• 정보보호학회논문지
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• 제12권1호
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• pp.3-10
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• 2002

본 논문은 제3자 신뢰기관인 키 인증센터(KAC)로부터 미리 등록된 두 사용자간에 2회의 통신으로 KAC의 참여없이 사용자 인증과 키 교환이 가능한 ID 기반의 프로토콜을 제안한다. 제안된 프로토콜은 ECDSA의 서명기법과 Diffie-Hellman 키교환 방식을 H. Sakazaki, E. Okamoto 그리고 M. Mambo$^{[9]}$에 의해서 제안된 타원곡선상의 ID-기반 키 분배 프로토클(SOM프로토콜)에 적용하여 개발되었다. 제안된 프로토콜의 안전성은 타원곡선 이산대수 문제(ECDLP)와 Diffie-Hellman 문제(ECDHP)의 어려움에 기반을 두며, unknown key share attack 방지, perfect forward secrecy를 제공함으로 SOM 프로토콜의 취약점을 보완하였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제29권2C호
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• pp.348-353
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• 2004

모바일 환경에서 전자 지불 메카니즘이 구축되기 위채서는 안전성과 효율성을 갖춘 지불 시스템의 개발이 필요하다. 기존의 PayWord 프로토콜은 판매자와 거래를 할 때마다 판매자의 인증서를 생성해야 하기 때문에 연산량이 빈번해진다. 본 논문에서는 유한체 $F_{q}$에서 타원곡선(Elliptic Cue Cryptosystem)을 이용한 ID 기반 3자간의 키 동의 프로토콜에 의해 생성된 세션키로써 개체간의 인증이 이루어지기 때문에 알고리즘 연산이 감소된다. 특히, ID 기반 공개키 암호 시스템을 적용하여 속도의 향상 및 위장 공격(Man-in-the-middle attacks)과 Forward secrecy에 안전하다.

• 융합보안논문지
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• 제6권2호
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• pp.43-51
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• 2006

기존의 전자 거래 프로토콜이 사용하고 있는 암호화 알고리즘은 메모리와 처리 능력이 제한 된 모바일 환경에 적합하지 않다. 본 논문에서는 모바일 내장형 시스템에 적합하도록 ID기반의 암호화 알고리즘과 타원 곡선 알고리즘을 사용하여 계산량과 수행 시간을 감소시켰다. 제안 프로토콜에서는 첫 거래에만 서비스 제공자의 인증서를 사용하며, 두 번째 거래부터는 타원 곡선알고리즘을 적용하여 생성된 세션키로 인증한 후 거래를 하기 때문에 서비스 제공자의 인증서생성 횟수는 n회에서 1회로 감소되었다. 또한 160비트로 RSA에서의 1024비트와 같은 안전성을 제공하기 때문에 수행 시간이 단축되었다.

• 한국정보과학회논문지:정보통신
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• 제31권4호
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• pp.405-413
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• 2004

M-commerce가 활성화되기 위한 주요 요건 중의 하나는 안전성과 효율성을 갖춘 전자 지불 시스템을 개발하는 것이다. 본 논문에서는 ID 기반 공개키 암호 시스템을 이용하여 다중 거래에 적용할 수 있는 효율적인 소액 지불 프로토콜 (Micro-Payment Protocol)을 제안한다. 기존의 PayWord 시스템은 다수의 판매자와 거래를 하기 위해 매번 판매자의 인증서를 생성하였다. 본 논문에서는 인증서 대신 유한체 $F_q$에서 타원곡선(Elliptic Curve Cryptosystem)을 이용한 Weil pairing에 의해 생성된 세션키를 거래에 사용하기 때문에 알려진 키 공격(Known key attacks)과 위장 공격(Man-in-the-middle attacks)에 안전하다.

