본 연구에서는 나노패턴된 금속(Ag)-유전체(PDMS) 다층 기반의 쌍곡선 메타구조를 제안하고 영상 소자용 적외선 차단 필터의 성능에 대해 보고한다. 사각형 모양의 Ag 나노 패턴의 크기와 Ag 나노 패턴을 둘러싼 PDMS의 두께를 최적화함으로써, 제안된 IR 차단 필터가 0.70-1.01 ㎛ 파장 대역의 빛을 99% 차단하면서도 가시광 영역에서 94% 이상의 높은 투과율을 나타냄을 보였다. 차단 파장 대역은 쌍곡선 메타구조의 epsilon-near-zero 파장보다 긴 파장 영역에서 시작하여 Ag 나노 패턴에 의한 플라즈모닉 흡수가 강한 지점에서 끝나게 된다. 근적외선 차단 대역보다 긴 파장 영역에서는 수평으로 인접한 Ag 나노패턴들 사이의 플라즈모닉 커플링 효과로 다시 투과도가 증가됨을 알 수 있다. 이러한 메타구조체는 적외선 차단 필터의 성능을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 공정 단순화를 통해 초박형 제조가 가능하여, 다양한 평면 광학 및 집적광학 부품들에 적용될 수 있다.
The IR spectra of he heavy metal fluoride glasses showed peaks at $1, 400cm^{-1}$ or $1, 100cm^{-1}$ due to metal oxyfluoride impurities. The intensity of this band and hence the oxide impurity content of the glass could be reduced considerably by the use of reactive atmosphere melting under $CCl_4$ In comparison with the fundamental IR absorption band of heavy metal oxides the oxide impurity bands observed in the heavy metal fluoride glasses are multiphonon bands due to a 2-phonon absorption process. The envelope of the a vs. v curve beyond thue fundamental region shows the exponential fall off of a with increasing v-typical of intrinsic multiphonon absorption. In the multiphonon region the amount of structure is intermediate between that observed for covalent solids and that for ionic solids.
To reduce interconnect delay and power consumption while improving chip performance, a three-dimensional integrated circuit (3D IC) has been developed with die-stacking and through-silicon via (TSV) techniques. The power supply problem is one of the essential challenges in 3D IC design because IR-drop caused by insufficient supply voltage in a 3D chip reduces the chip performance. In particular, power bumps and TSVs are placed to minimize IR-drop in a 3D power delivery network. In this paper, we propose a design methodology for 3D power delivery networks to minimize the number of power bumps and TSVs with optimum mesh structure and distribute voltage variation more uniformly by shifting the locations of power bumps and TSVs while satisfying IR-drop constraint. Simulation results show that our method can reduce the voltage variation by 29.7% on average while reducing the number of power bumps and TSVs by 76.2% and 15.4%, respectively.
졸겔법에 의해 제조된$ MO-SiO_2$(M=Zn, Sn, In, Ag, Ni)이성분계 실리카 겔에서 금속이온의 종류에 따른 실리카 구조의 변화를 XRD, FT-lR, $^{29}$Si-NMR로 분석하였다. XRD peak을 관찰한 결과 $Ag-SiO_2$겔에서 $AgNO_3$의 부분적인 재결정화가 나타났지만, 첨가된 금속이온과 실리카 매트릭스의 결합에 의한 결정상은 관찰되지 않았다. FT-IR 분석결과 첨가되는 금속이온 중 Zn, Sn, In은 부분적으로 Si-O-M의 결합형태를 이루어 Si-O-Si 대칭 진동에 의한 흡수 peak의 위치를 변화시켰다. $^{29}$Si-NMR 관찰에 의해 Zn, Sn, In등의 금속이온은 실리카의 저온 졸겔 반응에 영향을 미치지 않고 불완전한 네트워크를 갖는 선형적 실리카 구조 내에서 비가교 산소와 결합하며 존재하였다. Ag, Ni는 실리카 네트워크가 형성되는 과정에서 실리카 형성을 위한 졸겔반응의 촉매로서 작용하여, 이러한 금속이온이 첨가된 실리카 네트워크는 보다 치밀한 구조적 특성을 나타내었다.
벼멸구(Nilapawata lugens Stal.)에 대한 저항성 마커 (R208)에서 확실한 차이를 보인 두 자포니카 품종(일품벼과 상해향혈나)을 대상으로 벼멸구 저항성 유전자(Os-Bil)와 내염성과의 관련성을 조사하였다. 이를 위해 두 품종에서 염처리에 의한 Os-Bil 발현량의 변화를 real-time PCR을 이용해 정량화 하였으며, 인디카 두 품종(Pokkali와 IR29)의 결과와 비교하였다. 일품벼는 50, 200 mM NaCl 처리에서 Os-Bil 유전자의 발현량이 농도 의존적으로 감소하였으며, 상해향혈나는 50mM에서만 약간 증가하고 200mM에서는 크게 감소하였다. 비교해서, 내염성인 Pokkali는 Os-Bil의 발현량이 100 mM의 NaCl 처리에 의해 약 2배 증가하였으나 감수성인 IR29는 같은 농도에서 발현량이 감소하였다. 이러한 결과들은 벼멸구 저항성 유전자(Os-Bil)가 적어도 인디카 품종들의 내염성 차이에 관여함을 의미하는 것으로 보인다.
