Let ${\mathcal{H}}$ be an infinite dimensional separable Hilbert space with a fixed orthonormal base $\{e_1,e_2,{\cdots}\}$. Let L be the subspace lattice generated by the subspaces $\{[e_1],[e_1,e_2],[e_1,e_2,e_3],{\cdots}\}$ and let $Alg{\mathcal{L}}$ be the algebra of bounded operators which leave invariant all projections in ${\mathcal{L}}$. Let p and q be natural numbers (p < q). Let ${\mathcal{A}}$ be a linear manifold in $Alg{\mathcal{L}}$ such that $T_{(p,q)}=0$ for all T in ${\mathcal{A}}$. If ${\mathcal{A}}$ is a Lie ideal, then $T_{(p,p)}=T_{(p+1,p+1)}={\cdots}=T_{(q,q)}$ and $T_{(i,j)}=0$, $p{\eqslantless}i{\eqslantless}q$ and i < $j{\eqslantless}q$ for all T in ${\mathcal{A}}$.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.204-205
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2011
In thin film silicon solar cells, p-i-n structure is adopted instead of p/n junction structure as in wafer-based Si solar cells. PECVD is a most widely used thin film deposition process for a-Si:H or ${\mu}c$-Si:H solar cells. For best performance of thin film silicon solar cell, the dopant profiles at p/i and i/n interfaces need to be as sharp as possible. The sharpness of dopant profiles can easily achieved when using multi-chamber PECVD equipment, in which each layer is deposited in separate chamber. However, in a single-chamber PECVD system, doped and intrinsic layers are deposited in one plasma chamber, which inevitably impedes sharp dopant profiles at the interfaces due to the contamination from previous deposition process. The cross-contamination between layers is a serious drawback of a single-chamber PECVD system in spite of the advantage of lower initial investment cost for the equipment. In order to resolve the cross-contamination problem in single-chamber PECVD systems, flushing method of the chamber with NH3 gas or water vapor after doped layer deposition process has been used. In this study, a new plasma process to solve the cross-contamination problem in a single-chamber PECVD system was suggested. A single-chamber VHF-PECVD system was used for superstrate type p-i-n a-Si:H solar cell manufacturing on Asahi-type U FTO glass. A 80 MHz and 20 watts of pulsed RF power was applied to the parallel plate RF cathode at the frequency of 10 kHz and 80% duty ratio. A mixture gas of Ar, H2 and SiH4 was used for i-layer deposition and the deposition pressure was 0.4 Torr. For p and n layer deposition, B2H6 and PH3 was used as doping gas, respectively. The deposition temperature was $250^{\circ}C$ and the total p-i-n layer thickness was about $3500{\AA}$. In order to remove the deposited B inside of the vacuum chamber during p-layer deposition, a high pulsed RF power of about 80 W was applied right after p-layer deposition without SiH4 gas, which is followed by i-layer and n-layer deposition. Finally, Ag was deposited as top electrode. The best initial solar cell efficiency of 9.5 % for test cell area of 0.2 $cm^2$ could be achieved by applying the in-situ plasma cleaning method. The dependence on RF power and treatment time was investigated along with the SIMS analysis of the p-i interface for boron profiles.
Background: Upfront surgery followed by systemic treatment is recommended to treat clinical stage I-IIA small cell lung cancer (SCLC), but data on the clinical outcomes are sparse. Thus, this study evaluated the stage migration and long-term prognosis of surgically treated clinical stage I-IIA SCLC. Methods: We retrospectively reviewed 49 patients with clinical stage I-IIA SCLC who underwent upfront surgery between 2000 and 2020. Additionally, we re-evaluated the TNM (tumor-node-metastasis) staging according to the eighth edition of the American Joint Committee on Cancer staging system for lung cancer. Results: The clinical stages of SCLC were cIA in 75.5%, cIB in 18.4%, and cIIA in 6.1% of patients. A preoperative histologic diagnosis was made in 65.3% of patients. Lobectomy and systematic lymph node dissection were performed in 77.6% and 83.7% of patients, respectively. The pathological stages were pI in 67.3%, pII in 24.5%, pIII in 4.1%, and pIV in 4.1% of patients. The concordance rate between clinical and pathological stages was 44.9%, and the upstaging rate was 49.0%. The 5-year overall survival (OS) rate was 67.8%. No significant difference in OS was found between stages pI and pII. However, the OS for stages pIII/IV was significantly worse than for stages pI/II (p<0.001). Conclusion: In clinical stage I-IIA SCLC, approximately half of the patients were pathologically upstaged, and OS was favorable after upfront surgery, particularly in pI/II patients. The poor prognosis of pIII/IV patients indicates the necessity of intensive preoperative pathologic mediastinal staging.
