Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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2009.12a
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pp.72-73
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2009
First-principles calculations were carried out to investigate the effects of Al impurities on bcc Fe magnetism by considering SOC. No significant solid solution hardening effect was found. Albeit the effects of the SOC by Al on spin magnetic moments were minor, there are sizeable orbital magnetic effects. It is concluded that the orbital magnetism due to the Al impurity is strongly related with the impurity screening of the system as seen in Si impurity case [3], but the effects of Al impurity is stronger than those of Si impurity in terms of orbital magnetism.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.15
no.10
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pp.909-913
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2002
The luminance and discharge characteristics of ac PDP may be significantly affected by a small amount of impurity gas in working gas. These impurity gases such as O$_2$, O, C and H$_2$ can be mixed in the manufacturing and /or discharge process. In this paper a small amount of impurity gas in acPDP are introduced quantitatively and the relationship between the amount of impurity gas and the luminance/discharge characteristics are investigated. The luminous efficiency decreased seriously with increase in the partial pressure of impurity gases, especially in H$_2$, O$_2$ and CO$_2$. Under the condition of the impurity gas ratio of 2${\times}$10$\^$-3/ for Ar, N2, H$_2$, CO$_2$ and O$_2$, the luminous efficiency decreased about 8%, 8%, 32%, 36% and 50%, respectively.
Effects of metal impurities in insulation of distribution cables on electrical conduction of distribution cables was investigated. Samples of Al, Cu, Fe are fabricated as metallic impurities, and measured electrical conductivity in the voltage range of 0~10 KV. Temperature dependent effect of hysteresis curves and the relationship between forward and reverse current due to impurity content are discussed.
The effects of titanium ions on the crystallographic and spin-rotation transitions in iron sulfide have been examined by M$\"{o}$ssbauer spectroscopy in the temperature range of 78 to 600 K. It is noted that the titanium impurity of $Ti_{0.02}Fe_{0.98}S$ affects both the crystallographic and spin-rotation transitions of the iron sulfide. 2% impurity of $Ti^{2+}$ in FeS causes the increase in the difference between the spin rotation and ${\alpha}$ transition temperature by as much as 10 K compared with that for FeS. Both 1c and 2c structures coexist in the range between the ${\alpha}$ transition temperature and approximately 26 K, with a smaller hyperfine field corresponding to the 1c structure. The spin-rotation temperature for $Ti_{0.02}Fe_{0.98}S$ was measured to be 365 K, which is 10 K lower than the ${\alpha}$ transition temperature. By the 2% impurity of $Ti^{2+}$ in FeS the N$\'{e}$el temperature appreciably is not affected.
AC PDP(P1asma Display Pane1)s use the mixture of inert gases to generate a discharge inside the display pixels. Impurities such as CO, $CO_2$ and OH inside discharge region may deteriorate the characteristics of PDP operation during long life time of PDP. Electro-negative gas such as CO can cause the sustain pulse amplitude to rise by attaching electrons which will play an important role in the earlier stage of the discharge. MgO film is used to protect the dielectric layer in AC PDP, and is in contact with the free space of display pixel where it is filled with the inert gas mixture. So, MgO film can be a main source of impurities. In this experiment, we observed the change of impurity generation of various MgO films which were deposited by different methods, by using QMS. (quadropole mass spectrometer) The main impurites were $H_2$, CO and $CO_2$. And with the comparison of the TPD (temperature programmed desorption) result, it can be understood that impurity gases are generated by sputtering of MgO surface not by outgassing. Deposition method had effects on the characteristics of the impurity generation. The MgO film manufactured by e-beam evaporation generated more amount of impurity gases than the MgO films manufactured by sputtering or ion-plating. And also heat treatment of MgO film after deposition decreased the magnitude of impurity gas generation.