• 한국ITS학회 논문지
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• 제18권6호
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• pp.124-136
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• 2019

교차로에서의 자율주행은 다양한 차량이 혼재하며 주행환경이 복잡한 특성으로 인하여 교통 객체 간의 교통정보 교환을 통한 자율주행 지원이 필요하다. 이와 관련되어 인접한 교차로 간의 교통정보 교환이 요구되고 있으나 국내 표준노드·링크 체계에서 교차로를 나타내는 노드 ID는 일련번호를 포함한 구성 체계를 가지고 있어 교차로의 갱신 및 ID를 통한 교차로의 위치 정보 파악에 한계가 있다. 본 논문에서는 교차로 ID 내에 위치정보가 포함되도록 교차로의 2차원 좌표를 가공 및 병합하여 생성한 좌표 기반 교차로 ID 구성 체계를 설계하였다. 제시한 교차로 ID의 적용 가능성을 검증하기 위해 국내 교차로를 대상으로 새로운 교차로 ID를 적용하였으며 중복된 값이 없는 것을 확인하였다. 좌표 기반 교차로 ID는 데이터 크기가 기존 노드 ID 대비 60% 줄어들었으며 GIS 툴 없이 인근 교차로 검색 및 Box 형태의 특정 지역 내 교차로 추출과 같은 공간 쿼리가 가능하다. 따라서 좌표 기반 교차로 ID는 기존 노드 ID보다 확장성 및 활용도가 높을 것으로 예상된다.

• 한국지반환경공학회 논문집
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• 제18권1호
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• pp.13-21
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• 2017

본 연구에서는 최근 10년 동안 강원도 영서와 인접지역에서 토석류가 발생한 지역에 대해 현장조사를 실시하고 강우자료를 수집하여 구축한 D/B를 바탕으로 토석류의 거동 및 강우특성을 조사하였다. 사면형과 계곡형의 토석류 종류에 따라 발생부, 유하부, 퇴적부로 구별되는 토석류 진행구간에 대해 토석류 거동특성을 분석하였으며 발생부 및 유하부의 침식 상태를 고려하여 토석류 규모를 산정하였다. 토석류 발생 당시의 강우자료 분석을 통해 토석류 유발 강우 기준에 대한 선행연구와 비교 분석하여 예경보 기준 정립에 고려할 사항을 제시하였다. 또한, 조사지역에 적합한 토석류 유발강우 ID 곡선을 제안하여 기존의 연구결과와 비교 분석하였다.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제26권10호
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• pp.101-108
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• 2021

본 논문에서는 Shin이 제안한 TMIS를 위한 동적 ID 기반의 강력한 사용자 인증기법을 분석하고, Shin의 인증 기법이 스마트카드 분실 공격에 취약하여, 공격자가 사용자의 ID를 획득할 수 있고, 이로 인하여 사용자 가장 공격 등이 가능함을 보인다. 2019년에 Shin이 제안한 인증 기법은 ECC를 사용하여 강력한 난수 생성을 시도함으로써, 난수 ri를 모르면 ECC 알고리즘의 난이도에 의하여 난수 r'i를 계산해낼 수 없어서, 스마트카드를 분실하여도 안전하다고 주장하였다. 그러나 본 논문에서 Shin의 인증 기법을 분석한 결과, 전송 메시지와 스마트카드를 사용하면 난수 r'i를 쉽게 계산할 수 있고, 이로 인하여 공격자는 세션키 생성도 가능하였다. 또한 Shin의 인증 기법은 안전성 분석에 대한 취약점뿐만 아니라, 서버의 ID인 SID를 사용자들에게 전달하는 방식의 부재, 사용 시마다 약간씩 다른 템플릿을 가지는 생체정보의 특성을 고려하지 않은 점 등 다수의 설계상의 오류들이 존재하였고, 서버에서 사용자의 ID를 계산해내는 시간 복잡도가 다른 인증 기법들에 비하여 상당히 큰 오버헤드를 가진 것으로 분석되었다.

