• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1997년도 한국재료학회 추계학술발표회
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• pp.101-101
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• 1997

• 약학회지
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• 제37권6호
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• pp.577-580
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• 1993

The trace elements in liver, kidney and testicle of rats were analysed by Inductively Coupled Plasma-Mass Spectrometer(ICP-MS). Ten elements(Cr, Ni, Cu, Zn, Mo, Cd, Pb, Bi, Th, U) were determined simultaneously and the detection limit of each elements was lower than ppb level.

• 한국진공학회지
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• 제4권2호
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• pp.210-216
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• 1995

최근에 연구되고 있는 저온, 저압 플라즈마를 이용한 식각기술 중 차세대 반도체 metallization 공정에 응용될 수 있는 가장 적합한 기술이라 사료되는 유도 결합형 플라즈마(Inductively Coupled Plasma : ICP)를 이용한 RF 스퍼터 식각 반응로를 제작하고 이에 대한 특성을 조사하였다. 유도용 주파수로서 13.56 MHz를 사용하였으며 유도결합을 일으키기 위해 3.5회의 나선형 평판형 코일을 사용함으로써 비교적 대면적에 균일한 고밀도 플라즈마를 얻을 수 있었다. 또한 기판에 독립적인 13.56MHz RF power를 가해 DC 바이어스를 인가함으로써 기판으로 입사하는 하전입자들의 에너지를 조절하여 기판에의 손상을 최소화하며 SiO2의 스퍼터 식각 속도를 극대화할 수 있었다. 따라서 이러한 특성을 갖는 유도 결합형 플라즈마 식각장치를 차세대 반도체의 RF스퍼터 식각 공정에 응용할 수 있으리라 사료된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.221-221
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• 1999

산소 플라즈마의 음이온 발생 특성을 정전 탐침을 이용하여 관찰하였다. 탐침에 흐르는 음 전류는 전자 전류와 음이온 전류의 합으로 구성되며 음이온 속도는 전자 속도에 비해 작아 음이온의 발생 량이 증가함에 따라 음이온 전류의 크기는 감소하게 된다. 따라서 탐침에 흐르는 양 전류와 음전류의 비 Ii*/(Ie*+I-*)는 음이온의 발생량에 따라 변화하게 된다. 또한 플라즈마 전위와 부유 전위간의 전위차와 음 이온밀도와의 관계는 다음과 같은 관계식 e(Vp-Vf)/Te={3.35 + 0.5 ln$\mu$ - ln(ni/ne)]을 갖으며 이로부터 음이온의 밀도를 측정할 수 있다. 이들 두 가지 방법을 이용하여 정전 탐침에서 얻어지는 탐침 자료로부터 직접 플라즈마에서 음이온 발생에 관한 정성적인 특성 변화를 관찰할 수 있었다. 본 실험에서는 운전 압력(0.1-600mTorr)과 입력 전력(50-500W)에 따른 DC, ICP, CCP에서 발생하는 산소 음이온 플라즈마의 발생 특성을 분석하였다. 운전 압력이 증가함에 따라 음이온의 비율이 증가하다가 감소함이 관찰되었으며 400mTorr에서 최대 30%의 음이온 발생 비율을 갖음을 알 수 있었으며 더 큰 압력 하에서는 발생률이 점차 감소함을 관찰되었다. 또한 음이온의 발생 율은 입력 전력보다 운전 압력에 민감하게 변화하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2008년도 제39회 하계학술대회
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• pp.1203-1204
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• 2008

본 논문에서는 ICP-CVD(Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition)를 이용해 기판을 가열하지 않고 증착한 $SiO_2$ 절연막의 플라즈마 처리 효과를 분석하였다. 플라즈마 처리를 하지 않은 $SiO_2$ 절연막의 경우 평탄화 전압이 -7.8V, 유효 전하 밀도가 $4.77{\times}10^{13}cm^2$로 열악한 특성을 보였다. 이를 개선하기 위해 헬륨 플라즈마 전처리(Pre-treatment)와 수소 플라즈마 후처리(Post-treatment)를 통해서 $SiO_2$ 절연막의 전기적인 특성을 개선하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.267-267
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• 2014

디스플레이용 유도결합 플라즈마 시스템에서 CF4/O2 혼합가스를 이용하여 SiO2 식각공정에 대한 연구를 하기 위해 플라즈마 변수들에 대한 공간 분포를 살펴 보았다. 장비의 규격은 8세대 급, 안테나는 4turn을 기본으로 하며 동일한 크기의 안테나 9개를 배치하였다. 시뮬레이션 결과에 따른 플라즈마 주요변수들(전자밀도, 전자온도, 전위차)의 공간분포와 CF3+, CF2+, CF+, O2+, O-, F+, F- 이온들에 대한 공간분포를 확인 할 수 있었다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2007년도 춘계학술발표회 초록집
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• pp.87-88
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• 2007