Cha, Gil Yong;Kim, Soon Young;Lee, Jae Min;Kim, Yong Soo
Journal of Nuclear Fuel Cycle and Waste Technology(JNFCWT)
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v.14
no.2
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pp.91-100
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2016
The neutron activation inventories in reactor vessel and its internals, and bio-shield of a PWR nuclear power plant were calculated to evaluate the effect of impurity elements contained in the structural materials on the activation inventory. Carbon steel is, in this work, used as the reactor vessel material, stainless steel as the reactor vessel internals, and ordinary concrete as the bio-shield. For stainless steel and carbon steel, one kind of impurity concentration was employed, and for ordinary concrete five kinds were employed in this study using MCNP5 and FISPACT for the calculation of neutron flux and activation inventory, respectively. As the results, specific activities for the cases with impurity elements were calculated to be more than twice than those for the cases without impurity elements in stainless and carbon steel. Especially, the specific activity for the concrete material with impurity elements was calculated to be 30 times higher than that without impurity. Neutron induced reactions and activation inventories in each material were also investigated, and it is noted that major radioactive nuclide in steel material is Co-60 from cobalt impurity element, and, in concrete material, Co-60 and Eu-152 from cobalt and europium impurity elements, respectively. The results of this study can be used for nuclear decommissioning plan during activation inventory assessment and regulation, and it is expected to be used as a reference in the design phase of nuclear power plant, considering the decommissioning of nuclear power plants or nuclear facilities.
We investigated the effects of impurity doping on the electrical transport and magnetic properties of TEX>$(Ru, Sn)(Sr, La)<_2$$EuCeCu_2$$O_{z}$ samples. We found that Sn substitution fur Ru causes a significant decrease of the volume fraction of ferromagnetic phase, as well as a decrease of the temperature where the ferromagnetic component is observed. La substitution for Sr leads to an increase of the magnetic ordering temperature with a moderate change of ferromagnetic component. The experimental results are discussed in conjunction with the structural data, transport properties and a possible change of oxygen content.
The effects of the base vacuum level on a plasma display panel (PDP) produced by the vacuum in-line sealing technology were investigated. The main equipment of the vacuum in-line sealing process consists of the sealing chamber, pumping systems for evacuating, mass flow controller for introducing the plasma gases, and other measuring systems. During the sealing process, the impurity gases were fully evacuated and the panel was prevented from the adsorption of impurity gases. As a result, the brightness increased as the impurity gas density decreased, so we found that the vacuum in-line sealing process was more efficient technology an the conventional sealing process.
Physically implanted surface islands of Nano Carbon Tube (NCT) and ${\alpha}-F_2O_3$ particles have been produced on Al-doped ZnO (AZO)/glass surfaces by simple and direct ND:YAG laser beam irradiation. Sheet resistance of the reconstructed surface increased by about 3.6% of over AZO. Minimal surface damage can be repaired by ND:YAG laser beam irradiation in conjunction with proper impurities. Implanted islands of NCT, which are considered to be a good conductive impurity, on AZO increased the sheet resistance by about 1.8%, while implanted islands of ${\alpha}-F_2O_3$, an insulating impurity, on AZO increased sheet resistance by about 129% compared with a laser beam treated AZO. This study provides insight regarding surface implantations of nanowires and micro-circuits, doping effects for semiconductors and optical devices, surface area and impurity effects for catalysis.
The effects of $SiO_2$ impurity on the high temperature resistivities of AIN ceramics have been investigated. When $SiO_2$ was added into 1 wt% $Y_2O_3$-doped AIN, DC resistivities have decreased and electrode polarizations disappeared. Impedance spectroscopy showed two semi-circles at $600^{\circ}C$, which were attributed to grain and grain boundary, respectively. $SiO_2$ doping had more significant effects on the grain resistivity than grain boundary resistivity, implying that doped Si acted as a donor in AIN lattice. In addition, voltage dependency of DC resistivity was observed, which might be related to dependency of size of grain boundary semi-circle on the bias voltage in impedance spectroscopy.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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