• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제9권4호
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• pp.83-86
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• 2010

The transparent electrode properties of ITO films deposited by RF magnetron sputtering with process pressure were investigated. The ITO thin films was deposited on a glass substrate using a target with 3in diameter sintered at a ratio of $In_2O_3$ : $SnO_2$ (9 : 1). 200-nm-thick ITO thin films were manufactured by various process pressures ($2.0{\times}10^{-2}$, $7.0{\times}10^{-3}$ and $2.0{\times}10^{-3}$ Torr). The optical transmittance and resistivity of the deposited ITO thin films showed a relatively satisfactory result under $10^{-2}$ Torr. For high process pressure, the optical transmittance was below 80%, while for low process pressure, the optical transmittance was above 85%. As a result of of mobility, resistivity and carrier concentration by Hall measurement, we obtained satisfactory properties to apply into a transparent conducting thin film.

• 전기전자학회논문지
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• 제21권4호
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• pp.404-407
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• 2017

에어로졸 증착 공정을 이용하여 ZnO, AZO 및 ITO 막을 증착하고 코팅막의 미세구조, 광학적 및 전기적 특성을 연구하였다. 상온에서 PET 기판 위에 약 400 nm의 두께를 가지는 ZnO, AZO 및 ITO 막을 성공적으로 제조할 수 있었으며 캐리어 가스 유량이 증가하면서 ZnO, AZO 및 ITO 막의 광학적 특성 및 전기적 특성이 향상되었다. 기계적인 유연 내구성 시험에 있어 ZnO 막은 5,000회의 굽힘에도 파괴가 발생하지 않은 반면 AZO 및 ITO 막은 5000회 굽힘 시험 후 막의 파괴가 발생하고 투과도 및 저항의 성능이 저하되었다. 결론적으로 AZO 및 ITO 막의 성능은 ZnO 막에 비하여 약간 열세이나, 입자크기 제어 및 공정 최적화를 통해 성능을 향상시킬 수 있을 것으로 판단된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.379-380
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• 2007

The characteristics of a co-sputtered indium zinc tin oxide (IZTO) films prepared by dual target dc magnetron sputtering from IZO and ITO targets at a room temperature are investigated. Film properties, such as sheet resistance, optical transmittance, surface work function and surface roughness were examined as a function of ITO dc power at constant IZO dc power of 100 W. It was shown that the increase of the ITO dc power during co-sputtering of ITO and IZO target resulted in an increase of sheet resistance of the IZTO films. This can be attributed to high resistivity of ITO film prepared at room temperature. Surface smoothness and roughness were investigated by Scanning Electron Microscopy (SEM) and Atomic Force Microscopy (AFM). The synchrotron x-ray scattering results obtained from IZTO film with different ITO contents showed that introduction of ITO atoms into amorphous IZO film resulted in a crystallization of IZTO film with (222) preferred orientation due to low alc transition temperature of ITO film. However, the transmittance of the IZTO films with thickness of 150 nm is between 80 and 85 % at wavelength of 550 nm regardless of ITO content. Possible mechanism to explain the ITO and IZO co-sputtering effect on properties of IZTO is suggested.

• 폴리머
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• 제36권3호
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• pp.393-400
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• 2012

광전소자 유연기판으로 사용되는 폴리에테르설폰(PES) 필름 위에 E beam을 이용하여 저온 증착된 indium tin oxide(ITO) 박막 특성을 살펴보았다. 증착 시 기판 온도가 증가함에 따라 저온 열처리 과정에서 ITO 결정화가 잘 이루어져 면 저항의 감소와 투과도가 증가됨을 알 수 있었다. 증착 시 사용된 산소 가스는 ITO의 결정화를 촉진시켜 면 저항 감소와 투과도 증가에 도움을 줌을 확인하였다. PES 기판 표면 거칠기가 증가될수록 증착된 ITO의 결정화가 잘 이루어지지 않으며 이는 면 저항의 증가 및 투과도의 감소 요인으로 작용함을 알 수 있었다.

• 한국안광학회지
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• 제5권1호
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• pp.7-11
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• 2000

ITO, $TiN_xW_y$, Ag 등의 전도성 흡수층으로 무반사, 무정전 광학박막을 Essential Macleod 프로그램을 이용하여 설계했다. 그 결과 [공기 ${\mid}SiO_2{\mid}TiN_xW{\mid}$ 유리] 층은 단 두층코팅막으로 가시광선 파장영역(45~700nm)에서 넓게 무반사 코팅이 되었다. 이 때 반사률과 투과률은 각각 0.5% 미만과 약 75%이다. [공기 $SiO_2{\mid}TiO_2{\mid}SiO_2{\mid}ITO {\mid}$ 유리] 층은 약 0.5% 미만의 반사률이 있는 무반사 코팅이 되며 투과률은 97% 이상이며, 450nm 파장 영역부근에서 투과률이 비교적 낮은 것은 ITO의 흡수계수 영향 때문이다. 또한 [공기 $SiO_2{\mid}TiO_2{\mid}SiO_2{\mid}Ag{\mid}$ 유리] 층은 반사률이 1~2%인 AR코팅이며 투과률은 96% 이상이다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.366-366
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• 2012