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제6권12호
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• pp.12-20
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• 2006

본 논문에서는 유/무선 통합 환경에서 전자상거래를 활성화시키기 위한 지불 수단으로 GDHP 은닉서명 기법을 이용한 전자지불 프로토콜을 제안한다. GDHP 기반의 타원곡선 알고리즘을 적용하여 통신횟수, 계산량 측면에서 기존의 은닉서명 방식의 효율성을 개선하였다. 또한, 기존의 PayWord 프로토콜에서 사용한 인증서 대신 유한체 $F_q$ 에서 타원곡선(Elliptic Curve Cryptosystem) 을 이용한 Weil pairing에 의해 생성된 세션키를 사용하여 개체간의 인증이 이루어지기 때문에 속도의 향상 및 위장공격(Man-in-the-middle attacks)과 Forward secrecy 에 대한 안전성을 제공한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.199-199
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• 2008

이 실험은 NVM의 Oxide, Nitride, Oxide nitride층별 blocking, trapping and tunneling 속성에 대해서 밝히고자 한다. gate 전극은 값싸고 전도도가 좋은 알루미늄을 사용한다. 유리기판위에 Silicon nitride층을 20nm로 코팅하고 Silicon dioxide층을 10nm로 코팅한다. 그리고 amorphous Silicon material이 증착된다. Poly Silicon은 Solid Phase Crystallization 방법을 사용하였다. 마지막 공정으로 p-doping은 ion shower에 의한 방법으로 drain과 source 전극을 생성하였다. gate가 biasing 될 때, p-channel은 source와 drain 사이에서 형성된다. Oxide Nitride Oxide nitride (ONO) 층은 각각 12.5nm/20nm/2.3nm의 두께로 만들었다. 전하는 Program process 중에 poly Silicon층에서 Silicon Oxide nitride tunneling층을 통하여 움직이게 된다. 그리고 전하들은 Silicon Nitride층에 머무르게 된다. 그 전하들은 erasing process 중에 trapping 층에서 poly Silicon 층으로 되돌아 간다. Silicon Oxide blocking층은 trapping층으로 전하가 나가는 것을 피하기 위하여 더해진다. 이 논문에서 Programming process와 erasing process의 Id-Vg 특성곡선을 설명한다. Programming process에 positive voltage를 또는 erasing process에 negative voltage를 적용할 때, Id-Vg 특성 곡선은 왼쪽 또는 오른쪽으로 이동한다. 이 실험이 보여준 결과값에 의해서 10년 이상의 저장능력이 있는 메모리를 만들 수 있다. 그러므로, NVM의 중요한 두 가지 성질은 유지성과 내구성이다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1295-1296
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• 2006

수소화된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(a-Si:H TFT)의 이력 현상이 능동형 유기 발광 다이오드(Active-Matrix Organic Light Emitting Diode) 디스플레이 패널을 구동할 경우에, 발생할 수 있는 잔상(Residual Image) 문제를 단위 소자 및 회로에서 실험을 통하여 규명하였다. 게이트 시작 전압을 바꾸어 VGS-ID 특성을 측정할 경우, 게이트 시작 전압이 5V에서 시작한 VGS-ID 곡선이 10V에서 시작한 VGS-ID 곡선에 비해 왼쪽으로 0.15V 이동하였다. 이러한 결과는 게이트 시작 전압의 차이에 의해 발생한 트랩된 전하량(Trapped Charge) 변화로 설명할 수 있다. 또한, 인가하는 게이트 전압 간격을 0.5V에서 0.05V로 감소시켰을 때 전하 디트래핑 비율의 변화(Charge De-trapping Rate)로 인하여, 이력 현상(Hysteresis Phenomenon)으로 인한 단위 소자에서의 문턱전압의 변화가 0.78V에서 0.39V로 감소함을 관찰하였다. 제작된 2-TFT 1-Capacitor의 ANGLED 화소에서 (n-1)번째 프레임에서의 OLED 전류가 (n)번째 프레임에서의 OLED 전류에 35%의 전류오차를 발생시키는 것을 측정 및 분석하였다.