통일형 찰벼를 매개체로 이용하는 육종 체계(wx-carrier technique)에서 맑은 쌀의 선발에 관한 효율성을 검토하기 위하여 기원이 다른 6개의 찰벼를 1회친으로 하고 2개의 통일형 계통 IR667과 IR1317을 반복친으로 하는 Backcross로 12개의 찰벼 계통을 육성해서 이들에다 맑은 쌀 모본 IR24, 수원287호 및 수원294호를 교배하여 그 F$_3$종자에 주당 평균 맑은 쌀의 분리 정도와 변이를 검토하였다. 그 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 찰벼 육성 계통들의 맑은 쌀 출현율은 주당 평균 3.7~78.9%까지로써 그 정도는 찰벼 계통 육성에 사용된 반복친별로 달라 IR677 조합에서보다 IR1317조합에서 높게 나타났다. 반복친의 맑은 쌀 비율은 IR667이 5.6%, IR1317이 47.6%이었으며. 맑은 쌀 메 모본들은 수원287호 83.7%, IR24 80.5% 그리고 수원294호가 73.5%이었다. 2. 메 회복 교배 조합 F$_3$종자에서 맑은 쌀의 분리는 IR24와의 조합에서는 16.7~73.9%, 수원294호와의 조합에서는 21.9~42.8% 그리고 수원287호와의 조합에서는 10.6~26.9%로 IR24 조합에서 가장 많이 분리되었다. 3. 동일한 찰벼 계통을 서로 다른 메벼 품종 수원287호 및 수원294호와 교배된 조합에 있어서의 맑은 쌀의 분리는 조합간에 유의한 정의 상관이 인정되었다. 4. 동일한 메 모본을 찰벼의 기원만 다르고 반복친이나 교배 회수는 동등한 찰벼 계통과 교배한 조합의 맑은 쌀의 분리에 있어서 조합간에 유의한 차이를 나타내었는데 IR1317이 반복친으로 쓰인 경우는 맑은 쌀의 분리가 많고, IR667이 반복친으로 쓰인 경우는 맑은 쌀의 분리가 적었다. 5. Homo메와 Hetero메의 맑은 쌀의 분리 비율은 개체간에 일정한 경향이 없었다. 6. 통일형 찰벼를 매개체로 하는 육종 체계에서는 적절한 모본을 선택함으로써 맑은 쌀의 선발 비율을 높일 수 있을 것으로 추론하였다.
수도 Indica$\times$Japonica 품종을 중심으로 유형이 다른 품종을 공시 저온에 민감한 시기를 외적으로 손쉽게 판별할 수 있는 방법과 감수분열기에 있어서 저온의 영향을 구명하고자 phytotron을 이용하여 정밀시험을 시도한 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 수도생육기간중에서 저온에 가장 민감한 Tetrad phase는 엽이간장이 진흥은 -12cm, IR 36 -3cm 수원 26004 -9cm, 수원 258호 -3cm, 밀양 29호 -6cm, Lengkwang+1cm 였다. 2. 본시험결과 Tetrad phase는 모든 품종에서 내영(palea)의 길이가 최대에 달하는 개화기를 100로 하였을 때의 50-60% 신장되었을 때 나타나고 있었다. 3. 저온에 의한 영화의 퇴화율은 15$^{\circ}C$에서 통일품종 및 인도형품종에서는 대단히 높았으나 Japonica품종(진흥)과 Indica품종(Lengkwang)에서는 비교적 낮었다. 4. 수도감수분열기에 있어서 계속 $15^{\circ}C$로 7일이상 저온처리는 수도의 저온에 한계온도를 넘어서 내냉성의 품종간 차이를 구별하기 어려웠으나 4일간의 저온처리에서는 품종간 차이가 뚜렷하여 불완율이 진흥; 46.8%, IR 36; 67.6% 수원 26004 ; 60.9% 수원 258 ; 60.0% 밀양 29호 ; 62.2%, Lengkang 27.3%였다. 5. 하분모세포의 발육단계의 Tetrad-1st contraction phase에서의 저온은 임실율을 가장 낮게 하였으며 이 시기를 전후로 멀어질수록 임실율은 높아졌다. 6. 내영의 길이는 영화분화에서 개화기까지 직선적으로 신장하였고 엽이간장의 신장과는 정의 상관관계가 인정되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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