나노 다결정 실리콘 박막 증착을 하기 위해서 현재 정전결합플라즈마(CCP, Capacitively Coupled Plasma)를 이용한 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정에 관한 여구가 활발히 이루어지고 있다. 유도결합플라즈마는(ICP, Inductively Coupled Plasma) 정전결합플라즈마보다 플라즈마 밀도가 높고 파워전달 효율이 좋은 것으로 알려져 있으나 대면적가 어려워 기판이 큰 TFT-LCD로는 많이 연구되고 있지 않다. 본 연구는 유도결합플라즈마를 위해 내장형 multiple U-type 선형 안테나를 이용하여 나노 다결정 실리콘 박막을 증착하여 그 특성을 분석하였다.

• 한국표면공학회지
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• 제37권3호
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• pp.146-151
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• 2004

Indium tin oxide (ITO) is widely used to make a transparent conducting film for various display devices and opto-electric devices. In this study, ITO films on glass substrate were fabricated by inductively coupled plasma (ICP) assisted dc magnetron sputtering. A two-turn rf coil was inserted in the process chamber between the substrate and magnetron for the generation of ICP. The substrates were not heated intentionally. Subsequent post-annealing treatment for as-deposited ITO films was not performed. Low-temperature deposition technique is required for ITO films to be used with heat sensitive plastic substrates, such as the polycarbonate and acrylic substrates used in LCD devices. The surface roughness of the ITO films is also an important feature in the application of OLEDs along with the use of a low temperature deposition technique. In order to obtain optimum ITO thin film properties at low temperature, the depositions were carried out at different condition in changing of Ar and $O_2$ gas mixtures, ICP power. The electrical, optical and structural properties of the deposited films were characterized by four-point probe, UV/VIS spectrophotometer, atomic force microscopy(AFM) and x-ray diffraction (XRD). The electrical resistivity of the films was -l0$^{-4}$ $\Omega$cm and the optical transmittance in the visible range was ＞85%. The surface roughness ( $R_{rms}$) was -20$\AA$.>.

• 한국표면공학회지
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• 제49권4호
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• pp.376-381
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• 2016

The effects of ICP (Inductively Coupled Plasma) power, ranging from 0 to 200 W, on the crystal structure, microstructure, surface roughness and mechanical properties of magnetron sputtered VN coatings were systematically investigated with FE-SEM, AFM, XRD and nanoindentation. The results show that ICP power has a significant influence on coating microstructure and mechanical properties of VN coatings. With the increasing of ICP power, coating microstructure evolves from a porous columnar structure to a highly dense one. Average crystal grain size of single phase cubic fcc VN coatings was decreased from 10.1 nm to 4.0 nm with increase of ICP power. The maximum hardness of 28.2 GPa was obtained for the coatings deposited at ICP power of 200 W. The smoothest surface morphology with Ra roughness of 1.7 nm was obtained from the VN coating sputtered at ICP power of 200 W.

• 한국항공우주학회지
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• 제40권4호
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• pp.316-329
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• 2012

초음속 플라즈마 풍동 등, 항공우주 응용을 위한 고순도, 고엔탈피 열유동 발생 장치로서 널리 쓰이고 있는 유도결합 플라즈마 토치에 대해, 전기회로 이론과 결합된 해석적 및 수치해석적 자기유체역학 모델을 이용하여 토치 설계변수(주파수 $f$, 가둠관 반지름 $R$ 및 코일 감은수 $N$) 변화에 따른 전기적 특성 변수(등가 저항, 등가 인덕턴스 및 결합효율)의 거동을 추적함으로써 최적 설계 변수해석을 수행하였다. 계산 결과, 등가저항은 $f$, $R$ 및 $N$이 증가함에 따라 커지는 반면, 등가 인덕턴스는 $f$가 증가할수록 작아지지만 $R$과 $N$의 증가에 대해서는 커지는 경향이 있음을 파악하였다. 이로부터, 10 kW 급 고주파 유도결합 플라즈마 토치의 경우, 결합효율을 극대화시키는 최적의 주파수, 가둠관 반지름 및 코일 감은수의 범위를 각각 $f$=4~6 MHz, $R$=17~25 mm 및 $N$=3~4 로 추정하였다.