전도도는 B-787 샘플의 경우보다 높았지만 낙뢰에 의한 손상영역의 크기는 거의 비슷한 수준이었다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제7권2호
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• pp.49-53
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• 2008

The yellow base polymer light emitting diodes(PLEDs) with double emission and hole blocking layers were prepared to improve the light efficiency. ITO(indium tin oxide) and PEDOT : PSS[poly(3,4-ethylenedioxythiophene) : poly(styrene sulfolnate)] were used as cathode and hole transport materials. The PFO[poly(9,9-dioctylfluorene)] and MEH-PPV[poly(2-methoxy-5(2-ethylhe xoxy)-1,4-phenylenevinyle)] were used as the light emitting host and guest materials, respectively. TPBI[Tpbi1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazol-2-yl)benzene] was used as hole blocking layer. To investigate the optimization of device structure, we prepared four kinds of PLED devices with different structures such as single emission layer(PFO : MEH-PPV), two double emission layer(PFO/PFO : MEH-PPV, PFO : MEH-PPV/PFO) and double emission layer with hole blocking layer(PFO/PFO : MEH-PPV/TPBI). The electrical and optical properties of prepared devices were compared. The prepared PLED showed yellow emission color with CIE color coordinates of x = 0.48, y = 0.48 at the applied voltage of 14V. The maximum luminance and current density were found to be about 3920 cd/$m^2$ and 130 mA/$cm^2$ at 14V, respectively for the PLED device with the structure of ITO/PEDOT : PSS/PFO/PFO : MEH-PPV/TPBI/LiF/Al.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.200-200
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• 1999

^g , pp V (Poly-para phenylene vinylene) 유도체와^g , pp P(Poly-para phennylene) 유도체에 Ar, H2, N2 및 O2 등의 이온을 조사하여 PL(Photoluminescence)의 변화를 실험하였다. 각각의 전도성 고분자는 ITO9indium tin oxide)가 증착되어 있는 유리기판위에 spin coating을 하였으며 이렇게 처리된 전도성 고분자의 표면에 이온을 조사하였다. 여기에서 조사된 이온의 가속 에너지는 300eV에서 700eV까지 변화시켰고 이온 조사량은 1$\times$1013ions/cm2에서 1$\times$1017ions/cm2까지 변화시켰다. 이때 이온빔의 전류밀도는 0.2$\mu\textrm{A}$/$\textrm{cm}^2$이하로 고정하였으며 chamber내의 진공도는 $1.5\times$10-4Torr를 유지하였다. 이온 빔처리후 불안정한 고분자의 표면이 대기와 반응하는 것을 어느정도 방지하기 위해 이온 빔으로 처리된 시료를 chamber의 내부에 일정시간동안 방치하였다. Ar, H등의 이온으로 처리된 MEH-PPV의 경우는 PL의 세기가 감소하였고 이온 조사량이 1016ions/cm2 보다 클 때 PL의 세기는 급속히 감소하였다.^g , pp V와^g , pp P 유도체의 경우는 특정 이온 조사량에서 PL의 증가현상을 보였는데^g , pp P 도체중에서 P3의 경우를 보면 이온 빔 에너지가 300eV이고 이온 전류 밀도가 0.05$\mu\textrm{A}$/$\textrm{cm}^2$인 N2이온을 조사하면 이온 조사량이 1$\times$1013ions/cm2가 될 때 PL의 세기가 39%까지 증가하였다. PL의 변화에 대한 비교를 위해 이온빔으로 처리된 시료와 처리되지 않은 시료의 UV흡수스펙트럼과 IR 흡수 스펙트럼을 분석하였다. 본 실험에 사용된 모든 시료의 PL 세기는 1016ons/cm2이상의 dose에서 급격한 감소 현상을 나타내었고 PL의 최대값을 나타내는 파장의 이동은 관찰되지 않았다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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• pp.111-114
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• 1999

Electroluminescence(EL) devices based on organic thin films have been attracted lots of interests in large-area light-emitting display. In this stuffy, an emissive layer was fabricated using Langmuir-Blodgett(LB) technique in organic light-emitting (OLEDs). This emissive organic material was synthesized and named PECCP[poly(3.6-N-2-ethylhexyl carbazolyl cyanoterephthalidene)] which has a strong electron donor group and an electron acceptor group in main chain repeated unit. This material has good solubility in common organic solvents such as chloroform. THF, etc, and has a good stability in air. The Langmuir-Blodgett(LB) technique has the advantage of precise control of the thickness down to the molecular scale, In particular, by varying the film thickness it is possible to investigate the metal/polymer interface. Optimum conditions for the LB film deposition are usually determined by investigating a relationship between a surface pressure $\pi$ and an effective are A occupied by one molecule on the subphase. The LB films were deposited on an indium-tin-oxide(ITO) glass at a surface pressure of 10 mN/m and dipping speed of 12 mm/min after spreading PECCP solution on distilled water surphase at room temperature, Cell structure was ITO/PECCP LB film/Alq$_3$/Al. We considered PECCP as a hole -transport layer inserted between the emissive layer and ITO. We also used Alq$_3$ as an emissive layer and an electron transport layer. We measured current-voltage(I-V) characteristics, UV/visible absorption, PL spectrum and EL spectrum of the OLEDs.

• KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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• 제11C권3호
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• pp.70-74
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• 2001

Admittance or impedance spectroscopy is one of the powerful tools to study dielectric relaxation and loss processes in organic and inorganic materials. In this study, the frequency dependent properties of an indium tin oxide/tris(8-hydroxyquinoline) aluminum($Alq_3$)/aluminum structure have been studied. The conductance of the $Alq_3$ film increases with the DC applied voltage up to 4V and decreases above 4V in the low frequency region. This indicates that the resistance of the device decreases with the applied bias due to the carrier injection enhancement, thereafter the injected carriers form the space charge and the additional injection of carriers is prevented. The Cole-Cole plot of the admittance takes a one-semicircle shape, which means that the device can be modeled as a parallel resistor-capacitor network. The resistance and capacitance were estimated as 8.62k${\Omega}$ and 2.7nF, respectively, at 3V in the low frequency region. The dielectric constant ( ${\epsilon}'$ ) of the $Alq_3$ film is independent of the frequency in the low frequency region below 100kHz, while the frequency dependency was observed at above 100kHz. The dielectric loss factor ( ${\epsilon}"$ ) of the $Alq_3$ film shows the dielectric dispersion below 100kHz and dielectric absorption in higher frequency domain. The dispersion is thought to be related to the hopping process of the carriers. The ${\epsilon}"$ is proportional to the reciprocal of the frequency. The dielectric relaxation time was extracted to about 0.318${\mu}s$ from the dielectric absorption spectrum.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제17권8호
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• pp.1873-1878
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• 2013

본 연구에서는 RF magnetron sputtering 법으로 상온에서 공정압력 (1~7 mTorr) 을 변화시켜가며 유리기판(Eagle 2000) 위에 ITZO ($In_2O_3$ : $SnO_2$ : ZnO = 90wt.%: 5wt.%: 5wt.%) 박막을 제작하여, 구조적 특성과 광학적 및 전기적 특성을 조사하였다. XRD 와 FESEM 측정을 통해, 공정압력에 무관하게 모든 ITZO 박막이 부드러운 표면의 비정질 구조를 가지고 있음을 확인할 수 있었다. 공정압력 3mTorr 에서 증착한 ITZO 박막이 비저항 $3.08{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$, 가시광 영역에서 평균 투과도 81 % 와 재료평가지수 $10.52{\times}10^{-3}{\Omega}^{-1}$ 의 가장 우수한 전기적 및 광학적 특성을 나타내었다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제7권3호
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• pp.243-251
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• 1994

ITO(Indium Tin Oxide) film with thickness of 1500.angs. was prepared by an e-beam evaporator onto a glass and a p-type InP wafer (100) LEC grown Zn-doped p=2.3*10$\^$16/cm$\^$-3/), in which the components of ITO used for evaporation source were hot pressed pellets 1 mole% ln$\_$2/O$\_$3/+9 mole% SnO$\_$2/, and evaporated in O$\_$2/ ambient. The optimum conditions to preparation of ITO thin film were the substrate temperature of 350.deg. C, the injected oxygen pressure of 2*10$\^$-4/ torr, and the evaporation speed of 0.2-0.3.angs./sec, respectively. In these optimum conditions, the resistivity and the carrier concentration were 5.3*10$\^$-3/ .ohm.-cm, 6.5*10$\^$20/cm$\^$-3/, and the transmittance was over 80%. From the results of J-V measurements in ITO/p-InP structure solar cells, the higher pressure of injected oxygen, the more open circuit voltage. The efficiency of ITO/p-InP solar cell without the grid line contact, prepared by the optimum evaporation conditions, was 7.19%. By using the grid line contact, the efficiency, the open circuit voltage, the short circuit current density, the fill factor, the series resistance, and the shunt resistance were 8.5%, 0.47V, 29.48 mAcm$\^$-2/ , 61.35%, 3.ohm., and 26.6k.ohm., respectively.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1645-1646
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• 2006

Micro ElectroMechanical Systems (MEMS) 기술을 이용한 초미세 유체 제어 시스템 (마이크로 펌프, 마이크로 밸브, 마이크로 채널, 마이크로 믹서 등)은 화학, 생명분야의 DNA 분석, 항원-항체 분석, 질병의 진단 등에 사용되는 lab-on-a-chip, micro total analysis system ($\mu$-TAS) 등에서 화학 및 바이오 유체를 제어하는 분석 시스템의 일부분으로서 사용되며 필수적으로 요구된다. 본 논문에서는 이러한 microchip을 구현하기 위해 초미세 유체 제어 소자인 마이크로 펌프와 밸브를 같은 기관 위에 polydimethylsiloxane (PDMS)와 indium tin oxide (ITO)-Glass를 사용하여 동일한 구조로 집적 하였다. 마이크로 펌프의 pumping rate은 인가 직류 펄스 전력의 주파수와 duty 비를 변화시켜 최적화하였다. 직류 펄스 전력 500 mW를 인가하였을 때 주파수 2 Hz, duty 비 7 %에서 약 $1.05{\mu}l/min$의 최대 유량이 측정되었다. 마이크로 밸브는 ITO 히터에 전력을 인가함으로서 유량의 on/off 제어가 잘 됨을 확인할 수 있었고 유체를 closing하기 위해 필요한 전력은 약 300 mW이다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제10권7호
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• pp.1514-1519
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• 2009

400nm 파장을 방출하는 GaN LED를 제조하여, n-GaN층과 p-GaN층의 위에 있는 ITO층 표면에 패턴을 만들어 광 추출 효율을 향상시켰다. 추가적으로, n과 p패드 아래와 칩의 바닥면에 각각 광반사 금속을 설치하였다. 광 추출 효율은 20mA에서 n-GaN의 텍스쳐링에 의해 20% 증가되었고 ITO의 텍스쳐링에 의해 18% 증가되었다. 표면 처리가 않된 LED와 비교해서 n-GaN와 ITO를 함께 표면 텍스쳐링 했을때의 광 추출 효율은 20mA에서 32% 증가되었다.