• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권4호
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• pp.49-55
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• 2004

본 논문은 고밀도 파장분할다중 (DWDM) 시스템의 응용을 위하여 quaternary/quaternary 다중양자우물 InGaAsP/InGaAsP QCSE 튜닝을 이용한 1550 ㎚ 다중 채널원에 관한 것이다. 본 채널 소스는 140 ㎓ 채널 간격을 갖으며 32 ㎚ 채널 선택 대역을 갖는다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제4권2호
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• pp.71-78
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• 1997

본 논문에서는 InGaAsP 에피막에서 도핑 농도와 에피막의 미세조직구조가 photoluminescence (PL) 스펙트럼의 위치 및 형상에 어떤 영향을 미치는가를 연구하였고, 그 결과를 설명하기 위해 가능한 모델을 제시하였다. InGaAsP 에피막(발진파장 ~1.3$\mu$m) 을 액상증착법(liquid phase epitaxy, LPE)으로 성장하여 9K에서 PL측정을 했을 때 InGaAsP 활성층 내 Zn 억셉터의 유무에 따라 PL 피크의 위치가 최대 30nm (24meV)까지 shift하고 피크의 선폭도 넓어지는 현사을 발견하였다. 이와같은 피크 분산현상은 inGaAsP 에피막이 유기금속 기상증착법으로 성장되거나 Zn로 고농도로 도핑되거나 고온에서 어닐링 될 경우 대폭 감소하였다. 이를 설명하기 위해 여러 가지 모델을 설정하여 실험을 하였으며 이 중 InGaAsP 에피막의 미세조직구조 특히 Spinodal 분해에 의한 조성이 모듈레이션과 Zn의 상호작용의 관계가 이 현상을 설명하는 데 가장 적절하다는 것을 밝혔다.

• 한국광학회지
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• 제7권3호
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• pp.272-279
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• 1996

이차원 파동길잡이의 성질을 분석할 수 있는 간단한 넘김행렬 풀이법을 개발하였다. 이 풀이법을 변형된 InGaAs/ImGaAsP GRINSCH MQW 레이저 구조에 적용하여 방식 이득을 계산하는데 필요한 광학가둠 인자, 유효꺽임율 등이 파동길잡이 너비, GRIN의 모양, 양자우물의 갯수 등의 구조 변수에 어떻게 의존하는지 살펴보았다. 특히 GRIN 파동길잡이를 이해하는데 유효 파동길잡이 너비의 개념이 유용함을 보였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권1호
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• pp.12-17
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• 1998

The heteroepitaxial growth of InP and GaInAs on GaAs substrates has been studied by using a new combination of source materials: ethyldimethylindium (EDMIn) and trimethylgallium (TMGa) as group III sources, and tertiarybutylarsine (TBAs) and tertiarybutylphosphine (TBP) as group V sources. Device quality InP heteroepitaxial layers were obtained by using a two-step growth process under atmospheric pressure, involving a growth of an initial nucleation layer at low temperature followed by high temperature annealing and the deposition of epitaxial layer at a growth temperature. The continuity and thickness of nucleation layer were important parameters. The InP layers deposited at 500$^{\circ}$- 55$0^{\circ}C$ are all n-type, and the electron concentration decreases with decreasing TBP/EDMIn molar ratio. The excellent optical quality was revealed by the 4.4 K photoluminescence (PL) measurement with the full width at half maximum (FWHM) of 4.94 meV. Epitaxial Ga\ulcorner\ulcorner\ulcornerIn\ulcorner\ulcorner\ulcornerAs layers have been deposited on GaAs substrates at 500$^{\circ}$ - 55$0^{\circ}C$ by using InP buffer layers. The composition of GaInAs was determined by optical absorption measurements.

• 한국전자파학회논문지
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• 제14권9호
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• pp.944-949
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• 2003

본 논문에서는 InCaP/GaAs HBT공정을 이용하여 낮은 DC 파워소모, 낮은 NF, 낮은 IMD 와 광대역 특성을 갖는 Ku-band LNB용 이중평형믹서를 설계하였다. 제작된 믹서는 3 V, 16 mA 의 U조건과 -23 dBm의 RF입력 조건하에서 5 dB의 변환이득, 14 dB의 NF, 17.9 GHz의 대역폭 그리고 50.34 dBc의 IMD특성을 얻었다. 낮은 IMD 특성, 광대역폭, 낮은 파워소모 특성은 InGaP/GaAs HBT의 선형성과 광대역 입력 정합기법과 바이어스 점의 최적화를 통해 얻을 수 있었다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2001년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.13-16
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• 2001

InP/InGaAs Heterojunction phototransistors(HPT's) with an optically transparent ITO emitter electrode were fabricated and characterized. At the same time, heterojuntion transistors(HBT's) having the same device layout were fabricated. By comparison with InP/InGaAs HBT's, the do characteristics of InP/InGaAs HPT's showed the similar electrical charateristics of HBT's. the model parameters of the device were extracted and compared.