International Journal of Computer Science & Network Security
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v.21
no.11
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pp.151-156
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2021
The article provides an examination of those temporary states of disturbances in the psychophysiological and socio-psychological spheres of a person, which develop against the background of normally formed mechanisms of mental activity, that is, in mentally healthy people. A healthy person is a person adapted to the conditions of the external environment, and mental health is inseparable from the physical and social well-being of a person. The cause of the disorder is the impact on a person of any environmental factors that weaken the mechanisms of social and psychological adaptation of the individual.
Let R be a commutative ring with identity, and ${\phi}:{\mathfrak{I}}(R){\rightarrow}{\mathfrak{I}}(R){\cup}\{{\varnothing}\}$ be a function where ${\mathfrak{I}}(R)$ is the set of all ideals of R. Following [2], a proper ideal P of R is called a ${\phi}$-prime ideal if $x,y{\in}R$ with $xy{\in}P-{\phi}(P)$ implies $x{\in}P$ or $y{\in}P$. For an ideal I of R, we define the ${\phi}$-radical ${\sqrt[{\phi}]{I}}$ to be the intersection of all ${\phi}$-prime ideals of R containing I, and show that this notion inherits most of the essential properties of the usual notion of radical of an ideal. We also investigate when the set of all ${\phi}$-prime ideals of R, denoted $Spec_{\phi}(R)$, has a Zariski topology analogous to that of the prime spectrum Spec(R), and show that this topological space is Noetherian if and only if ${\phi}$-radical ideals of R satisfy the ascending chain condition.
In the field of video watermarking, which adds a time axis to the watermarking of the existing still image, it is important to embed a watermark at a level that can claim copyright while minimizing the overall video quality. In this paper, we focus on the fact that B slices refer to blocks of I and P slices in the Random Access compression method of HEVC. Therefore, We propose that watermark is embedded only in I and P slices and extracted in I, P, and B slices. This can minimize the decreases of the overall image quality of the image and protect the copyright of the B slice without directly embedding the watermark.
Let $k={\mathbb{F}}_q(T)$ and ${\mathbb{A}}={\mathbb{F}}_q[T]$. Fix a prime divisor ${\ell}$ q-1. In this paper, we consider a ${\ell}$-cyclic real function field $k(\sqrt[{\ell}]P)$ as a subfield of the imaginary bicyclic function field K = $k(\sqrt[{\ell}]P,\;(\sqrt[{\ell}]{-Q})$, which is a composite field of $k(\sqrt[{\ell}]P)$ wit a ${\ell}$-cyclic totally imaginary function field $k(\sqrt[{\ell}]{-Q})$ of class number one. und give various conditions for the class number of $k(\sqrt[{\ell}]{P})$ to be one by using invariants of the relatively cyclic unramified extensions $K/F_i$ over ${\ell}$-cyclic totally imaginary function field $F_i=k(\sqrt[{\ell}]{-P^iQ})$ for $1{\leq}i{\leq}{\ell}-1$.
Let A = {a1 < a2 < ⋯} be a sequence of integers and let P(A) = {Σεiai : ai ∈ A, εi = 0 or 1, Σεi < ∞}. Burr posed the following question: Determine conditions on integers sequence B that imply either the existence or the non-existence of A for which P(A) is the set of all non-negative integers not in B. In this paper, we focus on some problems of subset sum related to Burr's question.
High-speed I/O channels require adaptive techniques to optimize the settings for filter tap weights at decision feedback equalization (DFE) read channels to compensate for channel inter-symbol interference (ISI) and crosstalk from multiple adjacent channels. Both ISI and crosstalk tend to vary with channel length, process, and temperature variations. Individually optimizing parameters such as those just mentioned leads to suboptimal solutions. We propose a joint optimization technique for crosstalk cancellation (XTC) at DFE to compensate for both ISI and XTC in high-speed I/O channels. The technique is used to compensate for between 15.7 dB and 19.7 dB of channel loss combined with a variety of crosstalk strengths from $60mV_{p-p}$ to $180mV_{p-p}$ adaptively, where the transmit non-return-to-zero signal amplitude is a constant $500mV_{p-p}$.
A sequence ${X_j : j \geq 1}$ of random variables is said to be pairwise positive quadrant dependent (pairwise PQD) if for any real $r-i,r_j$ and $i \neq j$ $$ P{X_i > r_i,X_j > r_j} \geq P{X_i > r_i}P{X_j > r_j} $$ (see [8]) and a sequence ${X_j : j \geq 1}$ of random variables is said to be associated if for any finite collection ${X_{i(1)},...,X_{j(n)}}$ and any real coordinatewise nondecreasing functions f,g on $R^n$ $$ Cov(f(X_{i(1)},...,X_{j(n)}),g(X_{j(1)},...,X_{j(n)})) \geq 0, $$ whenever the covariance is defined (see [6]). Instead of association Cox and Grimmett's [4] original central limit theorem requires only that positively linear combination of random variables are PQD (cf. Theorem $A^*$).
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[게시일 2004년 10월 1일]
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