현재 사용되고 있는 투명전극재료 중에 ITO(Indium Tin Oxide)가 가장 투명하면서 전기도 잘 통하고 생산성도 좋다. 투명전극은 비저항이 $1{\times}10^{-3}{\Omega}/cm$이하, 면 저항이 $10^3{\Omega}/sq$이하로 전기전도성이 우수하고 380에서 780 nm의 가시광선 영역에서의 투과율이 80%이상이라는 두 가지 성질을 만족시키는 박막이다. 본 연구에서 X-ray Film을 제작하기 위하여 상용화된 ITO Glass 전극 기판에 X-ray가 조사되면 직접 전자 전공 쌍(electron-hole pair)을 발생시켜 전기적 신호를 발생하는 광도전체 물질(Photoconductor)인 PbO, $PbI_2$, $HgI_2$를 스크린 프린팅(Screen Printing)법을 이용하여 각각 제작하였다. 상부 전극으로 마그네틱 스퍼터링(Magnetic Sputtering) 진공 증착 장치를 사용하여 전류, 전압, 아르곤 및 산소 유입량등을 조절하면서 상부 전극을 증착하였다. 이때 타켓으로 $In_2O_3;SnO_2$ (조성비:90:10wt%)를 사용 하였고, base pressure는 $9{\times}10^{-7}torr$, deposition pressure는 $3{\times}10^5torr$를 고정하였다. 또한 전류와 전압은 각각 0.4A, 800V로 유지하고, $O_2$:0.3 ppm, Ar의 경우 4.9 ppm에서 70 ppm까지 올려 플라즈마를 활성화 시킨 후 90초 동안 ITO를 증착하였다. 본 실험에 제작된 박막으로 X-ray을 조사하여 검출기로써 특성 평가를 실시하였으며, 실험결과 X-선 투과와 전도성 등 두가지 특성이 동시에 만족 될 만한 성능을 가질 수 있음을 확인 할 수 있었다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2007년도 춘계학술발표회 초록집
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• pp.116-117
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• 2007

In-Sn-Zn-O 박막을 2개의 케소드(DC, RF)를 이용해magnetron co-sputtering법으로 polycarbonate (PC)기판위에 성막하였다. ITO와 ZnO 타겟은 각각 DC와 RF power supply에 의해 스퍼터 되었다. ISZO 박막의 가장 낮은 비저항은 RF power 55W 일 때 얻을 수 있었고, 이것은 케리어 밀도의 증가에 의한 것이라 생각되어 진다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.339.2-339.2
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• 2014

터치패널은 저항막 방식, 정전용량 방식, 적외선방식, Camera방식 등을 사용하고 있으며 현재 널리 상용화 되어 있는 방식은 정전용량 방식이다. 최근 터치스크린의 면적이 점점 커지게 되면서 점차 저저항, 고투과율을 가지는 IM ITO (Index matching ITO)를 요구하고 있다. 본 연구에서는 중대형 사이즈(15inch 이상)의 Cover glass 일체형 터치센서 구현을 위한 저저항(60ohm/sq이하), 고투과(88% 이상)의 IMITO Glass를 제작하여 전기적,광학적 특성을 분석하여 IMITO 성막조건을 최적화시키는 연구를 하였다. 또한 TSP의 Pattern 시인성을 향상시키기 위해 Index matching층을 고굴절재료와 저굴절 재료를 사용한 다층박막을 형성하여 반사율(0.5% 이하)을 최소화시켜 구현하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 추계학술대회 논문집 Vol.18
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• pp.105-106
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• 2005

As the integrated circuit device shrinks to the smaller dimension, the chemical mechanical polishing (CMP) process has been widely used in microelectronics and semiconductor processes. Indium tin oxide (ITO) thin film was polished by CMP by the change of process parameters for the improvement of CMP performance. Removal rate and planarity were improved after CMP process at the optimized process parameters compared to that before CMP process.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제16권1호
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• pp.112-115
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• 2017

ITO thin films were grown on the glass substrate under various oxygen gas flow and substrate temperature by using FTS (Facing Target Sputtering) system. To investigate properties of as-prepared films for transparent electrical devices, we employed four-point probe, UV-VIS spectrometer, X-ray diffractometer (XRD), scanning electron microscopy (SEM), Hall Effect measurement system and Atomic Force Microscope (AFM). As a results, all of prepared samples has high transmittance of over 80 % in the visible range (300-800 nm). Their resistivity increased as a function of oxygen gas flow and substrate temperature due to their crystal structure and oxygen defect in the films. As-prepared films have a resistivity of under $10^{-4}({\Omega}-cm)$.