• ETRI Journal
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• 제11권4호
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• pp.84-97
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• 1989

The influence of Zn, Si and Te diffusion on the interdiffusion in $GaAs-Ga_1_-xIN_xAs_1__yP_y$and InP$Ga_1__xIn_xAs_1__yP_y$ heterostructures was studied. The heterostructures were grown by liquid phase epitaxy, and the impurity diffusion into the heterostructures was carried out using metal compound or element sources. The extent of interdiffusion for both group III and V atoms was observed by depth profiling of matrix elements with secondary ion mass spectrometry and Auger electron spectroscopy. Selective enhancement of cation interdiffusion was observed by the concurrent Zn diffusion in both the GaAs based-and InP based-crystals. In contrast to the Zn diffusion, the Si diffusion in the GaAs based-crystal and the Te diffusion in the InP based-crystal enhanced both cation and anion interdiffusion to the same extent. A kick-out mechanism is proposed to explain the selective enhancement of the cation interdiffusion due to Zn, and a single vacancy mechanism is proposed for the interdiffusion due to Si and Te.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2003년도 종합학술발표회 논문집 Vol.13 No.1
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• pp.155-159
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• 2003

This paper presents fully integrated 5 GHz band low phase noise LC tank VCO. The implemented VCO is tuned by integrated PN diode and tuning rage is $5.01{\sim}5.30$ GHz under $0{\sim}3 V$ control voltage. For good phase noise performance, LC filtering technique, common in Si CMOS process, is used, and to prevent degradation of phase noise performance by collector shot-noise and to reduce power dissipation the HBT is biased at low collector current density bias point. The measured phase noise is -87.8 dBc/Hz at 100 kHz offset frequency and -111.4 dBc/Hz at 1 MHz offset frequency which is good performance. Moreover phase noise is improved by roughly 5 dEc by LC filter. It is the first experimental result in InGaP/GaAs HBT process. The figure of merit of the fabricated VCO with LC filter is -172.1 dBc/Hz. It is the best result among 5 GHz InGaP HBT VCOs. Moreover this work shows lower DC power consumption, higher output power and more fixed output power compared with previous 4, 5 GHz band InGaP HBT VCOs.

• 한국재료학회지
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• 제15권3호
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• pp.161-165
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• 2005

We investigated selective dry etching of GaAs over AlGaAs and InGaP in high density planar inductively coupled $BCl_3/SF_6$ plasmas. The process parameters were ICP source power (0-500 W), RE chuck power (0-30W) and gas composition $(60-100\%\;BCl_3\;in\;BCl_3/SF_6)$. The process results were characterized in terms of etch rate, selectivities of GaAs over AlGaAs and InGaP, surface morphology, surface roughness and residues after etching. $BCl_3/SF_6$ selective etching of GaAs showed quite good results in this study. Selectivities of GaAs $(GaAs:AlGaAs\~36:1,\;GaAs:InGaP\~45:1)$ were superior at $18BCl_3/2SF_6$, 20 W RF chuck power, 300 W ICP source power and 7.5 mTorr. Addition of $(5-15\%)SF_6\;to\;BCl_3$ produced relatively high selectivities of GaAs over AlGaAs and InGaP during etching due to decrease of etch rates of AlGaAs and InGaP (boiling points of etch products: $AlF_3\~1300^{\circ}C,\;InF_3>1200^{\circ}C$ at atmosphere) at the condition. SEM and AFM data showed slightly sloped sidewall and somewhat rough surface$(RMS\~9nm)$. XPS study on the surface of processed GaAs proved a very clean surface after dry etching. It shows that planar inductively coupled $BCl_3/SF_6$ plasmas could be a good candidate for selective dry etching of GaAs over AlGaAs and InGaP.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제3권3호
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• pp.681-686
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• 1999

본 논문에서는 편광 비의존 특성을 가지는 반도체 광 증폭기 개발을 위해 지금까지와는 다른 새로운 방법인 160($\AA$) 두께를 가지는 GaInAs 양자 우물에 GaAs Delta 층을 각각 1층, 2층, 3층을 삽입한 구조와 GaAs Delta 3층의 구조에서 Delta 층의 두께를 1 원자층에서 3 원자층까지 변화시켜 계산한 결과, 1 원자층 두께를 가지는 GaAs Delta 층이 3층 포함된 구조에서 3dB 이득 대역폭이 TE, TM 모두 85nm로 매우 넓은 대역폭과 편광 비의존 특성을 함께 가지는 구조를 얻어낼 수 있었다. 이러한 GaInAs 양자 우물에 GaAs Delta 층을 삽입한 구조의 이론적 이득 특성의 결과는 반도체 광 증폭기의 설계에 있어서 아주 중요하며, 또한 광대역 과장 분할 다중화 시스템에 적용될 수 있는 반도체 광 증폭기에 알맞은 구조로 사용될 수 있다.