• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2001.07a
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• pp.32-33
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• 2001

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2000.02a
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• pp.266-267
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• 2000

최근에 Stranski-Krastanov 방법을 이용한 나노미터 크기의 변형된 섬 구조 제작에 많은 관심을 보이고있다.$^{(1)}$ 이는 결함이 적고, 균일한 저차원의 반도체 구조가 광전자 장치에 지대한 발전을 가져올 것으로 기대되기 때문이다. 예를들어 양자 선이나 양자 점은 반도체 레이저의 이득 영역으로 좋은 특성을 가지는 것으로 알려졌다.$^{(2)}$ 이 논문에서 우리는 Chemical Beam Epitaxy (CBE)를 이용하여 InP 기판 위에 격자상수가 맞지 않는 InAs 층의 성장과 Photoluminescence (PL) 측정을 통해 이 구조의 특성에 대해서 알아보고자 한다. (중략)

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.27 no.6A
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• pp.524-532
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• 2002

This paper reports that the Lambert W function applies to a non-iterative design of minimum mean square-error scalar quantizers for a Laplacian source. Specifically, it considers a non-iterative design algorithm for optimum quantizers for a Laplacian source; it finds that the solution of the recursive nonlinear equation in the non-iterative design is elegantly expressed in term of the principal branch of the Lambert W function in a closed form; and it proves that the non-iterative algorithm applies only to exponential or Laplacian sources. The contribution of the paper is in the reduction of the time needed for the design and the increased accuracy in resulting quantization points and thresholds, because the algorithm is non-iterative and the Lambert W function can be evaluated as accurately as desired. Also, numerical results show how optimal quantization distortion converges monotonically to the Panter-Dite constant and help derive an approximation formula for the key parameters of optimum quantizers.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2009.02a
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• pp.152.1-152.1
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• 2009

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2007.08a
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• pp.266-266
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• 2007

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2007.08a
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• pp.347-347
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• 2007

• New Physics: Sae Mulli
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• v.68 no.12
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• pp.1356-1363
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• 2018

The purpose of this study was to investigate science high-school students' creativity and scientific attitude when an integrated science, technology, engineering and mathematics (STEM) project themed 'lighting of quantum dot solution' was applied to them. The subjects were a one team composed of 3 students in the 11th grade desiring to participate in the Korea Science Exhibition. They began with a scientific inquiry related to the physical properties of the QD solution and then gradually showed the process of expansion of their ideas into the integration of engineering, technology, and mathematics. Also, during the process, they showed problem solving ability and scientific attitudes, such as cooperation, endurance, and satisfaction of accomplishment.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.305-305
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• 2011

Type-II 반도체 나노 구조는 그것의 band alignment 특성으로 인해 광학 소자에 다양한 응용성을 가진다. 특히, 대표적인 Type-II 반도체 나노 구조인 InSb/InAs 양자점의 경우, 약 3~5 ${\mu}m$의 mid-infrared 영역의 spectral range를 가지므로, 장파장을 요하는 소자에 유용하게 적용될 수 있다. 또한, Type-II 반도체 나노 구조의 밴드 구조를 staggered gap 혹은 broken gap 구조로 조절함으로써 infrared 영역 광소자의 전자 구조를 유용하게 바꾸어 적용할 수 있다. 최근, GaSb wafer 위에 InSb/InAsSb 양자점을 이용하여 cutoff wavelength를 6 ${\mu}m$까지 연장한 IR photodetector의 연구도 보고되고 있다. 하지만, GaSb wafer의 경우 그것의 비용 문제로 인해 산업적 적용이 쉽지 않다는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 GaAs wafer와 같은 비용 효율이 높은 wafer를 사용한 연구가 필요할 것이다. 본 연구에서는 Molecular Beam Epitaxy(MBE)를 이용하여 undoped InAs wafer 와 semi-insulating GaAs wafer 상에 InSb 양자 구조를 형성한 결과를 보고한다. InSb 양자 구조는 20층 이상의 다층으로 형성되었고, 두 가지 경우 모두 400${\AA}$ spacer를 사용하였다. 단, InAs wafer 위에 형성한 InSb 양자 구조의 경우 InAs spacer를, GaAs wafer 위에 형성한 양자 구조의 경우 InAsSb spacer를 사용하였다. GaAs wafer 위에 양자 구조를 형성한 경우, InSb 물질과의 큰 lattice mismatch 차이 완화 뿐 아니라, type-II 밴드 구조 형성을 위해 1 ${\mu}m$ AlSb 층과 1 ${\mu}m$ InAsSb 층을 GaAs wafer 위에 미리 형성해 주었다. 양자 구조 형성 방법도 두 종류 wafer 상에서 다르게 적용되었다. InAs wafer 상에는 주로 일반적인 S-K 형성 방식이 적용된 것에 반해, GaAs wafer 상에는 migration enhanced 방식에 의해 양자 구조가 형성되었다. 이처럼 각 웨이퍼에 대해 다른 성장 방식이 적용된 이유는 InAsSb matrix와 InSb 물질 간의 lattice mismatch 차이가 6%를 넘지 못하여 InAs matrix에 비해 원하는 양자 구조 형성이 쉽지 않기 때문이다. 두 가지 경우에 대해 AFM과 TEM 측정으로 그 구조적 특성이 관찰되었다. 또한 infrared 영역의 소자 적용 가능성을 보기 위해 광학적 특성 측정이 요구된다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.54 no.2
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• pp.200-205
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• 2016

A drug transport carrier could be used for safe send of drugs to the affected region in a human body. The chitosan is adequate for the drug delivery carrier because of adaptable to living body. The gold, a metallic nanoparticles, tends to form a nano complex at rapidly when it combined with chitosan because of its negative charge. having energy from the other, outer gold nano-complex make heat due to its property to release the contained drugs to the target area. Silver could be also formed an useful biocompatible nano-composites with chitosan which should be used as an useful drug transfer carrier because its special ability to protect microbial contamination. Being one of the oxidized nano metals, $Fe_3O_4$ is nontoxic and has been used for its magnetic characteristics. In this study, the control of catalyst, reducing agent, and solvent amount. The chitosan-$Fe_3O_4$-gold & silver nanoshell have been changed to form about 100 nm size by ionic bond between the amine group, an end group of chitosan, and the metal. It was observed the change in order to seek for its optimum reaction condition as a drug transfer carrier.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2004.05a
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• pp.73-73
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• 2004